systemtechnik
Abstract: DIN EN 60352-5 60352-5 SN100C 60352 pin in paste SAC305
Text: Bestückung elektronischer Baugruppen ERNI Systemtechnik Systemlösungen -alles aus einer Hand- www.erni.com Themen-Übersicht ERNI Systemtechnik Löttechniken SMT-Löten - Reflow-Löten oberflächenmontierbarer Bauelemente THR-Löten - Durchsteck-Bauelemente im Reflow-Lötprozess
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relais datenbuch siemens
Abstract: B84115-E-B60 B84113-C-B30 B82111-E-C25 B84112-B-B120 rittalwerk siemens ferrit core Siemens ferrit B84299-K21-E B85321A2405A630
Text: EMV-Bauelemente für Netzanwendungen EMC Components for Power Line Applications Lieferprogramm 2002 / Short Form Catalog 2002 http://www.epcos.com Vorwort Preview Wenn es darum geht, die elektromagnetische Verträglichkeit EMV sicherzustellen, sind EMV-Bauelemente unverzichtbare Schlüsselkomponenten! Dieses Lieferprogramm
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megatron
Abstract: SN60
Text: NETPAC Präzisions - Widerstandsnetzwerke ChipNet • • • • 3 - 16 Pin SIP Netzwerk SMD - Chip bestückt, sehr variabel Sonderlayouts auf Anfrage andersartige Bauelemente möglich ChipPac • • • • 4 - 16 Pin SIP Arrays Kombinationen mit anderen Bauelementen
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46-000011
Abstract: No abstract text available
Text: Technology in connectors Leiterplatten Steckverbinder CONEC Elektronische Bauelemente GmbH Ostenfeldmark 16 59557 Lippstadt Germany Tel. +49 2941 765-0 Fax +49 2941 76565 E-Mail info@conec.de www.conec.com Leiterplatten Steckverbinder CONEC s.r.o. Loucka 119
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101020BO
46-000011
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varistore
Abstract: No abstract text available
Text: Direct Link 0927 Applications & Cases ESD/EMI-Filter Oktober 2004 Gemischtes Doppel Durch intensive Forschung ist es EPCOS gelungen, MLCC und Varistoren in Vielschichttechnologie zu kombinieren. Dadurch entstanden neuartige Bauelemente, die gleichzeitig vor Überspannung schützen und
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fixed point goertzel
Abstract: arslan goertzel 16-bit-Festpunkt-Arithmetik TMS320C80 m16cmikrocontrollerfamilie msp430 hall
Text: Bauelemente Telekom-ICs Raimund Stampa DTMF per Software Der M16C drängt in den Bereich der DSP-Applikationen ie Bezeichnung DTMF steht für „Dual Tone Multi Frequency“ Tonwahlverfahren . Bei diesem Wahlverfahren wird die Telefontastatur als 4x4-Matrix aufgefaßt
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MSP-430.
fixed point goertzel
arslan
goertzel
16-bit-Festpunkt-Arithmetik
TMS320C80
m16cmikrocontrollerfamilie
msp430 hall
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FR4 substrat
Abstract: fr4+substrate+1.6mm
Text: Gehäusetechnologien für SAW-Produkte Januar 2008 Harte Schalen Da SAW-Bauelemente bei der Verarbeitung zu Modulen Drücke von bis zu 100 bar aushalten müssen, sind neue Gehäusetechnologien erforderlich. Damit sich die Oberflächenwellen in SAW-Bauelementen störungsfrei
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elektrolyt-kondensatoren
Abstract: Siemens gleichrichter MATSUA RELAIS
Text: Passive Bauelemente UltraCaps machen USVs sicherer Die Angst vor Stromausfällen nimmt zu. Geschürt wird sie durch das Y2k-Problem und die Liberalisierung der Strommärkte. Abhilfe für sensible Systeme schafft hier eine USV. Doch welche Technik und welche Bauteile sind
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Passive Bauelemente Ultra-Caps in der Praxis Das Laden von Kondensatoren mag ein ›alter Hut‹ sein. Doch wer Ultra-Caps einsetzt, deren Kapazität im Bereich einiger Kilo-Farad ! liegt, sollte einige wichtige Regeln beachten, um die Leistungsfähigkeit des Bauteils zu erhalten.
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bauelemente DDR
Abstract: SPF 455 Teltow Mechanische Filter VEB Kombinat zf filter rft katalog SPF 10700 49004 SPF455 490.2159 Kombinat VEB Elektronische Bauelemente
Text: Passive elektronische Bauelemente O Widerstände Q Kondensatoren 0 Kinlaklfcaüelemenle 2 Suidererzeognisse Passive elektronische Bauelemente Auf allen G ebieten der Elektronik und Elektrotechnik werden an Leistungsfähigkeit, Lebensdauer und Zu verlässigkeit elektronischer Bauelemente ständig
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diode SY 192
Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Text: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik information applikation Mikroelektronik Information Applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft sy 710 applikation heft
Text: m o t ^ o e l e l - c f a n c i r Information Applikation Bauelemente der Leistungs elektronik SW77 Bipolare SchaltTransistoren i i l - c m t n r D o lk in î^ e lB l-c ta n a r iik Information Applikation H e f t : BAUELEMENTE DER LEISTUNGSELEKTRONIK
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TESLA KU 602
Abstract: TESLA KU 601 tesla ku 611 kd 501 KD 3055 vergleichsliste DDR kd 616 tungsram UNITRA vergleichsliste
Text: r electronic Vergleichsliste Silizium-Leistungstransistoren 1 Vorwort» Die Verglcich8jiatc Silizium - Leistungstransistoren wurde in erste: Linie als Arbeitsmaterial fuer die Applikationsorgane unseres Kombinates zusanmengestellt. Um das Hauptziel dic.aer Liste - NSW - Bauelemente
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O-220
TESLA KU 602
TESLA KU 601
tesla ku 611
kd 501
KD 3055
vergleichsliste DDR
kd 616
tungsram
UNITRA
vergleichsliste
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information applikation mikroelektronik
Abstract: VEB mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt" applikation heft Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 mikroelektronik applikation information applikation halbleiterwerk
Text: m D N n ö e le lK te n a r iil- c Information BAUELEMENTE DER LEISTUNGS ELEKTRONIK BAUELEMENTE ÜBERSICHT GRENZ-UND KENNDATEN Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " B ish er e r s c h ie n e n : H e ft H e ft H e ft H e ft
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TGL 29331
Abstract: Kombinat VEB Elektronische Bauelemente TGL 31428 bauelemente Kombinat bauelemente DDR TGL-31428 21-1 TGL 24815 TGL 24687 TGL 24815 veb taschenbuch
Text: Kontakt bauelemente Kombinat VEB Elektronische Bauelemente K O N T A K T B A UELEM ENTE In h alt S te c k v e rb in d e r, fla che B a u fo rm Seite 6 H F -R u n d ste ckve rb in d e r 61 N F -R u n d ste ckve rb in d e r 101 L ic h tle ite rs te c k v e rb in d e r
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UEI 20 SP 010
Abstract: Datenblattsammlung u82720 mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik UB8820M "halbleiterwerk frankfurt" UEI 15 SP 020 Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2 B4207D
Text: e l e k t r o m k - b a u e ì e m e n t e * W UKaÊÊi I Ä I L I I m V w •1 vît M •'4 n, ' I ill ■ DATEN BLATTSAMM LU NG elektronische bauelemente ?: V' I j| D A I Ï K B L A U S A MML ÜHG "E lektronische Bauelemente1' Ausgabe 1/89 14 : "Neue und weiterentwiekelte Bauelemente sowie ausgewählte Importbauelemente"
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64-KBit-Sehreib--Iese-Speicher
086/11/B9
UEI 20 SP 010
Datenblattsammlung
u82720
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
UB8820M
"halbleiterwerk frankfurt"
UEI 15 SP 020
Aktive elektronische Bauelemente 1988 Teil 2
B4207D
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
Text: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender
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B084D
Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Text: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen
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U820 Diode
Abstract: 0555B TDB0555B Diode BAY 61 diode u820 TDB 0555B transistor a965 nf schaltungen darlington bd 645 P430-e11
Text: S IE M E N S Technische Mitteilung aus dem Bereich Bauelemente -io idun istechnik •Anwendungstechnik *Anwendung , wendungstechr idungstechnik -Anwendungstechnik •An ldt ' ' O idungstechnik *Anwendungstechnik *A 9ndi ' • ' Integrierter Fenster diskriminator TCA 965
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T112-16
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Text: Di vorliegenden Datenblätter dienen nur sur- Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können keine Liefer- oder ProduktVer bindlichkeiten abgeleitet werden*
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DDR-1035
T112-16
Halbleiterbauelemente DDR
Datenblattsammlung
Tesla katalog
tesla schaltkreise
mikroelektronik datenblattsammlung
VEB mikroelektronik
mikroelektronik RFT
mikroelektronik DDR
rft katalog
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mikroelektronik ddr
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik vqb 71 A910D VQB71 "halbleiterwerk frankfurt" diode sy-170 VQB 37 u112d
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der DDR gefertigten Halbleiterbauelem ente. Dem Anwender soll durch diese Übersicht die Auswahl der jeweils in Frage kommenden
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Halbleiterbauelemente DDR
Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Text: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs temperatur von 25 °C angegeben.
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DOR102
Halbleiterbauelemente DDR
GAZ17
diode sy-250
"halbleiterwerk frankfurt"
sal41
diode sy-170
SF 127
diode say17
Halbleiter-Bauelemente DDR
SY 170
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information applikation
Abstract: DL193D information applikation mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik applikation heft DL192D
Text: [ H n in k ^ t M E le l- c f a n a n il- c Information Applikatiùn Auf ein Wort: Werte Nutzer dieser Applikations-Hefte! Das Tempo der Entwicklung in der Mikroelektronik erfordert, ständig neue Informationen über Bauelemente und ihre mögliche Anwendung
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A109d
Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
Text: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden
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