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Contextual Info: 6 4 5 2 3 Rev • APPROVED: 1 Description AWO# Date 9/07/09 RELEASED Appr DATE:_ TITLE: I— 0 .0 2 4 [0 .6 0 ] 1.967 [4 9.95 ]— - .787 [20.00] — .787 [2 0 .0 0 ]— I — ~ — — .039 [1.00] .039 [1 .0 0] — .315 [8 .00 ] b— IM K IK IK IK IK IK IK IK IK I5

information applikation mikroelektronik

Abstract: information applikation A301D VEB mikroelektronik mikroelektronik applikation "halbleiterwerk frankfurt" Mikroelektronik Information Applikation "information applikation" mikroelektronik DDR Kombinat VEB A 301
Contextual Info: ' \ INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Information-Applikation Aufbau, E igenschaften und Anwendung d e s integrierten Initiator-S chaltkreises A 301 D M ik ro e le k tro n ik H e ft 2 veb halblelterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb K om binat m ik ro elek tro n ik

Contextual Info: 2 3 5 01,4 ± 0,1 ± ^ 3,5 Pos i t ion position — 9 , 6 8 ± 0 .05 0. 2 Y Y 12 - f — Kodierung 2 JiL JiL Jrd — • b — ■ 7 6 codi ng 2 -ii11-~i Ik - 11k- i Ik -iiIk - 41k - 11k - i Ik - iIk -~i Ik - 11 iilllllllll E 2 Re ihe' i_ n 0,5

Contextual Info: 2 5 3 0 1 , 4 ±0,1 21 ^ 3,5 Pos i \ ion position - f— d— • b— ■ 0. 2 9 , 6 8 ±0.05 Y Y 12 — 7 6 JiLJiLJr- Kod ie r ung 1 coding 1 -ii11-~i Ik - 11k- i Ik -iiIk - 41k - 11k - i Ik - iIk -~i Ik - 11 iilllllllll H 2 Re ihe' row i_n i_n 0,5

Contextual Info: 2 3 5 01,4 ±0,1 21 ^ 3,5 P o s i t i on position - f— d— • b— ■ 0. 2 9 , 6 8 ±0.05 Y 12 — 7 6 Y JiLJiLJr- ohne Kodierung /?o coding -ii11-~i Ik - 11k- i Ik -iiIk - 41k - 11k - i Ik - iIk -~i Ik - 11 iilllllllll H 2 Re i he' row i_n i_n

Contextual Info: 2 3 5 0 1 , 4 ±0,1 ± 3,5 Pos i \ i on posi ti on — 7 6 9,68 0. 2 ±0,05 Y 12 o c *0,1 -f — JiL JiL Jr * Kodierung 3 coding 3 d— • b— ■ -ii11-~i Ik - 11k- i Ik -iiIk - 41k - 11k - i Ik - iIk -~i Ik - 11 iilllllllll Re i he row kinked pins at both ends

Contextual Info: Evaluation Board and Circuit TB—42 •XI 50 Ohm > - -> E H & Q sj^ ÏK -X I C\2 H & Q • IK-IK— x IK- 50 Ohm < Schematic Diagram Notes: 1. SMA Female connectors. 2. PCB Material: Rogers R 04350 or equivalent, Dielectric C onstant= 3.5, Thickn ess=.030 inch.

Contextual Info: $%& && ' ! " % $ ' % " ! ' % $ " $ & ! A % % ! % ! + + , $ % ( " % ( / C ! ? + % ," % ! ! % % % # % ! + % $%& $%& B + B C ! B+ !> ( ! - #& ! % ! ! =7? " ( A % $%& $%& ( > . 6 ' C ! ? 6 " && % * 1 + % I)% ! J ) + % IK % J ) + % IK % J , !0 * 9 ;" #& # #

GZS15

Abstract: GZS16 HZ27PB HZ3.0P GZS11 GZS12 GZS13 GZS18 HZ4.7E GZS22
Contextual Info: u u u u w to TO to « w UJ M tu W W W U O J < co co oc so eo « - Í •CULO •« «: o «* o o o o ■< o cj «a: o o c_> «C w < ^ < ä ä s á s w m • “t»’'t* <\ -A ''t* ^ '1? sTs''t* >f\ 3; !xl!x!!xl!xitx! K I K I M M K I K IK IK IK IK I ta Œ S 53 ffi cp co B m cg

B083D

Abstract: u82720 A110D TDA4100 ub8830d V40511D taa981 A109D sy 710 IC 7447
Contextual Info: > i ! U O i j q > i a | a S [ ^ ] 0 [ y y H erstellerbetriebe Bei den einzelnen Erzeugnissen werden die Herstellerbetriebe durch die nachfolgend angegebenen Symbole gekennzeichnet: VEB M ik ro e le k tro n ik „K a rl M a r x “ Erfurt L e itb e tr ie b im VEB K o m b in a t M ik ro e le k tr o n ik

mikroelektronik Heft 12

Abstract: Mikroelektronik Information Applikation information applikation mikroelektronik information applikation applikation heft A302D Kombinat VEB A 902 Kombinat VEB A 281 mikroelektronik Heft VEB mikroelektronik
Contextual Info: m a tk a r ^ m ie le l- c te n o n ik Information Applikation Informations- und Applikationshefte „M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher erschienen: Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: 8: 9: A 210 und 211 A301 A 290 A202 A 244 und A 281

thermal conductive teflon

Contextual Info: Hola1 H A H Insulating caps and insolater sleeves Insulating caps different transistor flange levels will be compensated by the impressed sleeves B art. no. C IK 341 3 art. no. D IK 3 material pressed-in sleeves flammability polyamide, GF reinforced caps

LT 745 S

Contextual Info: Microminiature Circular - .0 5 0 " Contact Spacing M IK M /M IK Q , Shell Dimensions Continued M IKM (Rear Panel Mount Thickness .335 (8.51) max. - see Tabulation "T ") ATHD. Plug Receptacle A Thread D Max. L Max. Avg. Weight oz. (gm.) ± 5 % MIKM6-7P 5/i6-24UNF-2A

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
Contextual Info: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik

13E12

Contextual Info: n 4 THIS DRAWING IS UNPUBLISHED. 3 RELEASED FOR PUBLICATION LOC ALL RIGHTS RESERVED. COPYRIGHT DIST H BY TYCO ELECTRONICS CORPORATION. LTR SECTION A ACTION — PIN AREA n\ <— in — in /— in t — 1\ /— BSV BM in / — IN — ih t— ih — IK / — 1\ / — in t— IK

tda7560

Abstract: car mosfet audio amplifier diagram 45W car Audio Amplifier 4X45W A7560 4x55W 4x80W 45W Audio amplifier QUAD BRIDGE CAR RADIO AMPLIFIER Class AB AMPLIFIER 4W
Contextual Info: TDA7560 4 x 45W QUAD BRIDGE CAR RADIO AMPLIFIER PLUS HSD PROOUCT PREVIEW • SUPERIOR OUTPUT POWER CAPABILITY 4 * 50W/411 MAX 4 «45W /4U ElAJ 4 x 30W /4U @ 14.4V. IK H z. 10% 4 x 80W/212 MAX. 4 x77W /2lJ EIAJ 4 X55W /2U @ 14.4V. IK H z. 10% • EXCELLENT 2 il DRIVING CAPABILITY

Contextual Info: MICROCHIP TECHNOLOGY INC 25E D b l G 3 S Q l □ G Q t4Sñ7 ñ • "V m ^ -a -T T ? 85C72 M icrochip IK 128 x 8 CMOS Serial Electrically Erasable PROM DESCRIPTION FEATURES The Microchip Technology Inc. 85C72 Is a IK bit Elec­ trically Erasable PROM. The device is organized as 128

Contextual Info: H SD P 3 -P -2 .3 0 A Uniti nn 0. 6MAX = OJ ö in Ik - 0, 6MAX Apr,2000

Frankfurt Oder

Abstract: A110 DSAGER0007 Scans-048 frankfurt
Contextual Info: mm A110, B110 Integrierte bipolare Kom paratoren im DIL - Keram ik- bzw. Pia s tgehäuse mit einem D ifferenzeingang und einem mit allem L o g ik fo r­ men kom patiblen, niederohm igen Auagang für universelle Anw endung. A bm essungen in mm und AnschluBbeiegung :

mikroelektronik Heft 12

Abstract: SY 185 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 B260D information applikation keramische Werke Hermsdorf mikroelektronik Heft 10 VEB mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR
Contextual Info: li ii iff li i l •> ■! l l ■! *i n lil i KBD Information Applikation ANSTEUER­ SCHALTKREIS FÜR SCHALTNETZTEILE UND GLEICH­ SPANNUNGSWANDLER — R«ge verstarkm B 260 Informations- und Applikationshefte „M IK R O E LE K TR O N IK " Bisher erschienen:

tunnel diode detector

Abstract: Tunnel Diode
Contextual Info: jy&Cßm 7700 Series Tunnel Diode Detector Performance 1400 1200 1000 5t ks L )A D > 3t 800 / ik a I 600 IK lo ad I L DAD 1C Of -a 400 r kQ LOA ) - 1.0 2 8 1 _l o • if o oc 0 0 ^ »D 200 50ka D '"LOAD — < *-1 LU Y 44- * I * i i 18 FREQUENCY GHZ)

2T6551

Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft KD 605 KT825 transistoren KT 960 A Mikroelektronik Information Applikation KT827 mikroelektronik DDR
Contextual Info: im S l^ is B le l- c t s n o r iil- c Information Informations- und Applikationshefte „ M IK R O E L E K T R O N IK " Bisher ersch ien en : Heft Heft Heft Heft Heft Heft Heft 1: 2: 3: 4: 5: 6: 7: A 210 und 211 A 301 A 290 A 202 A 244 und A281 Importbauelem ente RGW „IS"

Contextual Info: 1103-XA, IK • 1103-1-XA, IK DESCRIPTION PIN CONFIGURATION The 1103 is designed for main memory applications where high performance, low cost and large bit storage are im portant design objectives. It is a 1024 word by 1 bit random access memory element using enhancement mode P-channel MOS devices integrated on a

27C220

Abstract: M27C210 271128
Contextual Info: INTEL CORP UP/PRPHLS !« *!, 2DE Q • I 4051=175 00Ölb75 3 ■ ¿ s iiy / m iN j iy ig u ik j ip iu j ik iu h j ä u ui^ irj M27C220 'T 4 U 3 .2 7 2M (128K x 16) WORD-W IDE HIGH-SPEED CM OS EPROM ■ JEDEC Approved EPROM Pinouts — 40-Pin DIP, Surface Mount