2SC607 Search Results

Contextual Info: 2SC6079 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6079 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE sat = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 µs (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Contextual Info: 2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector emitter saturation voltage : VCE sat = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 µs (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Contextual Info: 2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6077 ○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications Unit: mm • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 µs (typ)

2SC6077

Contextual Info: 2SC6077 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6077 ○ 電力増幅用 ○ 電力スイッチング用 単位: mm • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC= 1 A) •

2SC6076

Contextual Info: 2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6076 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ.)

2SC6072

Abstract: C6072
Contextual Info: 2SC6072 東芝複合デバイス シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ 2SC6072 ○ 電力増幅用 ○ 励振段電力増幅用 • 単位: mm :fT=200MHz 標準 トランジション周波数が高い。 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

Contextual Info: 2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6076 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max) ( IC = 1A) High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ.)

2SC6072

Abstract: C6072
Contextual Info: 2SC6072 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon NPN Epitaxial Transistor Type 2SC6072 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High transition frequency: fT = 200 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic

2SC6076

Abstract: IC602
Contextual Info: 2SC6076 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6076 電力増幅用 電力スイッチング用 単位: mm コレクタ飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC = 1 A) スイッチング時間が速い。

Contextual Info: 2SC6076 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6076 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 µs (typ)

C6078

Contextual Info: 2SC6078 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6078 ○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications Unit: mm • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 µs (typ)

Contextual Info: 2SC6076 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6076 電力増幅用 電力スイッチング用 単位: mm コレクタ飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC = 1 A) スイッチング時間が速い。

2SC6075

Contextual Info: 2SC6075 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6075 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector emitter saturation voltage : VCE sat = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

2SC6072

Abstract: C6072
Contextual Info: 2SC6072 東芝複合デバイス シリコンNPNエピタキシャル形トランジスタ 2SC6072 ○ 電力増幅用 ○ 励振段電力増幅用 • 単位: mm :fT=200MHz 標準 トランジション周波数が高い。 絶対最大定格 (Tc = 25°C)

Contextual Info: 2SC6072 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon NPN Epitaxial Transistor Type 2SC6072 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High transition frequency: fT = 200 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic

2SC6072

Contextual Info: 2SC6072 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon NPN Epitaxial Transistor Type 2SC6072 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High transition frequency: fT = 200 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C) Characteristic

C6076

Abstract: 2SC6076 wd-c160
Contextual Info: 2SC6076 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6076 電力増幅用 電力スイッチング用 単位: mm コレクタ飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC = 1 A) スイッチング時間が速い。

2SC6079

Abstract: 2-7D101A
Contextual Info: 2SC6079 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type 2SC6079 Power Amplifier Applications Power Switching Applications Unit: mm Low collector saturation voltage: VCE sat = 0.5 V (max)（IC = 1A） High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ) Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

2SC6075

Contextual Info: 2SC6075 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6075 ○ 電力増幅用 ○ 電力スイッチング用 単位: mm • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC= 1 A) •

C6078

Abstract: 2SC6078
Contextual Info: 2SC6078 シリコンNPNエピタキシャル形 PCT方式 東芝トランジスタ 2SC6078 ○ 電力増幅用 ○ 電力スイッチング用 単位: mm • コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。 : VCE (sat) = 0.5 V (最大) (IC= 1 A) •

Contextual Info: Reliability Tests Report Product Name: 2SC6076 Package Name: New PW-Mold 1. Thermal tests Test Item Heat resistance Reflow Heat resistance (Flow) Heat resistance (Iron) Temperature cycling Test Condition Peak : 260 deg.C(a moment) Reflow zone : 230 deg.C 30 to 50 s

2SC6072

Abstract: C6072
Contextual Info: 2SC6072 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon NPN Epitaxial Transistor Type 2SC6072 Unit: mm Power Amplifier Applications Driver Stage Amplifier Applications ・High transition frequency: fT = 200 MHz typ. Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C) Characteristic

2SC6077

Contextual Info: 2SC6077 TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT Process 2SC6077 ○ Power Amplifier Applications ○ Power Switching Applications Unit: mm • Low collector saturation voltage: VCE (sat) = 0.5 V (max)（IC = 1A） • High-speed switching: tstg = 0.4 s (typ)

22406E

Contextual Info: 2SC6071 Ordering number : ENA0271 2SC6071 NPN Epitaxial Planar Silicon Transistor High-Current Switching Applications Applications • Relay drivers, lamp drivers, motor drivers. Features • • • • Adoption of MBIT process. Large current capacitance.