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UX7LSeD Abstract: 180NM nmos NEC 180NM CMOS edram nec 180NM edram cmos logic 90nm 0.35uM STI 180NM NEC NEC SRAM Text: DRAM混載技術のご紹介 2007年10月16日 NECエレクトロニクス株式会社 ARM Forum 2007発表資料 Copyright NEC Electronics Corporation Agenda z eDRAM導入のメリット z ＮＥＣエレクトロニクス eDRAMの紹介 z ＮＥＣエレクトロニクス eDRAMの特長	Original	PDF
UPD68223 Abstract: UPD68212 uPD68 55nm edram upd programmable timer upd66203 uPD66212 nec upd ic V850E2 LSI CMOS GATE ARRAY Text: 2009.11 NECエレクトロニクスは, お客様の独創的な製品を実現するため, ASIC開発の新しいアイディア, ソリューションを提案していきます。 ASICが要求される製品は，技術の進化／多様化への対応が常に求められています。	Original	PDF	CB-40 CB-55L CB-90 CB-130 CB-12 CMOS-12M A20051JJ1V0PF A20051JJ1V0PF00 UPD68223 UPD68212 uPD68 55nm edram upd programmable timer upd66203 uPD66212 nec upd ic V850E2 LSI CMOS GATE ARRAY

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UX7LSeD

Abstract: 180NM nmos NEC 180NM CMOS edram nec 180NM edram cmos logic 90nm 0.35uM STI 180NM NEC NEC SRAM
Text: DRAM混載技術のご紹介 2007年10月16日 NECエレクトロニクス株式会社 ARM Forum 2007発表資料 Copyright NEC Electronics Corporation Agenda z eDRAM導入のメリット z ＮＥＣエレクトロニクス eDRAMの紹介 z ＮＥＣエレクトロニクス eDRAMの特長

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UPD68223

Abstract: UPD68212 uPD68 55nm edram upd programmable timer upd66203 uPD66212 nec upd ic V850E2 LSI CMOS GATE ARRAY
Text: 2009.11 NECエレクトロニクスは, お客様の独創的な製品を実現するため, ASIC開発の新しいアイディア, ソリューションを提案していきます。 ASICが要求される製品は，技術の進化／多様化への対応が常に求められています。

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CB-40 CB-55L CB-90 CB-130 CB-12 CMOS-12M A20051JJ1V0PF A20051JJ1V0PF00 UPD68223 UPD68212 uPD68 55nm edram upd programmable timer upd66203 uPD66212 nec upd ic V850E2 LSI CMOS GATE ARRAY