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L2998 Abstract: LP2955 LP2998 M08A SSTL-18 Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文データシートをご確認ください。	Original	PDF	LP2998 SSTL-2SSTL-18 LP2998 SSTL-18 DS300269-02-JP L2998 LP2955 M08A SSTL-18
L2998 Abstract: LP2955 LP2998 M08A SSTL-18 SSTL-2 LP2998 psop Text: ご注意：この日本語データシートは参考資料として提供しており内容が最新でない場合があります。製品のご検討およびご採用に際しては、必ず最新の英文データシートをご確認ください。	Original	PDF	LP2998 SSTL-2SSTL-18 LP2998 SSTL-18 DS300269-02-JP L2998 LP2955 M08A SSTL-18 SSTL-2 LP2998 psop
MOC8204 Abstract: OPTO MOC8204 Text: GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION MOC8204 The MOC8204 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a high voltage, silicon, phototransistor detector in a standard 6-pin DIP package. It is designed for high voltage applications and	Original	PDF	MOC8204 MOC8204 DS300269 OPTO MOC8204
3 pin phototransistor Abstract: 4 pin phototransistor phototransistor 3 pin OPTO MOC8204 MOC8204 Text: GENERAL PURPOSE 6-PIN PHOTOTRANSISTOR OPTOCOUPLERS DESCRIPTION MOC8204 The MOC8204 device consists of a gallium arsenide infrared emitting diode optically coupled to a high voltage, silicon, phototransistor detector in a standard 6-pin DIP package. It is designed for high voltage applications and	Original	PDF	MOC8204 MOC8204 3 pin phototransistor 4 pin phototransistor phototransistor 3 pin OPTO MOC8204