GERMANIUM TRANSISTOREN V Search Results

GERMANIUM TRANSISTOREN V Result Highlights (5)

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LM2917MX/NOPB		Texas Instruments	Frequency to Voltage Converter 14-SOIC -40 to 85
LM2907MX/NOPB		Texas Instruments	Frequency to Voltage Converter 14-SOIC -40 to 85
LM2917M/NOPB		Texas Instruments	Frequency to Voltage Converter 14-SOIC -40 to 85
LM2907M/NOPB		Texas Instruments	Frequency to Voltage Converter 14-SOIC -40 to 85
LM2917N-8/NOPB		Texas Instruments	Frequency to Voltage Converter 8-PDIP -40 to 85

GERMANIUM TRANSISTOREN V Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
DCA50e Abstract: DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren Text: DCA50e Komponenten-Analysator erweitert Hergestellt in Großbritannien. Peak Electronic Design Ltd. Atlas House, Kiln Lane, Harpur Ind. Est, Buxton, SK17 9JL, U.K. Einleitung Der DCA50e KomponentenAnalysator ist ein zukunftsweisendes Instrument, das eine Vielzahl von	Original	PDF	DCA50e DCA50e DCA50 germanium transistors NPN 6F22 MN1604 SK17 germanium transistoren
Asy transistor Abstract: ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48 Text: ASY48 A SY 70 PNP-Transistoren für Schalteranwendungen A S Y 48 und A S Y 70 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders	OCR Scan	PDF	Q60118-Y48- Q60118-Y48- Q60118-Y70- Q62901-B1 Asy transistor ASY 15 asy70 Asy 00 ASY48-V germanium transistor asy Q62901-B1 semix igbt GAL ASY50 ASY48
103MA Abstract: Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert Text: ACY 23 ACY 32 PIVIF’-Transistoren fü r NF-Vorstufen ACY 23 und ACY 32 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 1 A 3 DIN 41 871 TO-1 ähnl. . Die Anschlüsse sind vom Gehäuse elektrisch isoliert. Der Kollektoranschluß wird mit einem roten Punkt am Gehäuserand gekennzeichnet. Die Transistoren sind besonders	OCR Scan	PDF	Q60I03-Y23-E Q60I03-Y23-F Q60130-Y32-E Q60103-Y32-F Q62901-B1 /ACY32 101mA 103MA Q62901-B1 transistor ACY PNP Q60103-Y32-F ACY 23 V legiert
AUY 10 Abstract: AUY19 legiert Q62901-B11-A pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium Text: PNP-Transistoren für Schalteranw endungen bis 3 A A U Y 19 A U Y 20 A U Y 19, A U Y 20 sind legierte PNP-Germanium-Transistoren im Gehäuse 3 A 2 DIN 41872 T O -3 . Der Kollektor ist mit dem Gehäuse elektrisch verbunden. Die Transistoren sind besonders für den Einsatz als NF-Leistungsschalter geeignet.	OCR Scan	PDF	Q62901-B11-A Q62901-B13-B Q60120-Y19-C Q62901-B13-B Q60120-Y19-D Q62901-B11-A AUY19 Q60120-Y19-E Q60120-Y20-C Q60120-Y20-D AUY 10 legiert pnptransistor W130 AUY20V PNP-Germanium
UL224D30 Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15 Text: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen	OCR Scan	PDF
keramische Werke Hermsdorf Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur Text: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß spannung U a k IVI Durchlaß strom Sperr spannung lA K l m A l U k a \|V\| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr spannung jEä max. zuass. Durchlaß strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau	OCR Scan	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: information applikation mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik applikation heft VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft Text: r ï n i k a r ^ e l e l - c Information Applikation t e n a n î l - c m [ n r L ü ^ i s i î s t e k t e n a r i i k Information Applikation HEFT 3 4 : H A LBLEITER V EN TILE und LEISTU N GSELEKTRO N IK v»bmikrooloVtronîk.kartItebknefchtiBtfthnnddtf imvobNombinfttmitiroeloktronik	OCR Scan	PDF
GY 123 Abstract: SY 170 gd 241 c gd241c funkamateur sy 166 sy 164 VSF203 VSF200 SF 127 Text: Preisliste für Halbleiterbauelemente gültig ab 18. November 1969 Type EVP alt M ark EVP neu M ark Germanium- und Silizium-Gleichrichter GY 099 GY 100 GY 101 GY 102 GY 103 GY 104 GY 105 GY 109 GY 110 GY 111 GY 112 GY 113 GY 114 GY 115 GY 120 GY 121 GY 122	OCR Scan	PDF	GAZ14 GY 123 SY 170 gd 241 c gd241c funkamateur sy 166 sy 164 VSF203 VSF200 SF 127
bpx28 Abstract: Germanium diode OA 182 TAA920 fy sot 143 BSV57B AC187K BPW14 BF194 AD 161 BPX34 Text: Halbleiter TELE FUN KEN Übersicht Sem iconductor survey 1972/1973 B2/V.3.20/0872 D ie s e Liste soll die W ahl g ee ig n e te r H albleiter-Typen fü r die verschiedenen A n w en du ng szw ecke e rleich te rn . Z ur besseren Ü b e rs ic h t sind nur die w e se ntlich en D aten	OCR Scan	PDF
Halbleiterbauelemente DDR Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372 Text: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der	OCR Scan	PDF
a210k Abstract: Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D Text: INFORMATION APPLIKATIO N MIKROELEKTRONIK In fo r m a tio n - Applikation Die monolithisch integrierten N F-V erstärker A 210D A210K A211D Eigenschaften und ! Anwendung Mikroelektronik Heft 1 veb haîbîeîterwerk frankfurt/oder l e i t b e t r i e b im v e b k o m b i n a t m ik r o e le k t r o n ik	OCR Scan	PDF	A210K A211D Mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 A211D A209K VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR IC A211D
MP21E Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015 Text: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR	OCR Scan	PDF
2T6551 Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR Text: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"	OCR Scan	PDF