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CPH5847 Abstract: 86-89-2 Text: CPH5847 注文コード No. N 8 6 8 9 三洋半導体データシート N CPH5847 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード汎用スイッチングデバイス特長・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ	Original	PDF	CPH5847 900mm2 82505PE TB-00001763 IT09559 IT09557 IT09556 ID00435 CPH5847 86-89-2
SS1003M3 Abstract: No abstract text available Text: SS1003M3 Ordering number : EN8372A SANYO Semiconductors DATA SHEET SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=1.0A, VF max=0.43V).	Original	PDF	SS1003M3 EN8372A SS1003M3
VR 100K Abstract: SS1003M3 ID00435 VR100K Text: SS1003M3 注文コード No. N 8 3 7 2 A 三洋半導体データシート半導体ニューズ No.N8372 をさしかえてください。 SS1003M3 ショットキバリアダイオード 30V1.0A 整流素子用途・スイッチングレギュレータ , コンバータ , チョッパ等の高周波回路整流用。	Original	PDF	SS1003M3 N8372 100mA, 72mm2 500mm 62797GI TB-00001532 IT09557 IT09559 VR 100K SS1003M3 ID00435 VR100K
SS1003M3 Abstract: No abstract text available Text: SS1003M3 Ordering number : ENN8372 SS1003M3 Schottky Barrier Diode 30V, 1.0A Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers . Features • • • Low switching noise. Low forward voltage (IF=0.35mA, VF max=0.43V).	Original	PDF	SS1003M3 ENN8372 SS1003M3
marking .xz Abstract: CPH5847 Text: CPH5847 Ordering number : EN8689 CPH5847 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package	Original	PDF	CPH5847 EN8689 marking .xz CPH5847