645MM Search Results

Contextual Info: ISOMETRIC VIEW 683mm 26.9in 645mm 25.39in 32mm 1.25in O 13mm 0.5in 92mm 3.62in 10mm 0.38in 635mm 25.02in 794mm 31.27in TOP VIEW 95mm 3.75in 100mm 3.94in REAR VIEW L.S VIEW FRONT VIEW HPLW18 PART NUMBERS PAINTED TEXTURED BLACK NOTES HPLW contains 4 corner supports along with corresponding front

Contextual Info: ISOMETRIC VIEW 683mm 26.9in 32mm 1.25in 645mm 25.39in O 13mm 0.5in 92mm 3.62in 10mm 0.38in 635mm 25.02in 794mm 31.27in TOP VIEW 195mm 7.69in 200mm 7.88in REAR VIEW L.S VIEW FRONT VIEW HPLW28 PART NUMBERS PAINTED TEXTURED BLACK NOTES HPLW contains 4 corner supports along with corresponding front

Contextual Info: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications 0.33±0.05 0.05 M A • 2.4±0.1 ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for

NCP700BSN18T1G

Abstract: NCP700BSN30T1G transistor tip 3005 marking ADQ NCP700bsn33t1g
Contextual Info: NCP700B 200 mA, Ultra Low Noise, High PSRR, BiCMOS RF LDO Regulator Noise sensitive RF applications such as Power Amplifiers in cell phones and precision instrumentation require very clean power supplies. The NCP700B is 200 mA LDO that provides the engineer

2SC6125

Contextual Info: TOSHIBA Semiconductor Company | Data Sheet Search | Product Details Page 1 of 1 Products Search Product Search: Enter a Part Number or Description Category Top | Refine Search | Results | Product Details Part Number: 2SC6125 Category: Transistors /Bipolar Power Transistors/High-Frequency Switching Power Transistors 2SA Series,2SC

Contextual Info: TOSHIBA Semiconductor Company | Data Sheet Search | Product Details Page 1 of 1 Products Search Product Search: Enter a Part Number or Description Category Top | Refine Search | Results | Product Details Part Number: 2SC6126 Category: Transistors /Bipolar Power Transistors/High-Frequency Switching Power Transistors 2SA Series,2SC

Contextual Info: TPCP8604 東芝トランジスタ シリコンPNP三重拡散形 TPCP8604 ○ 高電圧スイッチング用 • 単位: mm 高耐圧です。: VCEO = −400 V 0.33±0.05 0.05 M A 記 号 定 格 単位 コ レ ク タ • ベ ー ス 間 電 圧 VCBO −400

TPCP8603

Contextual Info: TPCP8603 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 TPCP8603 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 単位: mm ○ ストロボフラッシュ用 0.33±0.05 0.05 M A コレクタ・エミッタ間飽和電圧が低い。:VCE sat = −0.2 V (最大)

2SA2214

Contextual Info: 2SA2214 東芝トランジスタ シリコンPNPエピタキシャル形 2SA2214 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 2.1±0.1 コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。: VCE sat = −0.14 V (最大)

SSM6N25TU

Contextual Info: SSM6N25TU シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅢ 東芝電界効果トランジスタ SSM6N25TU 単位: mm ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 • オン抵抗が低い。 1.7±0.1 Ron = 145mΩ (max) (@VGS = 4.0 V) 項 目 記 号 定 格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧

SSM6K22FE

Contextual Info: SSM6K22FE 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 U-MOS-Ⅲ SSM6K22FE ○ 高速スイッチング ○ DC-DC コンバータ 単位: mm • 小型パッケージで高密度実装に最適 • オン抵抗が低い。 : Ron = 170 mΩ (最大) (@VGS = 4 V)

Contextual Info: 2SAR542F3 Datasheet PNP -3.0A -30V Middle Power Transistor l Outline Parameter VCEO Value -30V IC -3A HUML2020L3 2SAR542F3 l Features 1 Suitable for Middle Power Driver. 2) Low V CE sat) VCE(sat)=-0.20V(Max.).

2SC6135

Contextual Info: 2SC6135 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 2SC6135 ○ 高速スイッチング用 ○ DC-DC コンバータ用 ○ ストロボフラッシュ用 単位: mm 2.1±0.1 コレクタ･エミッタ間飽和電圧が低い。 : VCE sat = 0.17 V (最大)

TH58NVG5

Abstract: TC58NVG4 TC58DVM92A5TA00 TH58NVG6 SSM3J307T TC58DVG02A5BAJ5 mp1484 TC58NVG3S TH58NVG5S2EBA20 SSM6J409TU
Contextual Info: 11 eye 東芝半導体情報誌アイ 2008 年 11 月号 Volume 195 CONTENTS 新製品情報 MOSゲートドライバ用バイポーラトランジスタ HN4B102J / TPC6901A / TPC6902 / TPCP8902 2 携帯機器向けロードスイッチ用 Pch MOSFET 3

SSM3K102TU

Contextual Info: SSM3K102TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンＮチャネルMOS形 SSM3K102TU ○ パワーマネジメントスイッチ ○ 高速スイッチング 2.1±0.1 1.8V 駆動です オン抵抗が低い : Ron = 154mΩ max (@VGS = 1.8V) : Ron = 99mΩ (max) (@VGS = 2.5V)

SSM3K106TU

Contextual Info: SSM3K106TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K106TU ○ DC-DC コンバータ ○ 超高速スイッチング 単位: mm 2.1±0.1 • 4V 駆動です • オン抵抗が低い : Ron = 530 mΩ max (@VGS = 4 V) 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

TPCP8F01

Contextual Info: TPCP8F01 TOSHIBA Multi-chip Device Silicon PNP Epitaxial Transistor , Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type TPCP8F01 Unit: mm ○ Swtching Applications ○ Load Switch Applications ○ Multi-chip discrete device; built-in PNP Transistor for main switch and N-ch MOS FET for drive

SSM3K131TU

Abstract: pd3a
Contextual Info: SSM3K131TU 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 U-MOSⅣ SSM3K131TU ○ 超高速スイッチング • • 単位: mm 4.5 V 駆動です オン抵抗が低い : Ron = 41.5 mΩ (max) (@VGS = 4.5 V) : Ron = 27.6 mΩ (max) (@VGS = 10 V)

optically clear adhesive

Abstract: ecg master replacement guide 1115b silver conductive ink resins QTM-500 MGC 7805 CONDUCTIVE INK FOR FLEX CIRCUITS 3m 7815 8880-S7 UL-746
Contextual Info: 3M Electronics Assembly Solutions Product Selection Guide Smart Solutions for Building In Value 3M Company, operating in more than 60 countries, has over 60,000 products. These products, based on 40 technology platforms, have been developed by 6,500 3M Product Developers Worldwide.

Contextual Info: SSM6G18NU 東芝複合素子 シリコン P チャネルMOS形 ＋エピタキシャルショットキバリア形 SSM6G18NU パワーマネージメントスイッチ Pch MOSFET とショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵 低 RDS ON 低 VF のため低損失:

AN-1187

Abstract: AN-1389 AN-1398 DS40MB200
Contextual Info: ご注意：日本語のアプリケーション・ノートは参考資料として提供しており内容が 最新でない場合があります。製品のご使用に際しては、必ず最新の英文アプ リケーション・ノートをご確認ください。

Contextual Info: TPC6701 TOSHIBA TPC6701 TOSHIBA Taransistor Silicon N P N Epitaxial Type Unit: mm O High-Speed Switching Applications Olnverter ^0 3:0.1 Lighting Applications I n c lu d in g 2 u n i t s in a sm all s u r f a c e mounted package High DC c u r r e n t g a i n : h F E ~ 4 0 0 ~ 1 0 0 0 lc=0. 1A

tny256

Abstract: EE16 core transformer TM 1343 transformer transformer tm 1343 S2 Schottky Rectifier P08A 22340 TNY256Y tny256 flyback transformer
Contextual Info: TNY256 TM TinySwitch Plus Energy Efficient, Low Power Off-line Switcher Product Highlights TinySwitch Plus Features • Extended power range • Fully integrated auto-restart reduces short circuit current • Line under-voltage sense eliminates turn-off glitches

180Cd

Abstract: INI LCD
Contextual Info: SHARP C O R P O R A T ION OSAKA, S P E C I F I C A T I O N MODEL NO. : BRAND NAME: JAPAN FOR LCD D ISP L A Y 5 L - U 4 E SHARP C U S T OME R : S. E. C COUNTRY: U . S . A MAR.,9.1995 SIGNATUR^ Department Product K. G eneral Q u a li t y Aoyagi Manager Assurance