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    KOMBINAT MIKROELEKTRONIK Search Results

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    SF126

    Abstract: transistor SD335 SD349 SSY20 SF829 SD 338 SF826 mikroelektronik Berlin SD339 SD338
    Contextual Info: Der Kollektor ist mit der metallischen Montageflache leitend verbunden Uw e Beier Transistoren aus dem Kombinat Mikroelektronik electrónica • Band 245 UWE BEIER Transistoren aus dem Kombinat M ikroelektronik M ILITARVERLAG DER DEUTSCHEN DEM OKRATISCHEN


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    SSY20

    Abstract: SF828 VEB mikroelektronik funkamateur BUX 127 SF126 SF 127 SF128 SF826 SF 829 B
    Contextual Info: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation DDR-SiliziumTransistoren Typenübersicht Si-Transistoren des VEB Kombinat Mikroelektronik Grenzdaten Zonen­ Vorzugs­ anwendungen2 folge P,o, [mW, W ] Typ1 Kenndaten UcBO U ceO T • T * 1C , ACsat [V] [V] [mA, (A)] fiT3


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    A225D

    Abstract: A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt"
    Contextual Info: Inform ation Applikation K * D FTDDlknroeBlBl^lanariil^. Inform ation Applikation HEFT 24 ; A 225 D FM -ZF-VERSTÄRKER FT-1 VEBHalbleTterwerfeFfanWurt TOctert U E c im VEB Kombinat Mikroelektronik KSDj KAMM ER DER TECHNIK I Ißegirksvörstandfiankfurt/O. .Autor : Di.pl .-Ing*


    OCR Scan     		19S4- A225D A 225D applikation heft information applikation mikroelektronik meuselwitz VEB mikroelektronik Piezofilter DDR FM -piezofilter VEB Kombinat zf filter "halbleiterwerk frankfurt" PDF

    information applikation

    Abstract: U880D information applikation mikroelektronik Halbleiterbauelemente DDR "Mikroelektronik" Heft u880 mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik mikroelektronik information applikation mikroelektronik DDR
    Contextual Info: i« ¡ 2 Information Applikation t m f f i ^ o e l e k t s n o •/ Information Applikation n • Heft 30: HALBLEITERSPEICHER Teil 2 SRAM und DRAM v e b halbleiterw erk frankfurfc/odor KBD im veb Kombinat mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksverbond


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation applikation heft mikroelektronik Heft "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft 12 information applikation mikroelektronik "Mikroelektronik" Heft VEB mikroelektronik "information applikation"
    Contextual Info: m ffik a r ^ e le l-c b n a r iîl-c Information Applikation [ n nf l^ On i □ Information Applikation Heft : 3 7 Qualitätssicherung - Zuverlässigkeit veto halbtaMfcorwerk frankfurt/oder bateriabkn veb kombinat mikroelektrontk KAMMER PER TECHNIK Vorslond des Beiirkiverbondei


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: information applikation e435e information applikation mikroelektronik applikation heft fzl135 mikroelektronik Heft 12 D4803DC D718D "Mikroelektronik" Heft
    Contextual Info: Information Applikation Treiber IC aus dem HFO fr vrn" m m . . Information Applikation HEFT 53 NEUE TREIBERSCHALTKREISE v a b helbleifcerwerk F r a n k f u r t / o d e r botrwb im v«b kombinat mikroeloktranik | KAMMER DER TECHNIK i * » _ J Ebertusstraße 2, Frankfurt Oder


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    UL224D30

    Abstract: UB880D radio fernsehen elektronik selen-gleichrichter L6516DG15 selengleichrichter L224D U6516dg bauelemente Kombinat D74LS999DK U6516D L6516DG15
    Contextual Info: Typbezeichnung u nd K ennzeichnung von H alb le iterb a u e lem e n te n Dipl.-Ing. PETER H A N D R A C K Mitteilung aus dem V EB Kombinat Mikroelektronik Erfurt Ziel der Überarbeitung der TGL 38015 war es, sowohl die bei der A rbeit m it der beste­ henden Ausgabe gewonnenen Erfahrungen


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    veb mikroelektronik

    Abstract: information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d
    Contextual Info: m io ß ^ r ^ e le k t e n a r iik Integrierte Schaltkreise CM OS - Logikbaureihe V4000 D Heft 1 Eigenschaften und Ein satzrich tlinien der C M O S - Logikbaureihe V 4000D veb mikroelekfcronik >karl m an« Brfurt im veb kombinat mikrooloktronik Inhaltsübersicht


    OCR Scan     		V4000 4000D veb mikroelektronik information applikation mikroelektronik mikroelektronik Heft tesla schaltkreise DL000D "Mikroelektronik" Heft applikation heft Mikroelektronik Information Applikation information applikation b340d PDF

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: information applikation C520D mikroelektronik Heft mikroelektronik Heft 12 VQB71 Mikroelektronik Information Applikation VQE23 applikation heft Applikation Information
    Contextual Info: m O N in s ie la t K Information Applikation t a n a r il* INFORMATION APPLIKATION MIKROELEKTRONIK Heft 14: C 520 D 3-Digit-Analog/Digital-Wandler <?> veb H alb le ite rw e rk franlcfurt o d e r lejtb etrieb im veb kombinat mikroelektronik K A M M E R DER T E C H N I K


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    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: sy 170 diode sy-180 diode sy 171 10 diode sy-170 mikroelektronik DDR mikroelektronik Heft 12 VEB mikroelektronik SY 180 Applikation Information
    Contextual Info: m o ß ^ t s ie le l- c ia n o r ill- i Information Applikation INFORMATION A PPLIKA TIO N M IK R O E L E K T R O N IK Heft 16: L E IS T U N G S -E L E K T R O N IK II Bauelemente-Sortiment der DDR -Teil 1: Dioden- VEB GLEICHRICHTERWERK STAHNSDORF im VEB Kombinat Mikroelektronik


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    MH1SS1

    Abstract: TESLA mh 7400 MH 7404 mh 7400 tesla cdb 838 tda 7851 L 741PC TDB0124DP tda 4100 TDA 7851 A
    Contextual Info: m ö lk ^ o e le l-c te n a n il-c Information Applikation RGW Typenübersicht Vergleich Teil 2: RGW M iM U Z A U l KÉD lnrüÖC=SraO Information Applikation HEFT 50 RGW Typenübersicht + Vergleich Teil 2: RGW wob Halbleiterwerk Frankfurt /oder bt r iab im v«b kombinat mikrootektronik


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: MQE10 DL8640DC C41dc 4580d DS2510DC VEB Kombinat analoge schaltkreise VEB M ik ro e le k tro n ik c520d
    Contextual Info: Neuheiten Weiterentwicklungen 1989 veb kombinat mikroelektronik Inhaltsverzeichnis Analoge Schaltkreise für die Konsumgüterelektronik H e rs te lle A 4555 D M u lti s t a n d a r d d e k o d e r f ü r P A L , SE C A M u n d N T S C 3 A 4565 D S ig n a l v e r s t e i l e r u n g s - u n d V e r z ö g e r u n g s s c h a ltu n g


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    "halbleiterwerk frankfurt"

    Abstract: VEB mikroelektronik A220D mikroelektronik RFT rft mikroelektronik bauelemente Kombinat VEB Kombinat Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt
    Contextual Info: A 220 D M onolithisch integrierter FM - ZF - V erstärker und D em odulator vorzugsw eise fü r den Einsatz Im Ton - ZF - Teil von Fernseh­ geräten und als FM - ZF - V erstärker in R undfunkgeräten. Der S chaltkreis enthält einen sym m etrischen B reitbandverstär­


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    A283D

    Abstract: VEB mikroelektronik 455 KHz VEB Kombinat AM deMODULATOR Halbleiterwerk Frankfurt "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk mikroelektronik veb VEB Halbleiterwerk Frankfurt
    Contextual Info: A 283 D V orläufige technische Daten SinctLip-AH/?14-anpfäncer8Chal t t r o i s mit NP-Ijeietungsv o rsta rk e r fü r Hörrunafunkempfänger Abmessungen in am und AnachlußbeleKungi 22 3 .Z3*012j. 0.2S-QQ5 ¿5*0725 * AOO A2A3 TS 1* 13 12 77 IO 9 nnnffnnnn


    OCR Scan     		14-anpf A283D VEB mikroelektronik 455 KHz VEB Kombinat AM deMODULATOR Halbleiterwerk Frankfurt "halbleiterwerk frankfurt" halbleiterwerk mikroelektronik veb VEB Halbleiterwerk Frankfurt PDF

    VEB mikroelektronik

    Abstract: A273D halbleiterwerk "halbleiterwerk frankfurt" scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt frankfurt A273 halbleiterwerk frankfurt/oder
    Contextual Info: i5i£aiL Vorläufige A 273 D tech n i s c h e O e t e n I n t e g r i a r t a r S c h a l t k r e i s zur g l e i c h e p a n n u n g a g e s t s u a r t e n Lauts t ä r k e und S a l a n c a e l n a t e l l u n g für NF-Ste reosys teme • Xn V e r b i n d u n g mit e i n e r e n t s p r e c h e n d e n R C - A u ß e n b e s c h s l t u n g kenn


    OCR Scan     		25-OOS VEB mikroelektronik A273D halbleiterwerk "halbleiterwerk frankfurt" scans-048 Halbleiterwerk Frankfurt VEB Halbleiterwerk Frankfurt frankfurt A273 halbleiterwerk frankfurt/oder PDF

    scans-048

    Abstract: TGL24 and gatter T T L -S c h a ltk re ia d e r S ta n d a rd re ih e 4 AHD-Gatter DSAGER00019 d108d frankfurt 5u1l
    Contextual Info: U IUÖ u V o rlä u fig e te c h n is c h e D aten T T L -S c h a ltk re ia d e r S ta n d a rd re ih e 4 AHD-Gatter a i t je 2 Eingängen Abaesaunaen l n um und A nschlußbeleftungt a. w JiO.3 AOOA1A3 n 13 n Ti x 9 e r~ i o nnnn • urc=rtrj~ L Ju u u 1 2


    OCR Scan     		D08A2B0 D04A3B -12mA D04A4B0 rD108D 140/2/B1 scans-048 TGL24 and gatter T T L -S c h a ltk re ia d e r S ta n d a rd re ih e 4 AHD-Gatter DSAGER00019 d108d frankfurt 5u1l PDF

    B260D

    Abstract: VT1103 VEB mikroelektronik 3B260 mikroelektronik veb durchflusswandler VEB Kombinat B260 VEB Kombinat
    Contextual Info: B 260 D Integrierter Ansteuerschaltkreis für geregelte Sperrwandleruad Durchflußwandler - Schaltnetztoile Abmessungen in mm und Anschlußbolegung \\ / 0 .75' 0.2S too 5 AOO A2A3 16 73 7t 73 72 77 70 9 nnnnannn o LJ LJ CJ”CJ LJ LJ' IITTT 7 Z 3 + 5 6 7 Q


    OCR Scan     		7VO12VO- C8/12* B260D VT1103 VEB mikroelektronik 3B260 mikroelektronik veb durchflusswandler VEB Kombinat B260 VEB Kombinat PDF

    sd 347

    Abstract: VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr
    Contextual Info: FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation Silizium-npn- und -pnp-Leistungstransistoren in Epitaxie-Planar-Technologie A pplikationsschaltungen T G L 39125 H ersteller: V E B M ik ro e le k tro n ik „ A n n a S e g h e r s " N e u h a u s Kurzcharakteristik Grenzwerte im Betriebstemperaturbereich


    OCR Scan     		Anzugsmomentvon50. 80Ncm sd 347 VEB mikroelektronik Transistoren DDR sd 346 Funkamateur FUNKAMATEUR-Bauelementeinformation SD349 telefunken transistoren MIKROELEKTRONIK ERFURT aktive elektronische bauelemente ddr PDF

    Halbleiterbauelemente DDR

    Abstract: information applikation Transistoren DDR information applikation mikroelektronik VEB mikroelektronik Kombinat VEB A 281 "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik DDR
    Contextual Info: ErïrûDEko^^elel-cbnanikc Information Applikation BAUELEMENTE DER I LEISTUNGSELEKTRONIK 3 Autor: Ing. Lutz Ehrhardt, Stahnsdorf Redaktion und Layout: Ing. Lutz Ehrhardt Heinz Schulz Umschlag: Peter Hoffmann RedaktionsKommission: Heinz Schulz, Vorsitzender


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    A109d

    Abstract: Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik mikroelektronik DDR a211d B109D "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat zf filter VEB Kombinat halbleiterwerk
    Contextual Info: Halbleiter-Bauelemente Semiconductors 1981 D ie vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz- und Kenn daten der in der D D R gefertigten H albleiterbauelem ente. Dem Anw ender soll durch diese Übersicht die Auswahl d er jew eils in Frage kommenden


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft
    Contextual Info: m B Ik i^ ts je le l-c te n o r iil-c information Applikation m l^ o e le l-c fe n a riil-c Information Applikation H EFT 17 LEISTUNGSELEKTRONIK 4 Die sicheren A rbeitsbereiche Leistungsschalttransistoren VEB MIKROELEKTRONIK „VARLIIE8KNECHT“57AHNSDORP


    OCR Scan     		57AHNSDORP VEB mikroelektronik Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft 12 Radio Fernsehen Elektronik 1977 Heft 9 information applikation information applikation mikroelektronik mikroelektronik DDR Halbleiterbauelemente DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik Heft PDF

    information applikation mikroelektronik

    Abstract: mikroelektronik applikation applikation heft mikroelektronik DDR "halbleiterwerk frankfurt" VEB mikroelektronik A211D Mikroelektronik Information Applikation "Mikroelektronik" Heft valvo transistoren
    Contextual Info: INFORMATION MIKROELEKTRONIK APPLIKATION KBD FT Inform ation-Applikation Aufbau, Eigenschaften und Anwendung des integrierten Aufnahmeund W iedergabeverstärkerSchaltkreises A 202 D M ikroelektronik Heft 4 veb Halbleiterwerk frankfurt/oder le itb e trie b im veb kom binat m ikroelektronik


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    VEB mikroelektronik

    Abstract: "Mikroelektronik" Heft GWS servo VEB Kombinat zf filter lm 7803 3V Positive Voltage Regulator E355D "halbleiterwerk frankfurt" mikroelektronik Heft U706D VQB71
    Contextual Info: H albleiter-B auelem ente Semiconductors D ie vorliegend e Übersicht en th ält in g ed rä n g te r Form d ie wichtigsten G renz- und Kenn­ d aten d e r in d er D D R g efertigten H a lb le ite rb au e le m e n te . Dem A n w en der soll durch diese Übersicht die Auswahl der jew eils in Frage kom menden


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    A210k

    Abstract: A210D VEB mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt" A208d Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt VEB Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt
    Contextual Info: A 208 D,K A210D .K R F T _ Integrierter 3 W- und 6 W-NF -V er et ir ke r für den Einsetz in Rundfunk-, Fe rn ae h- und Phonogeröten bei Betr ie bs­ spannungen von 4 V . 20 V. Abmessungen in mm und A n e c h l u B b e l e g u n q ; 1 8,3 t Q J ZZ.5 7 5 10.725


    OCR Scan     		A210D A210k A210D VEB mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt" A208d Scans-048 halbleiterwerk Halbleiterwerk Frankfurt VEB Kombinat VEB Halbleiterwerk Frankfurt PDF