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    BSM 25 OP 120 Search Results

    BSM 25 OP 120 Result Highlights (5)

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    TC75S102F Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation Operational Amplifier, 1.5V to 5.5V, I/O Rail to Rail, IDD=0.27μA, SOT-25 Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    CA3078E Rochester Electronics LLC Operational Amplifier, 1 Func, 5000uV Offset-Max, BIPolar, PDIP8 Visit Rochester Electronics LLC Buy
    HA7-5137A-5 Rochester Electronics LLC Operational Amplifier, 1 Func, 60uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, FRIT SEALED, CERDIP-8 Visit Rochester Electronics LLC Buy
    LM107J-14/883 Rochester Electronics LLC Operational Amplifier, 1 Func, 3000uV Offset-Max, BIPolar, CDIP14, CERAMIC, DIP-14 Visit Rochester Electronics LLC Buy
    HA7-5221-5 Rochester Electronics LLC Operational Amplifier, 1 Func, 1500uV Offset-Max, BIPolar, CDIP8, FRIT SEALED, CERDIP-8 Visit Rochester Electronics LLC Buy

    BSM 25 OP 120 Datasheets Context Search

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    25c diode

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    PDF BSM150GXR120DN2 25c diode

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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: Eupec Power Semiconductors 600v bsm igbtmodule BSM15
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXR120DN2

    Abstract: transistor t 270 transistor 600v transistor f 948 igbtmodule
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    PDF BSM150GXL120DN2 BSM150GXL120DN2 150 GXL 120 DN2 ,igbtmodule

    BSM150GXR120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXR120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXR 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    BSM150GXL120DN2

    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Module BSM 150 GXL 120 DN2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 75 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    4500a

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DLS vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 50 GD 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    Abstract: No abstract text available
    Text: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 100 GB 60 DLC vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage


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    4500a

    Abstract: transistor VCE 900V
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 400 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 400 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    4500a

    Abstract: GA170DL
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    IC350

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 200 GA 170 DLS 07.05.1998 BSM 200 GA 170 DLS vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung


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    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 50 GD 170 DL 118.11 94.5 119 121.5 99.9 4 x 19.05 = 76.2 3.81 19.05 18 19 1 2 3 4 17 5 6 7 3.81 16 8 9 15 10 11 12 1.15x1.0 15.24 5 x 15.24 =76.2 110 connections to be made externally


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    4500a

    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 300 GA 170 DL M6 28,5 22 23 ø6,4 16,1 13 2 3 24 20 29 93 106,4 2 1 5 3 07.05.1998 BSM 300 GA 170 DL vorläufige Daten Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties


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    Abstract: No abstract text available
    Text: European PowerSemiconductor and Electronics Company Marketing Information BSM 100 GB 170 DL 2,8 x 0,5 M6 22,5 22,5 22 ø6,4 16 6 7 1 2 3 28 28 93 20 5 4 106,4 6 7 1 3 5 2 4 23.04.1998 BSM 100 GB 170 DL vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values


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    bsm 25 op 120

    Abstract: BSM 204-A
    Text: SIEMENS BSM 35 GD 120 D2 IGBT Power Module Preliminary data • Power module • 3-phase full-bridge • Including fast free-wheel diodes • Package with insulated metal base plate Type VCE BSM 35 GD 120 D2 1200V 50A 'c Package Ordering Code SIXPACK 1 C67076-A2506-A17


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    PDF C67076-A2506-A17 bsm 25 op 120 BSM 204-A

    FP50R12KS4C

    Abstract: BSM35GP120G bsm 25 op 120
    Text: Power Integrated Modules PIM Type Power Integrated Modules PIM R e ctifie r D iodes < o m RthJC V A V rrm I frmsm K /W V V125°C V A Tc-80°C K/W 2,2 2,2 1600 1600 8 1,8 12 600 16 24 0,8 0,8 13,1 1600 1,2 1,2 13,1 600 0,8 13,1 10,5 BSM 10 GP 60 BSM 15 GP 60


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    PDF BSM100GP GP120G FP15R12KS4C FP25R12KS4C FP35R12KS4C FP50R12KS4C Tc-80 BSM35GP120G bsm 25 op 120

    BSM141

    Abstract: No abstract text available
    Text: SIEMENS SIMOPAC MOSFET Module VDS l0 ^ D S o n • • • • • • BSM 141 = 400 V = 60 A = 0.075 Q Power module Single switch N channel Enhancement mode Package with insulated metal base plate Circuit diagram: Fig . 1 a1) Type Ordering code BSM 141


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    PDF C67076-A1010-A2 BSM141