OHR01457 Search Results
OHR01457 Datasheets Context Search
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Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-Lumineszenzdiode 660 nm GaAIAs Light Emitting Diode (660 nm) SFH 464 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Features Wesentliche Merkmale • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IRAnteil |
OCR Scan |
Sam1998-07-15 SFH464 OHR01457 | |
opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800
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Original |
OHR01461 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 current sensor 7800 | |
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Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdiode GaAIAs Infrared Emitter 2.7 00.45 SFH 483 Chip position A CO 1 -; o o 3.6 ‘i 1.0 Anode LD 242, BPX 63, SFH 464 Cathode (SFH 483) Approx. weight 0.5 g IO C\J CO CO o M aße in mm, wenn nicht anders angegeben/D im ensions in mm, unless otherwise specified. |
OCR Scan |
OHR01457 | |
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Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • Hermetisch dichtes Metallgehäuse |
Original |
GETY6625 | |
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Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit |
Original |
E7800 Anwendungen2007-12-07 | |
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Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 gemäß OS-PCN-2009-021-A2 acc. to OS-PCN-2009-021-A2 Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung |
Original |
E7800 OS-PCN-2009-021-A2 OS-PCN-2009-021-A2 | |
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Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit |
Original |
E7800 Anwendungen2007-04-02 | |
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Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung |
Original |
E7800 | |
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Contextual Info: 2012-05-21 High Power Infrared Emitter 850 nm IR-Lumineszenzdiode (850 nm) mit hoher Ausgangsleistung Version 1.0 / acc. to: OS-PCN-2009-021-A2 SFH 4850 E7800 Features: Besondere Merkmale: • High Power Infrared LED • Anode is electrically connected to the case |
Original |
OS-PCN-2009-021-A2 E7800 OS-PCN-2009-021-A2 D-93055 | |
E7800
Abstract: GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das
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Original |
E7800 E7800 GETY6625 OHLY0598 measurement of humidity in das | |
SFH483ME7800
Abstract: SFH483-M sfh483m E7800 LME7800
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Original |
E7800 E7800 Q62703Q4755 SFH483ME7800 SFH483-M sfh483m LME7800 | |
BPX osram
Abstract: E7800
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Original |
E7800 Q62703-Q4755 BPX osram | |
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Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit |
Original |
E7800 Anwendungen2006-12-07 E7800 Q62703Q4755 | |
E7800
Abstract: GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641
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Original |
GET06625 fet06625 OHR01461 OHR01457 E7800 GET06625 Q62702-Q1745 sfh4641 | |
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din 40 040 gqg
Abstract: high power infrared LEd sfh4850e7800
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Original |
E7800 850nm din 40 040 gqg high power infrared LEd sfh4850e7800 | |
BPX osram
Abstract: E7800
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Original |
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Contextual Info: IR-Lumineszenzdiode 850 nm mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared Emitter (850 nm) Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung |
Original |
E7800 | |
opto 7800
Abstract: E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a
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Original |
SFH4881b OHR00948 GET06625 opto 7800 E7800 GET06625 7800 opto opto 7800 a | |
BPX osram
Abstract: E7800 GETY6625
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Original |
E7800 Q62703-Q4755 BPX osram GETY6625 | |
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Contextual Info: 2014-01-16 GaAlAs Light Emitting Diode 660 nm GaAlAs-Lumineszensdiode (660 nm) Version 1.1 SFH 464 E7800 Features: Besondere Merkmale: • Radiation without IR in the visible red range • Cathode is electrically connected to the case • • • • • Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne IR-Anteil |
Original |
E7800 D-93055 | |
7800 opto
Abstract: opto 7800 BPX osram E7800 GETY6625 Q62702-Q1745
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Original |
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A52 opto sensorContextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit |
Original |
E7800 E7800 Q62703Q4755 A52 opto sensor | |
LME7800Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 483 L/M E7800 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger |
Original |
E7800 LME7800 | |
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Contextual Info: Infrarot-LED mit hoher Ausgangsleistung High Power Infrared LED Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 4850 E7800 preliminary data / vorläufige Daten Wesentliche Merkmale Features • Infrarot LED mit hoher Ausgangsleistung • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden |
Original |
E7800 850nm 850nm | |