F 840 H Search Results

Contextual Info: CAVITY BACKED SPIRAL ANTENNA The content of this specification may change without notification 1/30/2012 0.5~26.5GH z CBSA-520-L Freq. Range GHz 0.5-2 CBSA-520-R 0.5-2 RHCP -6 6 2:1 N-F 225 X 230 CBSA-840-L 0.8-4 LHCP -0 3 2:1 SMA-F 154 X 85 CBSA-840-R 0.8-4

Contextual Info: QFS-XXX-XX-XX-D-EM2-XXX-XX REVISION F No OF POS / 26 x .840[21.34]) + .600[15.24] REF DO NOT SCALE FROM THIS PRINT (No OF POS / 26) x .840[21.34]) + .210[5.33] REF .083 2.10 REF .108 2.73 25 EQ SPACES @ .0250[.635] (TYP) 02 "A" .320 8.13 REF "A" END OPTIONS

k 4110

Abstract: Q62702-P5073
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

barcode reader circuit

Abstract: barcode reader opto counter fototransistor led k 4110 transistor k 4110 GEOY6976
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm

k 4110

Abstract: GEOY6976 Q62702-P5073
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

INTER METALL

Abstract: ITT Industries sensor ITT Diac deutsche itt industries diac 20v eing UAA1001 Datenbuch halbleiterwerk diac itt
Contextual Info: ITT INTERMETALL H a lble iterw e rk der Deutsche ITT Industries GmbH D-78 Freiburg Hans-Bunte-Straße 19 Postfach 840 Telefon 0761 *5171 Telex 07-72716 Integrierte Schaltungen für die Konsumelektronik Datenbuch 1975/76 UAA1001 Daten fü r E ntw icklungsm uster

Contextual Info: A3S80-840 Diodes Varactor Diode Military/High-RelN Ct{Cj} Nom. F Junction Cap.840p C1/C2 Min. Capacitance Ratio V(RRM)(V) Rep.Pk.Rev. Voltage50 Q Factor Min.10k f(co) Min. (Hz) Cut-off freq. P(D) Max. (W) Semiconductor MaterialSilicon Package StyleChip

Contextual Info: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

MKS2 Series

Abstract: MCPBA4B100MC00MV00 wima supercap r MCPBA3B840MC00MV00 Almg3+3.3535
Contextual Info: D WIMA SuperCap MC-PB Double-Layer Capacitor Modules „Powerblock“ Based SuperCap C Cylindrical Cells Special Features General Data ˜ Storage capacitor modules with very high capacitance values from 12 F to 840 F and rated voltages from 14 VDC to 112 VDC

IC 3130

Abstract: 4110 P525 Q62702-P5250 GEOY6976
Contextual Info: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

IC 3130

Abstract: Q62702-P5250 of ic 3130 SFH3130F GEO06976 4110 opto
Contextual Info: Fotodarlington Transistor im Sidelooker-Gehäuse Photodarlington Transistor in Sidelooker-Package SFH 3130 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

DC Link Capacitor 1100 VDC design

Contextual Info: D WIMA SuperCap MC NEW k Double-Layer Capacitor Modules Based on SuperCap C Cylindrical Cells Special Features Powerb loc General Data ˜ Storage capacitor modules with very high capacitance values from 12 F to 840 F and rated voltages from 14 VDC to 112 VDC

GEO06976

Abstract: Q62702-P5073
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor with Daylight-Cutoff Filter SFH 3100 F Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 840 nm bis 1080 nm • Enge Empfangscharakteristik

Contextual Info: INTEGRATED FREQUENCY SYNTHESIZERS SPLL-F, SPLH-F & OPL SERIES ! New FIXED FREQUENCY FREQUENCY MHz 43.4 58.5 65.04 110.04 115 160 234 320 336 387 472.77 840 850 890 1000 1110 1139 1160 1250 1409 1550.4 1790 1855 1980 2000 2023.17 2249.8 2250 2491.75 3200

Contextual Info: INTEGRATED FREQUENCY SYNTHESIZERS SPLL-F, SPLH-F & OPL SERIES ! New FIXED FREQUENCY FREQUENCY MHz 43.4 58.5 65.04 110.04 115 160 234 320 336 387 472.77 840 850 890 1000 1110 1139 1160 1250 1409 1550.4 1790 1855 1980 2000 2023.17 2249.8 2250 2491.75 3200

Contextual Info: INTEGRATED FREQUENCY SYNTHESIZERS SPLL-F, SPLH-F & OPL SERIES ! New FIXED FREQUENCY FREQUENCY MHz 43.4 58.5 65.04 110.04 115 160 234 320 336 387 472.77 840 850 890 1000 1110 1139 1160 1250 1409 1550.4 1790 1855 1980 2000 2023.17 2249.8 2250 2491.75 3200

SPLH-30-4000F

Abstract: SPLH-2000F
Contextual Info: INTEGRATED FREQUENCY SYNTHESIZERS SPLL-F, SPLH-F & OPL SERIES FIXED FREQUENCY FREQUENCY MHz 43.4 58.5 65.04 110.04 115 160 234 320 336 387 472.77 840 850 890 1000 1110 1139 1160 1250 1409 1550.4 1790 1855 1980 2000 2023.17 2249.8 2250 2491.75 3200 4000 75

MSH8

Contextual Info: i f E M n s MSH-840 m Quad Simultaneous Sample-Hold with Multiplexer INNOVATION and EXCELLENCE FEATURES • 4 Simultaneous sample-holds • Internal 4-channel multiplexer • 775ns acquisition time 10V step to ±0.01% includes multiplexer • 2 Channels with optional X10 gain

Contextual Info: 534-60-865 Linear ICs Active Bandpass Filter status Tech. Filter Type Nominal Clock Frequency Hz f(cutoff) Maximum (Hz)890 Cutoff Freq (Min. Hz)840 Nom. Neg Supp Nom. Pos. Supp12 Minimum Operating Temp (øC)0 Maximum Operating Temp (øC)70 Package StyleModule

TXS-840

Abstract: Microphone Wireless transmitter TXS-800 TXS-842 FM MICROPHONE TXS-820HT ricevitore fm 5 pole xlr klud ricevitore
Contextual Info: EMPFÄNGER FÜR FUNKMIKROFONE RECEIVER FOR WIRELESS MICROPHONES RÉCEPTEUR POUR MICROPHONES SANS FIL RICEVITORE PER RADIOMICROFONI 863,05 MHz / 864,80 MHz TXS-800 TXS-802 TXS-840 TXS-842 Best.-Nr. 24.0830 Best.-Nr. 24.0840 Best.-Nr. 24.0850 Best.-Nr. 24.0860

Contextual Info: l i i f f r JT»?liir i r i LV t l j r t . » 1 1 j f K W È È G f w S & K T ii ^ 0 C o m m erc e D rive M o n tg o m eryville , PA 18936-1013 Tel: 215 631-9 840 SP1524 1 RF & MICROWAVE TRANSISTORS IFF/D ME APPLICATIONS * DESIGNED FOR HIGH POWER PULSE IFF,

Contextual Info: PART L E D COLOR NUMBER 551-0001-840 RED D I F F . 551-0001-841 Y E L L OW D I F F . 551-0001-842 GR E E N DIFF. LED ELECTRO-OPTICAL CHARACTERISTICS RED YELLOW P E A K F O R W A R D C U R R E N T 1 M s , 1 / 5 D U T Y l?0 80 120 mA POWER DISSIPATION 100

Q62702F1240

Abstract: f 840 h marking NC
Contextual Info: SIEMENS NPN Silicon RF Transistors BF 840 BF 841 • Suitable for com m on emitter R F, IF amplifiers • Low collector-base capacitance due to contact shield diffusion • Low output conductance Type Marking Ordering Code PinC 'onfigu •ation 1 2 3 Package1