10KV SIC Search Results
10KV SIC Result Highlights (5)
Part | ECAD Model | Manufacturer | Description | Download | Buy |
---|---|---|---|---|---|
MG800FXF1ZMS3 |
![]() |
N-ch SiC MOSFET Module, 3300 V, 800 A, iXPLV, High-side: SiC MOSFET、Low-side: SiC SBD |
![]() |
||
MG800FXF1JMS3 |
![]() |
N-ch SiC MOSFET Module, 3300 V, 800 A, iXPLV, High-side: SiC SBD、Low-side: SiC MOSFET |
![]() |
||
TRS10E65H |
![]() |
SiC Schottky Barrier Diode (SBD), 650 V, 10 A, TO-220-2L |
![]() |
||
TRS10H120H |
![]() |
SiC Schottky Barrier Diode (SBD), 1200 V, 10 A, TO-247-2L |
![]() |
||
TRS8E65H |
![]() |
SiC Schottky Barrier Diode (SBD), 650 V, 8 A, TO-220-2L |
![]() |
10KV SIC Datasheets Context Search
Catalog Datasheet | Type | Document Tags | |
---|---|---|---|
Contextual Info: 26 24. Dezember 2002 Stromversorgung Produkte des Jahres 2002 Hochspannungswandler: Winzlinge liefern bis zu 10 000 V Ausgangsspannungen zwischen 100 V und 10kV bel einer Ausgangsleistung von 0,5 W optional 1,25 W liefern die DC/DC-Wandler der Q-Series im |
Original |
||
westinghouse transistorsContextual Info: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 55, NO. 8, AUGUST 2008 1807 A 10-kV Large-Area 4H-SiC Power DMOSFET With Stable Subthreshold Behavior Independent of Temperature Robert S. Howell, Member, IEEE, Steven Buchoff, Stephen Van Campen, Member, IEEE, Ty R. McNutt, Member, IEEE, Andris Ezis, Senior Member, IEEE, Bettina Nechay, Member, IEEE, |
Original |
10-kV westinghouse transistors | |
p112 smd
Abstract: EN 60286-3
|
Original |
||
10KV SiC
Abstract: SiC IGBT High Power Modules SiC MOSFET 4600 mosfet 4600 dual mosfet Cree SiC MOSFET N00014-05-C-0202 Cree SiC diode die 100A Mosfet high voltage 10kv igbt
|
Original |
||
Contextual Info: THT Schaltersysteme THT Switch Series Die MENTOR-Schalterserie entspricht in ihrer Konzeption den seit Jahrzehnten bekannten und durch millionenfachen Einsatz in der Industrieelektronik bewährten Ausführungen. Sie wurden im Hinblick auf die speziellen Bedürfnisse der THTTechnologie entwickelt. Taster und Schalter nehmen im Bereich der FrontplattenEinbauelemente einen wesentlichen Raum ein. Es gibt vielfältige Ausführungen |
Original |
||
mosfet based power inverter project
Abstract: MS 1307 mosfet mosfet ms 1307 mitsubishi sic MOSFET igbt based high frequency inverter 10KV SiC NATIONAL IGBT Mitsubishi SiC IPM module "silicon carbide" FET home made inverter
|
Original |
||
Contextual Info: Lichtleiter für Frontplatten Light Guides for Front panels Allgemeine Hinweise und Technische Daten Allgemeine Hinweise: siehe Seite 3 Technische Daten LED‘s: siehe Seite 39 LL-Werkstoff: PC glasklar UL94 Umgebungstemperatur: -40°C . +85°C ESD-Schutz: 10 . <12kV |
Original |
||
1293.2000
Abstract: d 1649 d745 12822000
|
Original |
||
Contextual Info: SIEMENS FEATURES <>-420 600 V TRIAC DRIVER OPTOCOUPLER D im e n sio n s in in c h e s m m • High Input Sensitivity Ift =2 mA • • • • • • • • • Blocking Voltage, 600 V 300 mA On-State Current High Static dv/dt 10,000 V ^ s Inverse Parallel SCRs Provide Com m utating |
OCR Scan |
E52744 IL420 lFT25oC) | |
JFET semisouth
Abstract: SJEP120R050 SGDR600P1 SEMISOUTH SJEP120 SJEP120R063 AN-SS1 ixdd509 SiC JFET JFET
|
Original |
SGDR600P1 5V/-15V SGDR600P1 SJEP120R050 SJEP120R063 SJEP120R050 JFET semisouth SEMISOUTH SJEP120 AN-SS1 ixdd509 SiC JFET JFET | |
Mosfet RM3
Abstract: SIEMENS THYRISTOR s50 thyristor using zero crossing circuit OPTOCOUPLER for 3 ph thyristor gate il410 siemens gaas fet siemens RC snubber for driving triacs 1FT2
|
OCR Scan |
E52744 IL410 VS05K250) IL410 Mosfet RM3 SIEMENS THYRISTOR s50 thyristor using zero crossing circuit OPTOCOUPLER for 3 ph thyristor gate siemens gaas fet siemens RC snubber for driving triacs 1FT2 | |
10KV SiCContextual Info: Fourth Quarter 2004 Volume16, Number 4 ISSN 1054-7231 In This Issue President’s Message. . . . . . . . . . . . . 3 From The Editor . . . . . . . . . . . . . . . . 4 Aachen Meeting Minutes . . . . . . . . . 4 APEC 2005 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6 |
Original |
Volume16, 10-kV, 10KV SiC | |
Contextual Info: M ot ionne t Se rie s I nt roduc t ion Ove r vie w Motionnet is a series product based on innovative architecture and designed for versatile industrial automation applications, especially those with motion control requirements. Motionnet products are divided into 2 parts - Master |
Original |
RS-485 10Mbps, 20Mbps RS-485 20Mbps/32 32-bit, 2000/XP | |
232ge
Abstract: STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387
|
Original |
MAX2387/MAX2388 MAX2389 MAX2387/MAX2388/ MAX2389 SC70-Geh SC70-5 MAX4490 10MHz 200pF 232ge STK 3400 Mischer IC MAX4644 oscillator 45mhz 4pin MAX2472 max2650 MAX2310 MAX1763 MAX2387 | |
|
|||
AUS SOT23
Abstract: 4 bis 20 mA stromquelle Analog Digital Wandler MAX1798 MAX1835 MAX1774 MAX1775 MAX1799 MAX1852 MAX1853
|
Original |
25MHz MAX1774 AUS SOT23 4 bis 20 mA stromquelle Analog Digital Wandler MAX1798 MAX1835 MAX1774 MAX1775 MAX1799 MAX1852 MAX1853 | |
Contextual Info: Buccaneer Modellreihe 7000 bulgin a brand of Elektron Technology Stabile, sofortige Verbindungen für raue Umgebungsbedingungen Die vollständige Kunststoffausführung der Buccaneer-Rundsteckverbinder der Modellreihe 7000 vereinen die Benutzerfreundlichkeit eines Schnellkupplungsmechanismus‘ mit der bewährten Abdichtung gegen |
Original |
IP69K | |
Contextual Info: Buccaneer Serie 6000 bulgin a brand of Elektron Technology Stabile, sofortige Verbindungen für raue Umgebungsbedingungen Die vollständige Kunststoffausführung der Buccaneer-Serie 6000 verbindet einen einfachen Push/Pull-Kupplungsmechanismus mit der bewährten Abdichtung gegen Umwelteinflüsse für Signal- und |
Original |
IP69K | |
Contextual Info: Buccaneer Modellreihe 7000 bulgin a brand of Elektron Technology Stabile, sofortige Verbindungen für raue Umgebungsbedingungen Die vollständig aus Metall bestehenden Buccaneer-Rundsteckverbinder der Modellreihe 7000 vereinen die Benutzerfreundlichkeit eines Schnellkupplungsmechanismus‘ mit der bewährten Abdichtung gegen |
Original |
IP69K | |
sfh250v application
Abstract: AV02-3822EN Complete with metal detector sensor circuit components research paper on optical fiber 650nm Receivers human detection sensors circuit range from 1m to sound to light sensor HFBR-2523Z arc flash detector
|
Original |
AV02-3822EN sfh250v application Complete with metal detector sensor circuit components research paper on optical fiber 650nm Receivers human detection sensors circuit range from 1m to sound to light sensor HFBR-2523Z arc flash detector | |
Contextual Info: Buccaneer Serie 7000 bulgin a brand of Elektron Technology Collegamenti rapidi e resistenti, adatti agli ambienti più ostili La struttura di Buccaneer Serie 7000 è interamente in plastica - connettori circolari che combinano la maneggevolezza di un attacco rapido all'ampiamente dimostrato isolamento ambientale per alimentazione |
Original |
IP69K, | |
6 pin pulse transformer 4503 circuit diagram
Abstract: l0534 HCPL 601 motor IG 2200 19 x 00 15 r ADC60-08 L4562 BD transistor smd Optocoupler 601 8 pin smd l0631 l0601
|
OCR Scan |
PTION060 6 pin pulse transformer 4503 circuit diagram l0534 HCPL 601 motor IG 2200 19 x 00 15 r ADC60-08 L4562 BD transistor smd Optocoupler 601 8 pin smd l0631 l0601 | |
BA100 diode
Abstract: BA102 AAY20 B2M1-5 1N2528 PH1021 OA210 diode DIODE AA116 BB105 GAZ17
|
OCR Scan |
A4/10 A5/62 A5/105 A1000 AA100 AA110 AA111 AA112 AA113 AA114 BA100 diode BA102 AAY20 B2M1-5 1N2528 PH1021 OA210 diode DIODE AA116 BB105 GAZ17 | |
Contextual Info: IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, VOL. 59, NO. 10, OCTOBER 2012 2795 Characterization of the Stability of Current Gain and Avalanche-Mode Operation of 4H-SiC BJTs Siddarth G. Sundaresan, Aye-Mya Soe, Stoyan Jeliazkov, and Ranbir Singh, Member, IEEE Abstract—The stability of the electrical characteristics of SiC |
Original |
934-h | |
10KV SiC
Abstract: POWEREX DIP-IPM igbt circuit for induction melting induction heating 30khz westinghouse transistor cross reference Induction Heating Inverter melting Mitsubishi SiC IPM module ipm based three phase ups design igbt module catalog general product Powerex Bipolar Static Induction Transistor
|
Original |