2SC5793
Abstract: No abstract text available
Text: 2SC5793 Ordering number : EN7451A SANYO Semiconductors DATA SHEET 2SC5793 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V .
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Original
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2SC5793
EN7451A
2SC5793
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IC 74173
Abstract: 2SC5933 74171
Text: Ordering number : ENN7417 2SC5933 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5933 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).
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Original
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ENN7417
2SC5933
2048B
2SC5933]
IC 74173
2SC5933
74171
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IC 74173
Abstract: 74171 N2503 2SC5933 N7417
Text: 注文コード No. N 7 4 1 7 2SC5933 No. N7417 N2503 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5933 特長 超高精細度 CRT ディスプレイ 水平偏向出力用 ・高速度である。 ・高耐圧である （VCBO=1600V）
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Original
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2SC5933
N7417
N2503
2048B
IT03589
IT03590
IT03581
IT03591
IC 74173
74171
N2503
2SC5933
N7417
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2SC5793
Abstract: N7451 74512
Text: 注文コード No. N 7 4 5 1 2SC5793 No. N7451 31504 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5793 特長 超高精細度 CRT ディスプレイ 水平偏向出力用 ・高速度である。 ・高耐圧である （VCBO=1600V）
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Original
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PDF
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2SC5793
N7451
IT03579
IT03580
IT03581
IT03582
2SC5793
N7451
74512
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PC525
Abstract: 2SC5794 74521 2174A
Text: 注文コード No. N 7 4 5 2 2SC5794 No. N7452 31504 新 NPN 三重拡散プレーナ形シリコントランジスタ 2SC5794 特長 超高精細度 CRT ディスプレイ 水平偏向出力用 ・高速度である。 ・高耐圧である （VCBO=1600V）
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Original
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PDF
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2SC5794
N7452
IT03589
IT03590
IT03581
IT03591
PC525
2SC5794
74521
2174A
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74171
Abstract: IC 74173 2SC5933
Text: Ordering number : ENN7417 2SC5933 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5933 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).
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Original
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PDF
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ENN7417
2SC5933
2048B
2SC5933]
74171
IC 74173
2SC5933
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2SC5794
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7452 2SC5794 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5794 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • Package Dimensions High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).
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Original
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PDF
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ENN7452
2SC5794
2SC5794]
2SC5794
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2SC5793
Abstract: US1080 74511
Text: Ordering number : ENN7451 2SC5793 NPN Triple Diffused Planar Silicon Transistor 2SC5793 Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Deflection Output Applications Features • • • • Package Dimensions High speed. High breakdown voltage VCBO=1600V . High reliability(Adoption of HVP process).
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Original
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ENN7451
2SC5793
2SC5793]
2SC5793
US1080
74511
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