GS DIODEN Search Results

IRF9389

Contextual Info: IRF9389PbF N-CH 30 V DS R DS on max 27 Qg (typical) 6.8 HEXFET Power MOSFET P-CH -30 64 8.1 V S1 m nC N-CHANNEL MOSFET 1 8 D1 G1 2 7 D1 S2 3 6 D2 G2 4 5 D2 P-CHANNEL MOSFET ID (@TA = 25°C) 6.8 -4.6 A SO-8 Top View Applications l High and Low Side Switches for Inverter

A66762-A4013-A58

Abstract: leistungstransistoren Transistor Datenbuch halbleiter index transistor
Contextual Info: SIEM ENS 1 Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbole Symbols Begriffe A Anode C Kapazität; Kollektor Ciss Eingangskapazität Í oss Ausgangskapazität rss Rückwirkungskapazität CDS Drain-Source Kapazität ^ GD Gate-Drain Kapazität

FLUKE 105B SCOPEMETER SERIES 2

Abstract: FLUKE 105B Fluke 99B SCOPEMETER SCOPEMETER Fluke 105 fluke scopemeter pm 105 b Kabel RS 232C 105b SCOPEMETER Fluke 99B
Contextual Info: ScopeMeter Serie B ® Tragbares Digital-Speicheroszilloskop Die ScopeMeter der Serie B von Fluke sind leistungsfähige tragbare DigitalSpeicheroszilloskope, die weltweit von immer mehr Technikern unter harten Einsatzbedingungen benutzt werden. ● Mit einem handlichen Format und

U820 Diode

Abstract: 0555B TDB0555B Diode BAY 61 diode u820 TDB 0555B transistor a965 nf schaltungen darlington bd 645 P430-e11
Contextual Info: S IE M E N S Technische Mitteilung aus dem Bereich Bauelemente -io idun istechnik •Anwendungstechnik *Anwendung , wendungstechr idungstechnik -Anwendungstechnik •An ldt ' ' O idungstechnik *Anwendungstechnik *A 9ndi ' • ' Integrierter Fenster­ diskriminator TCA 965

siemens datenbuch

Contextual Info: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode

siemens dioden

Abstract: Transistor Datenbuch Siemens Halbleiterbauelemente A66762-A4013-A58 dioden siemens
Contextual Info: SIEMENS 1 Erläuterungen der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Symbole, Begriffe, Normen 1 Symbole und Begriffe der verwendeten Größen Symbols, Terms, Standards Symbols and Terms of Magnitudes Used Symbole Symbols Begriffe Terms A Anode

145816

Abstract: DIN EN 60352-5 164094 163297 bogen 30145 LPK2N48 057056 7001U nx101
Contextual Info: LU 10.16 • Schraubanschluß max. 10,0 mm2 „f“ LU 10.16/2 . 3 2 STI nx10.16 – 5.08 LU 10.16/2 . 3 Raster 10,16 mm 4 Lötstifte pro Pol Polzahl Typ Lötstiftlänge 3,2 mm 2 LU 10.16/2/90 3.2 GR 3 LU 10.16/3/90 3.2 GR andere Polzahlen auf Anfrage

Contextual Info: Buccaneer Ein vollständiges Produktangebot an abgedichteten runden Steckverbindern nach IP68, die so konstruiert sind, dass sie sichere Verbindungen unter rauhen und aggressiven Bedingungen bereitstellen. Das Produktangebot besteht aus Mini, Standard und

TEMPFET

Abstract: zenerdiode Leistungstransistor Minimal ca30-m
Contextual Info: S Der TEMPFET Temperature Protected FET Der TEMPFET ist ein n- oder p-Kanal Leistungs-MOSFET mit eingebautem Temperatursensor, hergestellt in Chip-on-Chip-Technologie. Er ist gegen Übertemperatur und Kurzschluß geschützt, wobei die starke Erwärmung des Leistungstransistors als Indikator für einen Kurzschluß herangezogen wird.

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: GAZ17 diode sy-250 "halbleiterwerk frankfurt" sal41 diode sy-170 SF 127 diode say17 Halbleiter-Bauelemente DDR SY 170
Contextual Info: eiecrronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenndaten der in der DD R gefertigten H albleiterbauelem ente. Die Kennwerte werden im allgem einen für eine Um gebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

veb mikroelektronik

Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d
Contextual Info: m io ß ^ r ^ e le k t e n a r iik Integrierte Schaltkreise CM OS - Logikbaureihe V4000 D Heft 1 Eigenschaften und Ein satzrich tlinien der C M O S - Logikbaureihe V 4000D veb mikroelekfcronik >karl m an« Brfurt im veb kombinat mikrooloktronik Inhaltsübersicht

KF 517

Abstract: transistor KF 517 Transistoren DDR service-mitteilungen KF517 transistor gt 322 b1 Ziphona bauelemente DDR servicemitteilungen KT326B
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN V E B IN D U ST R IE V E R T R IE B R U N D FU N K UND FE R N SE H E N piy!E§HÜ [r a d io -television] APRIL 1976 S5ITS 1-8 SHJLENBANDGERÄT "B 90” TESLA - .B 90" Zu den Importen bei Spulentonbandgeräten wird künftig auch das TESLA-Erzeugnis "B 90"

DL038D

Abstract: Scans-048 DL038 138A1 DSAGER00017 TGL DDR
Contextual Info: Vorläufige technische Daten In te rn a tion ale r V e rg le ich sty p : S N 74 L S 38 W 4 NA ND -Leistungsgatter mit offenem Kollektorausgang und je 2 Eingängen in L o w - Power-Schottky-Technologie Y - M jmessunqen in mm 14 13 12 ,j=L_e3L.CX^0 _0 _C1„£X„,

fluke 863

Abstract: Fluke 863 gmm Fluke 75 Multimeter IEC-1010-1 digital multimeter circuit FLUKE 75 Fluke 16 Multimeter multimeter 7217 Fluke 867B
Contextual Info: Serie 860 Graphical Multimeter Leistungsfähige Multimeter mit Graphik- und Protokollierungsmöglichkeiten Neu Echteffektiv CAT III-1000V Leistungsmerkmale 863 867B 32.000 32.000 Echteffektivwert-Messungen ● ● AutoDiode™ ● ● Hochohmiger Eingang

PM9080

Abstract: FLUKE 123 fluke bp120 FLUKE 23 Multimeter fluke 23 ITP120 HC120 spart 3 AC120 BB120
Contextual Info: Fluke 123 Industrielles ScopeMeter ® Schnelle und einfache Fehlersuche neu d n a Br CAT III-600V Echteffektiv Das Fluke ScopeMeter® 123 ist das ideale Hilfsmittel für die Fehlersuche an industriellen Anlagen, Instrumenten, Regelungs- und Stromversorgungssystemen. Hierbei

SIEMENS thyristor

Abstract: OPTOCOUPLER thyristor din 41 siemens OF IC 741 DIN 41 782 mos Turn-off Thyristor diode din
Contextual Info: Symbole, Begriffe, Normen Symbole und Begriffe der w ichtigsten Größen Symbole Begriffe C C,o Kapazität Optokoppler-Kapazität Eingang/Ausgang Eingangskapazität Ausgangskapazität Rückwirkkapazität Kapazität (Sensor/Source) Tastverhältnis/Tastgrad (D = i0/r )

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: BEL 639 transistor Sowjetische Halbleiter-Bauelemente KBC111 k4213 Germanium Transistor katalog radio fernsehen elektronik elektronik DDR KT904 KT372
Contextual Info: K a ta lo g sowjetischer H albleiterbauelem ente Si« linden im K a t a lo g t e il : Der hiermit unseren Lesern vorgelegte Katalog sowjetischer Transistoren, Dioden und integrierter Schaltkreise ist das Resultat enger Zusammen­ arbeit zwischen dem VEB Elektronikhandel Berlin und der Redaktion der

siemens dioden

Abstract: leistungstransistoren thyristor capacitive discharge ignition Leistungsdiode car ignition circuit diagram of mosfet BUZ 384 car ignition chip die npn transistor Siemens Halbleiter
Contextual Info: Technische Angaben Erläuterungen der Datenblattwerte Qualität und Zuverlässigkeit Technical Inform ation Explanation o f Data Sheet Parameters Q uality and R eliability SIEM ENS 1 Übersicht 1.1 SIPM OS-Leistungstransistoren Leistungstransistoren im Bereich 5 0 V .

kyx 28

Abstract: service-mitteilungen servicemitteilungen kyx 20 "halbleiterwerk frankfurt" rft servicemitteilung Heft 10 robotron Sonneberg "service-mitteilungen"
Contextual Info: SERVICE-MITTEILUNGEN 5 iradio -television I VEB INDUSTRIEVERTRIEB RUNOFUNK UNO FERNSEHEN le Ausgabe im S e it e 1987 1 - 6 Mitteilung aus dem VEB Phonotechnik Pirna / Zittau Neu im Angebot: Hi-Fi-Phonoautomat SP 3 9 3 0 1. Kurzcharakteristik Gestalterisch abgestimmt zur Hi-Fi-Anlage S 3930 vom VEB SternRadio Sonneberg.

gc 301

Abstract: selen-gleichrichter GAZ17 GY125 GD244 VEB M ik ro e le k tro n ik 04A657 ITT transistoren ga106 selen
Contextual Info: Erläuterung der Kurzzeichen von Halbleiterbauelem enten Transistoren B b C 1 15 C 22 b C 1h 2 i ä f h2 1o fT f F 1121 o | Il I2Tj| I E> Im o 11 • i>; o le n s IrKV Io Ic I K Bo In I d l^tot B ung Basisschaltung, Basis E in g an g sk ap azität MOS -FE T )

SDT06S60

Abstract: SPP11N60C3 A66762-A4013-A58 Datenbuch transistor book SIL00036 Transistor Datenbuch datenbuch dioden halbleiter datenbuch Explanation of Parameters Infineon 2002
Contextual Info: Explanation, V1.0, Apr. 2002 Explanation of Data Sheet Parameters Power Management & Supply N e v e r s t o p t h i n k i n g . Erläuterung der Datenblattwerte Explanation of Data Sheet Parameters Revision History: 2002-04 V1.0 Previous Version: Page Subjects major changes since last revision

MP21E

Abstract: sowjetische transistoren MP21D UdSSR KT904 ASZ16 KT315 OC1072 Transistoren DDR asz1015
Contextual Info: electronic Sowjetische Transistoren I n h a l t s v e r z e i c h n i s V o rw o rt K u rz c h a ra lc te rls tlk - G e rm a n iu n tra n s is to re n - S illz lu m tra n s ito re n S t a a t l i c h e r S ta n d a r d d e s S y ste m s f ü r d i e B e z e ic h n u n g d e r H a l b l e i t e r b a u e l e u e n t e d e r UdSSR

semikron sk 50 et 12

Abstract: CHN 346 IGBT CHN 633 diode Semikron Semitop sk 70 kq 12 CHN 709 Semikron sk 51 Semikron Semitop sk 70 kq um 3567 CHN 633 Diodes semikron sk 23 gd 063
Contextual Info: SEMITOP Cool Components SEMITOP® "Coole Alternative" Merkmale einer von SEMIKRON aufgebrachten Wärmeleitschicht bezo- • Niedriger Wärmewiderstand gen werden. Dabei entfällt für den SEMITOP verwendet die bewähr- Anwender die aufwendige und te DCB Keramik zur elektrischen

information applikation

Abstract: VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft 12 Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik heft applikation heft mikroelektronik applikation a4100
Contextual Info: u Information Applikation rik K|D se o Fififlkif^ii \k i il •' n r i r Information Applikation H e f t 4 6 : L B I S T U H Q 3 B L E K T R 0 H I K Bipolarer Leist ungschalttransistor T e i l 2 v b h a l iW t T w r f c fm kf urfc/odr imvibliomhinit mlhrortBlurBiii