FELDEFFEKT Search Results

CFY19-22

Abstract: CFY19 Dual-Gate* bf981 bf987
Contextual Info: "sIEMENS AKTIENGESELLSCHAF bOE I> • SEBSbDS DDS1M7M S34 «SIEfi 'T'dó'M SIEMENS Transistoren Transistors MOS Feldeffekt-Transistoren Type MOS Field-Effect Transistors Maximum Ratings Characteristics TA= 25° C ^ds V ¡d mA P,o. G ps mW dB ' * I' c' ' '

marking code IC .ftz

Abstract: SMX-1 BAKOM-92 on automatic door opener system FtZ MARKING CODE 14305 voltage regulator marking agb light sensor siemens KPY 10 Automatic voltage regulator siemens
Contextual Info: SMX-1 SIEMENS Beschreibung Description Das SMX-1 Modul ist ein auf Mikrowel­ lentechnologie basierender Bewegungs­ sensor. Die wesentlichen Bestandteile sind eine mit einem dielektrischen Resonator, einem GaAs Feldeffekttransistor und SiSchottkydioden bestückte Multilayerplatine,

MGF1502

Abstract: CFY18 CFY13 CFY19 siemens gaas fet cfy11 CFY18-23 CFY16 CFY11 CFY14 CF930
Contextual Info: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Mikrowelienbauelemente Analoge IS und N-Kanal-Feldeffekttransistoren auf Gallium-Arsenid-Basis Konvent, rechnoiog/e STATE-OF-THE-MT-T. Leuchtanzeigen, Faseropt. Komm., Bildverstärker u.a. Mikrowellentechn. Kfz-Elektronik

HF-transistoren

Contextual Info: Transistoren Transistors HF-Transistoren und MMICs MOS Feldeffekt-Transistoren RF-Transistors and MMICs MOS Field-Effect Transistors Type Maximum Ratings Characteristics TA = 25 °C ^DS V Gps dB Fat dB Id mA Aot mW Vqs V Id mA / MHz gts mS Package Lead Code

MMFTN123

Contextual Info: MMFTN123 MMFTN123 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1

Contextual Info: MMFTN3018W MMFTN3018W Silicon N-Channel MOS Field Effect Transistor Silizium N-Kanal MOS Feldeffekt-Transistor N N Version 2011-01-28 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: aktive elektronische bauelemente ddr SMY50 smy 51 Transistoren DDR information applikation elektronik DDR SMY52 ddr veb aktive elektronische
Contextual Info: eiecrronic M O S - Feldeffekttransistoren APPLIKATIONSBEISPIELE Änderungen, die den technischen Fortschritt dokumentieren, sind Vorbehalten. Kür die aufgefiihrten Schaltungen wird keine Gewähr bezüglich Patentfreiheit übernommen. Nachdruck, auch auszugsweise, Ist

MMFTN170

Abstract: "igss 10 na"
Contextual Info: MMFTN170 MMFTN170 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-01-28 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type

KN303

Abstract: n306a APM 2510 2SF100 C12S Scans-048 apm 2510 n KF190 silicium power transistor broadcas amplifier
Contextual Info: nOAEBblE TPAH3HCTOPBI FIELD-EFFECT TRANSISTORS FELDEFFEKTTRANSISTOR EN TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP IST 2 riEPEHEHb TPAH3MCTOPOB LIST OF TRANSISTORS TRANSISTORENLISTE LISTE DE TRANSISTORS Grp. Page Knioir-KmoiE 11 Kni03E-Kni03M Kni03EP-KTI103MP 15 KriC104A-KnC104XI .

MMFTN138

Abstract: DSS50V
Contextual Info: MMFTN138 MMFTN138 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Logikpegel Feldeffekt-Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-01-24 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1

MMBT7002

Abstract: mmbt7002 sot-23
Contextual Info: MMBT7002 MMBT7002 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor - Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 Power dissipation – Verlustleistung 1.1 2.9 ±0.1 0.4 Plastic case Kunststoffgehäuse 1 1.3±0.1 2.5 max 3 Type Code

Contextual Info: MMBT7002W MMBT7002W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-01 2 ±0.1 0.3 1 ±0.1 Type Code 1 1.25±0.1 2.1±0.1 3 2 1.3 Dimensions - Maße [mm] 1=G 2=S 3=D Power dissipation – Verlustleistung

2N7000

Abstract: 10D3
Contextual Info: 2N7000 2N7000 N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor N-Kanal Feldeffekt Transistor – Anreicherungstyp N N Version 2011-02-16 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 S GD 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 350 mW Plastic case Kunststoffgehäuse

MH1SS1

Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
Contextual Info: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik

Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9

Abstract: "Mikroelektronik" Heft meuselwitz Rema Toccata Tesla katalog Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft NF-Pegelmesser MV 73 mikroelektronik ddr
Contextual Info: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATIO N KID i R l M i Information-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des AM-Empfängerschalt Kreises A 244 D und des AM-FM-ZF-Verstärkers A 281 D Mikroelektronik Heft 5 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder lo it b e t n e b im v e b k o m b in a t m ik r o e le k t r o n ik

ecg semiconductors master replacement guide

Abstract: ecg master replacement guide mkl b32110 siemens mkp B32650 c945 p 331 ks transistor IC,MASTER master replacement guide Kennlinie KTY 10-6 siemens b32110 A2005 transistor
Contextual Info: Liebe Schuricht-Kunden, Ihre Zufriedenheit ist unser größtes Anliegen. Aus diesem Grunde versuchen wir, Ihnen Informationen und Ware stets zum richtigen Zeitpunkt verfügbar zu machen. Das gilt insbesondere auch für die Produkte der Siemens AG mit den drei

mpc555 die

Abstract: 82C251 PCM-995 MPC555 RTC-8563 ic 67a smd X1D53 Funkamateur rtc ic 8563 fram i2c
Contextual Info: phyCORE-MPC555 Hardware-Manual Ausgabe August 2001 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-MPC555 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das Fehlen der 

bts 425 l1

Abstract: ANPS039D PROFET TO-220SMD BTS550 BTS412A bts740 BTS432E2 BTS 740 s2 PROFET 60V 11A
Contextual Info: HL application note Dr. Alfons Graf Siemens AG, HL PS TM Hannes Estl Siemens AG, HL PS TM2 Sicherungsersatz mit PROFET Highside Leistungsschaltern Zusammenfassung: Die ursprünglich zum Selbstschutz in Smart Leistungsschalter integrierten Schutzfunktionen

siemens dioden

Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Contextual Info: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .

SKiip 83 EC 125 T1

Abstract: SKiiP 82 AC 12 T1 SKiiP 81 AN 15 T1 semikron SKHI 22 SPICE MODEL semikron skiip 32 nab 12 T7 SKiip 83 EC 12 1 T1 SKiiP 24 NAB 063 T12 skiip 83 ac 128 BUZ78 equivalent SKIIP 81 AC 12 I T1
Contextual Info: 0 Betriebsweise von Leistungshalbleitern Betriebsweise von Leistungshalbleitern 0.1 Elementare Schaltvorgänge Leistungshalbleiter arbeiten bis auf wenige Sonderanwendungen im Schalterbetrieb. Daraus resultieren grundlegende Prinzipien und Funktionsweisen, die in allen leistungselektronischen

of mosfet BUZ 384

Abstract: BUZ MOSFET thyristor capacitive discharge ignition tig welding transistor CF leistungstransistoren BUZ 338 SIEMENS MOSFET BUZ Ignition weld tig SIEMENS THYRISTOR
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information 1 Übersicht 1 Overview 1.1 SIPMOS-Leistungstransistoren 1.1 SIPMOS Power Transistors Leistungstransistoren im Bereich 50 V . 1000 V und 10 mΩ . 8 Ω Power transistors in the 50 V to 1000 V and 10 mΩ to 8 Ω range

smd-transistor DATA BOOK

Abstract: triac ansteuerung smd-transistor SMD transistors Relais datenblatt RGS 13 simple circuit diagram of electronic choke SITAC P-Channel Depletion Mode Field Effect Transistor SMD transistor Mo Siemens varistor family
Contextual Info: Technische Angaben Technical Information SIPMOS Kleinsignal-Bauelemente SIPMOS Small-Signal Components MOS-Transistoren im Bereich 50 V . 800 V und 40 mA . 3800 mA. IGBT: 1200 V; 2500 mA MOS transistors in the range of 50 V . 800 V and 40 mA . 3800 mA.

datenbuch

Abstract: DATA SHEET OF IGBT FREDFET leistungstransistoren datenbuch transistor
Contextual Info: Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters 1 Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode Anode

diode SY 192

Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Contextual Info: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«