IT03218 Search Results

fw341

Abstract: D2004 W341
Contextual Info: FW341 Ordering number : ENN7922 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs FW341 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. Composite type with an N-channel MOSFET and a P-channel MOSFET driving from a 4V supply voltage

CPH5804

Abstract: MCH3312 SBS006M IT03222
Contextual Info: 注文コード No. N 6 9 8 0 CPH5804 No. N 6 9 8 0 62001 新 CPH5804 特長 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ

Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702 CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General Purpose Switching Device Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

CPH5821

Abstract: MCH3312 SBS004
Contextual Info: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 三洋半導体データシート N CPH5821 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。

CPH5852

Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0336-3
Contextual Info: CPH5852 注文コード No. N A 0 3 3 6 三洋半導体データシート N CPH5852 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）

CPH5854

Abstract: MCH3312 SB1003M3 A0516
Contextual Info: CPH5854 注文コード No. N A 0 5 1 6 三洋半導体データシート N CPH5854 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（MCH3312 とショットキバリアダイオード（SB1003M3）

diode N1004

Abstract: CPH5822 MCH3312 N1004 SBS010M
Contextual Info: CPH5822 Ordering number : ENN7702A CPH5822 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS010M)

Contextual Info: Ordering number : ENN6980 CPH5804 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode CPH5804 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2171

82306

Abstract: MCH3312 CPH5852 SB1003M3
Contextual Info: CPH5852 Ordering number : ENA0336 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5852 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),

CPH5821

Abstract: MCH3312 SBS004 marking qx
Contextual Info: CPH5821 Ordering number : ENN7701 CPH5821 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converter applications. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)

MCH3312

Abstract: CPH5854 SB1003M3 A05166 marking YG
Contextual Info: CPH5854 Ordering number : ENA0516 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5854 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type containing a P-Channel MOSFET MCH3312 and a Schottky Barrier Diode (SB1003M3),

N1004

Abstract: CPH5822 MCH3312 SBS010M cph58
Contextual Info: CPH5822 注文コード No. N 7 7 0 2 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No. N7702 とさしかえてください。 CPH5822 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

D2004

Abstract: fw341 W341
Contextual Info: FW341 注文コード No. N 7 9 2 2 三洋半導体データシート N FW341 N チャネルおよび P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。

77014

Abstract: CPH5821 MCH3312 SBS004
Contextual Info: CPH5821 注文コード No. N 7 7 0 1 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード CPH5821 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ