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    GEX06626

    Abstract: Q62703-Q1094 OHR00878 OHR00886
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF fex06626 GEX06626 TV-s40 OHR00949 OHR01733 GEX06626 Q62703-Q1094 OHR00878 OHR00886

    GEX06626

    Abstract: GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060
    Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 SFH 4592 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 0.6 0.4 5.7 5.1 SFH 4591 Chip position fex06260 Anode 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 2.54 mm spacing 0.8 0.4 0.6 0.4 9.0 8.2 7.8 7.5 GEX06626 Area not flat


    Original
    PDF fex06260 GEX06626 GEX06984 OHR00397 OHF00361 GEX06626 GEX06984 Q62702-P5059 Q62702-P5060

    GEX06626

    Abstract: Q62703-Q1094
    Text: GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Area not flat 1.8 1.2 29.5 27.5 9.0 8.2 7.8 7.5 ø5.1 ø4.8 5.9 5.5 0.6 0.4 5.7 5.1 Chip position fex06626 Anode 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.


    Original
    PDF fex06626 GEX06626 con40 OHR00949 OHR01733 GEX06626 Q62703-Q1094

    GEX06626

    Abstract: Q62703-Q1094
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar


    Original
    PDF OHR01733 GEX06626 GEX06626 Q62703-Q1094

    GEX06626

    Abstract: No abstract text available
    Text: Schnelle GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode High-Speed GaAlAs Infrared Emitter SFH 4591 Vorläufige Daten / Preliminary Data Area not flat Anode 1.8 1.2 29.5 27.5 Approx. weight 0.5 g 9.0 8.2 7.8 7.5 5.9 5.5 ø5.1 ø4.8 0.8 0.4 2.54 mm spacing 0.6 0.4 0.6 0.4 5.7


    Original
    PDF GEX06626 OHF00362 OHF00365 OHF00361 GEX06626

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 Wesentliche Merkmale • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Gegurtet lieferbar (im Ammo-Pack) • Gruppiert lieferbar


    Original
    PDF OHR01733 GEX06626

    design opto interrupter

    Abstract: Q62703Q1094 GEX06626 OHLY0598 Q62703-Q1094
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    GEX06626

    Abstract: OHLY0598 Q62703Q1094 SFH 486
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger


    Original
    PDF

    Untitled

    Abstract: No abstract text available
    Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAlAs Infrared Emitter (880 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 486 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an


    Original
    PDF E7517 Q62703Q1094 Q62703Q6175

    siemens SFH 960

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm GaAIAs Infrared Emitter (880 nm) SFH 486 A rea not flat 5.9 5.5 JX6 •w i S I 0.4 Anode GEX06626 Approx. weight 0.5 g Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. W esentliche Merkmale


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