GEMY6050 Search Results

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

OHRD1938

Abstract: sfh481-3
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

Q62702-P5302

Abstract: Q62702-P5303
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

OHLY0598

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

c 4883 A

Abstract: SFH 4881
Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 880 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (880 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4881 SFH 4883 SFH 4881 SFH 4883 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden

OHRD1938

Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 950 nm im TO-46-Gehäuse Infrared Emitter (950 nm) in TO-46 Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4811 SFH 4813 SFH 4811 SFH 4813 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden

Contextual Info: 2008-01-31 Infrared Emitter 950 nm in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (950 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4811, SFH 4813 SFH 4811 Features: SFH 4813 Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Cathode is electrically connected to the case

Contextual Info: 2008-02-25 Infrared Emitter 880 nm in TO-46 Package IR-Lumineszenzdiode (880 nm) im TO-46-Gehäuse Version 1.0 SFH 4883 SFH 4813 Features: Besondere Merkmale: • Fabricated in a liquid phase epitaxy process • Anode is electrically connected to the case