Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 3219 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 450 . 1150 nm • Package: TOPLED with Lens • Special: Suitable for all soldering methods • High linearity
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Opto Semiconductors 0.3 min 2.1 1.7 1.0 0.9 5.4 5.0 1.7 1.5 2.4 3.4 3.0 0.3 max 3.0 2.6 2.3 2.1 SFH 3211 SFH 3211 FA fpl06899 NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package 0.0.1 Cathode/Collector marking
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fpl06899
fplf6899
GPL06899
103ff.
169ff.
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.3211
Abstract: FA4 MARKING
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei
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Original
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phototransistor 650 nm
Abstract: Q62702-P1634 fototransistor led c 331 transistor transistor d 331 331 transistor
Text: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten Features
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Original
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Q62702-P1634
OHF01924
GPL06924
phototransistor 650 nm
Q62702-P1634
fototransistor led
c 331 transistor
transistor d 331
331 transistor
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Q62702-P1819
Abstract: 0083CA
Text: GaAlAs-IR-Lumineszensdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
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Original
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GPLY6965
Q62702-P1819
0083CA
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Q65110A2510
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 320 SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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Original
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SMT Multi TOPLED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender (635 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED®-Gehäuse Version 1.1 SFH 320, SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1150 nm SFH 320 , 750 nm . 1120 nm (SFH 320 FA)
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D-93055
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED® RG-Gehäuse Version 1.1 SFH 3211 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 750 . 1120 nm • Special: High linearity
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D-93055
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JEDEC J-STD-020B
Abstract: fototransistor led
Text: NPN-Silizium-Fototransistor in SMT-Gehäuse mit Linse Silicon NPN Phototransistor in SMT-Package with lens Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3219 Wesentliche Merkmale Features • TOPLED mit Linse • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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fototransistor led
Abstract: No abstract text available
Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode 880 nm und Si-Fototransistor GaAlAs-Infrared-Emitter (880 nm) and Si-Phototransistor Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 7221 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit IR-Sender (880 nm) und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED RG-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED® RG-Package SFH 3211 SFH 3211 FA SFH 3211 SFH 3211 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 3211 und bei
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fototransistor led
Abstract: GPL06965
Text: SMT Multi TOPLED SFH 7221 Vorläufige Daten / Preliminary Data 3.0 2.6 2.3 2.1 0.9 0.7 3 C A E 0.1 typ 1.1 0.5 3.4 3.0 C 3.7 3.3 2 2.4 0.8 0.6 2.1 1.7 1 4 0.18 0.12 Package marking 0.6 0.4 GPL06965 Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified.
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GPL06965
IPCE/IPCE25o
OHF00871
OHF01530
OHF00312
fototransistor led
GPL06965
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JEDEC J-STD-020d.01
Abstract: No abstract text available
Text: 2007-03-30 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED RG-Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED® RG-Gehäuse Version 1.0 SFH 3211 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 750 . 1120 nm • Special: High linearity • Available in groups
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D-93055
JEDEC J-STD-020d.01
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2010-08-18 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.0 SFH 3219 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 . 1150 nm • • • • • Spektraler Bereich der Fotoempfindlichkeit: 450 . 1150 nm • Gehäuse: TOPLED mit Linse
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D-93055
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Q65110A2741
Abstract: SFH7250
Text: 2012-08-17 GaAlAs-Infrared-Emitter 880 nm and Si-Phototransistor GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode (880 nm) und Si-Fototransistor Version 1.0 (not for new design) SFH 7221 Features: Besondere Merkmale: • Available on tape and reel • SMT package with IR emitter (880 nm) and
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D-93055
Q65110A2741
SFH7250
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OS-PCN-2006-015-A
Abstract: GEXY6710 OHLY0598 Q62702-P3596
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Not for new design (valid till DC0837, additional information see OS-PCN-2006-015-A) Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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DC0837,
OS-PCN-2006-015-A)
OS-PCN-2006-015-A
GEXY6710
OHLY0598
Q62702-P3596
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Q62702-P1610
Abstract: Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603 Q62702-P3604 OHF01121
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED-Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei
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transistor d 331
Abstract: D F 331 TRANSISTOR d 331 TRANSISTOR equivalent switching transistor 331 Q62702-P1634 phototransistor 650 nm phototransistor peak 550 nm transistor d 331 data c 331 transistor transistor C 331
Text: SMT Multi TOPLED SFH 331 Wesentliche Merkmale Features • SMT-Gehäuse mit rotem Sender 635 nm und Si-Fototransistor • Geeignet für SMT-Bestückung • Gegurtet lieferbar • Sender und Empfänger getrennt ansteuerbar • Geeignet für IR-Reflow Löten
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331-JK
Q62702-P1634
transistor d 331
D F 331 TRANSISTOR
d 331 TRANSISTOR equivalent
switching transistor 331
Q62702-P1634
phototransistor 650 nm
phototransistor peak 550 nm
transistor d 331 data
c 331 transistor
transistor C 331
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P3596
Abstract: GEXY6710 Q62702-P1673 Q62702-P3595 Q62702-P3596 Q62702-P874
Text: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 310 SFH 310 FA SFH 310 SFH 310 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 400 nm bis 1100 nm SFH 310 und bei 880 nm (SFH 310 FA) • Hohe Linearität
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Q62702-P874
P3596
GEXY6710
Q62702-P1673
Q62702-P3595
Q62702-P3596
Q62702-P874
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Q62702-P3604
Abstract: Q62702-P1610 Q62702-P1611 Q62702-P1614 Q62702-P1615 Q62702-P1638 Q62702-P1639 Q62702-P3603
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1150 nm SFH 325 und bei
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 2014-06-04 Silicon NPN Phototransistor in SMT TOPLED -Package NPN-Silizium-Fototransistor im SMT TOPLED ®-Gehäuse Version 1.2 SFH 320, SFH 320 FA SFH 320 SFH 320 FA / FAG Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 450 nm . 1150 nm SFH 320 , 750 nm . 1120 nm (SFH 320 FA)
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D-93055
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Abstract: No abstract text available
Text: NPN-Silizium-Fototransistor im SMT SIDELED -Gehäuse Silicon NPN Phototransistor in SMT SIDELED®-Package Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 325 SFH 325 FA SFH 325 SFH 325 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich
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