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FRM6756D

Abstract: FRM6756H FRM6756M FRM6756R 1E1A
Contextual Info: Radiation-Hardened MOSFETs FRM6756M, FRM6756D FRM6756R, FRM6756H File Number 2173 Radiation-Hardened N-Channel Power MOSFETs Radiation-Hardened to: 1 Megarad Si 2 x 1012 Neutrons 14 A, 100 V rDs(on) = 0.18 f i N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE Features: • Linear transfer characteristics

Contextual Info: f i H W S E M I C O N D U C T O R A R R HIP4081A IS 80V/2.5A Peak, High Frequency Full Bridge FET Driver March 1995 Description Features Independently Drives 4 N-Channel FET in Half Bridge or Full Bridge Configurations Bootstrap Supply Max Voltage to 95VDC

RELAY DE ESTADO SOLIDO

Abstract: reles ESTADO solido diodo potencia optoacoplador hoja de datos de diodo ANTENA transformador manual circuitos integrados circuitos integrados diodo silicio
Contextual Info: Ventajas de los Relés de Estado Sólido respecto a los Relés Electromecánicos AN 145 Hoja de aplicación 1. Introducción Muchos diseños electrónicos pueden aprovechar las mejores prestaciones de los relés de estado sólido SSR, Solid-State Relays en relación con los relés electromecánicos (EMR, Electro-Mechanical Relays) para

1N5160

Abstract: MAX 6438 GEO SEMICONDUCTORS 2N6058 transistor bf 175 2N3902 2N5696 1N5788 Germanium itt
Contextual Info: DEVICE INDEX Devices characterized in Volume II show the page reference only. Devices characterized in Volume I are referenced by volume and page number. DEVICE 1N5000 1N5001 1N5002 1N5003 1 N 5 1 3 9 .A 1 N 5 1 4 0 .A 1 N 5 1 4 1 .A 1 N 5 1 4 2 .A 1 N 5 1 4 3 .A