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2SA812 Abstract: 2SC1623 TC-5166 Contextual Info: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社	Original	2SA812 D17119JJ4V0DS M8E02 2SA812 2SC1623 TC-5166	PDF
2SA812 Abstract: TC-5166 2SC1623 TC-5166B TC516 2SC1623 marking Contextual Info: データ・シートシリコン・トランジスタ Silicon Transistor 2SA812 PNPエピタキシアル形シリコン・トランジスタ低周波増幅用特徴外形図（単位：mm） ○超小形外形であり，ハイブリッドIC用として最適です。	Original	2SA812 C11531J 2SC1623 D17119JJ4V0DS M8E02 2SA812 TC-5166 2SC1623 TC-5166B TC516 2SC1623 marking	PDF

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2SA812

Abstract: 2SC1623 TC-5166
Contextual Info: お客様各位カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジが合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

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2SA812

Abstract: TC-5166 2SC1623 TC-5166B TC516 2SC1623 marking
Contextual Info: データ・シートシリコン・トランジスタ Silicon Transistor 2SA812 PNPエピタキシアル形シリコン・トランジスタ低周波増幅用特徴外形図（単位：mm） ○超小形外形であり，ハイブリッドIC用として最適です。

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