P 236 Search Results

AQW214

Abstract: AQW216AX AQW212 AQW215 AQW215A AQW210 AQW210A AQW212A AQW214A AQW216
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) GU 2a 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252 P.1129

1.0 ton ac

Abstract: c40400 400V 0,3A mosfet AQW414 AQW414A AQW414AX AQW414AZ P246
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) GU 2b 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252 P.1129

DC4060

Abstract: c40400 AQW254 AQW254A AQW254AX AQW254AZ
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) HE 2a 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252 P.1129

NMH1212D

Abstract: NMH0515S NMH0509S NMH0512D NMH0515 NMH0505D NMH0505S NMH0509D NMH0515D NMH2405D
Contextual Info: NMH SERIES Isolated 2W Dual Output DC-DC Converters features p Wide Temperature performance at full 2 Watt load, –40°C to 85°C p p p p p p p p p p p p p p p p p p Dual Output from a Single Input Rail Industry Standard Pinout Power Sharing on Output 1kVDC Isolation

D73FY4D1

Contextual Info: File Number D73FY4D1, D73FY4D2 2368 4-Ampere P-N-P Power Darlington Transistors TERMINAL DESIGNATION Features: O p e r a te s fro m 1C w ith o u t p r e d r iv e r m h FE M in . = 2 0 0 0 • C o m p le m e n ta r y to D 7 2 F Y 4 D 1 ,2 ■ TO-251AA The D73FY4D1 and D73FY4D2 silico n p-n -p power

AQY221R4VY

Abstract: p246 AQY221R4V AQY221R2VW 221R4 AQY221N2VY AQY221R2VY AQY221N2V AQY221N2VW AQY221R2V
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) RF SSOP CxR10 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 P.252 标准认证一览

AQY221N3V

Abstract: AQY221N3VW AQY221N3VY 5V n mosfet 80ma
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) RF SSOP CxR5 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 P.252 标准认证一览

5V n mosfet 80ma

Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) RF 对应RoHS SON CxR5 尺寸图 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 P.245 使用注意事项 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252

AQW654AX

Abstract: AQW654 AQW654A AQW654AZ
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) HE 1a1b 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252

AQW614

Abstract: AQW614A AQW614AX AQW614AZ
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) GU 1a1b 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252

AQY225R2VY

Abstract: 5V n mosfet 80ma AQY225R2V
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) RF SSOP CxR 尺寸图 对应RoHS 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 P.245 使用注意事项 应用电路示例 P.246 P.252 标准认证一览

AQY272

Abstract: AQY272A AQY274A AQY275A LED 10mA AQY272AX AQY274 AQY275 AQY275AX AQY277
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) PD 1a 尺寸图 对应RoHS VDE 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 标准认证一览 P.252

Contextual Info: PART NO. P P R -3 0 4 5 P P R -3 0 5 5 P P R -4 0 5 0 P P R -4 0 6 0 P P R -4 8 5 0 P P R -5 0 5 0 P P R -5 0 6 0 P P R -5 0 7 0 P P R -5 0 8 0 P P R -5 0 9 0 P P R -5 1 0 0 P P R -6 0 6 0 HOLE DIA. PANEL THICKNESS .122 3 .1 .161 (4 .1) .189 (4 .8) .201

Contextual Info: MCX7-P-P-X-ST-SM1 REVISION 0 DESIGNED & DIMENSIONED IN MILLIMETERS[INCHES] "A" DO NOT SCALE FROM THIS PRINT GENDER -P: PLUG TERMINATION -SM1: SURFACE MOUNT TYPE -P: PCB 6.000 .2362 REF ORIENTATION -ST: STRAIGHT PLATING SPECIFICATION -H: HEAVY GOLD (SEE TABLE 1)

Contextual Info: REVISION D DO NOT SCALE FROM THIS PRINT MCX-P-P-X-ST-TH2 DESIGNED & DIMENSIONED IN MILLIMETERS[INCHES] "A" GENDER -P: PLUG 6.000 .2362 REF TERMINATION -TH2: THROUGH HOLE TYPE -P: PCB ORIENTATION -ST: STRAIGHT PLATING SPECIFICATION -H: HEAVY GOLD (SEE TABLE 1)

D73F5T2

Contextual Info: File Number D73F5T1, D73F5T2 2367 5-Ampere Silicon P-N-P Power Transistors Features: TERMINAL DESIGNATION • Low Vce sat m Fast switching speed m Complementary to D72F5T1,2 The D73F5T1 and D73F5T2 silicon p-n-p power transistors are designed for high current switching applications. They

LP0801K1

Abstract: Diode SOT-23 Marking code B.V LP0801ND N mosfet sot-23 p mos sot23 MOSFET P-Channel sot-23 SS MARKING sot23 Diode SOT-23 marking 3V marking code SS SOT23 MOSFET DRIVER oni 350 SWITCH
Contextual Info: LP0801 ^ S u p e r ta x n i c . Low Threshold Preliminary P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET Ordering Information Order Number / Package BVDSS /' BV DGS p DS ON *D(ON) (max) (min) VGS(th) (max) TO-236AB* Dice P 8U * -16.5V 12.0Q -200mA -1.0V LP0801K1

fas216

Abstract: Emulex scsi differential Emulex scsi processor fas236 aar02 sdsi Emulex Corporation scsi FAS226 Emulex VLSI5100700
Contextual Info: Jf>R 3 0 W9Ï EMULEX EMU LEX MICRO DEVICES FAST ARCHITECTURE SCSI CHIP FAS216/226/236 * FEA TU R ES □ F o r H o st A p p licatio n s a n d 16-bit P e rip h e ra l A p p licatio n s □ S u p p o rts A N S I X 3T9.2 S C S I S ta n d a rd , w ith SC SI2 F a s t T im in g R e q u ire m e n ts

XT49S

Abstract: XT49U
Contextual Info: Packaging Specifications Vishay Dale Radial Lead Tape and Reel TAPE SPECIFICATIONS [Numbers in brackets indicate millimeters] A1 T A H1 .079 [2.0] H .236 [6.0] Min. H .028 [0.7] Cover Tape P P/N XT49S XT49U XTUM1 www.vishay.com 36 P A A1 H H1 P T .146 [3.7]

Contextual Info: JT/LJT insert availability and identification, alternate positioning JT 8-2 LJT 8-3 Hermetics Total Class Class Service ConSolder Crimp H Y* Rating tacts P M 2 9-6 X X X X 9-7 X 9-22 X 9-3 8-6 8-35 9-35 8-44 9-44 N/A P P X X P P P P X X X X P P P P P P P P

aqw612eha

Abstract: AQW612EH AQW610EH AQW610EHA AQW610EHAX AQW614EH AQW614EHA AQW614EHAX AQW612 AQW610EHAZ
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) GE 1a1b 尺寸图 VDE TESTING AQW610EH, 614EH 获得认证 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246

AQY412S

Abstract: 3.4 led AQY410SX AQY410SZ AQY410S AQY412SX AQY412SZ AQY414S AQY414SX AQY414SZ
Contextual Info: PhotoMOS MOSFET PhotoMOS MOSFET输出光电耦合器 输出光电耦合器) GU GU SOP1b(4脚型) 尺寸图 分类与电路构成 动作原理的说明 P.240 P.244 P.236 术语说明 使用注意事项 P.245 应用电路示例 P.246 TESTING VDE AQY410S, 414S

Contextual Info: JT/LJT insert availability and identification, alternate positioning Hermetics JT 8-2 LJT 8-3 Class Class Service Solder Crimp Rating H Y* P M 9-6 X X X X 9-7 X 9-22 X 9-3 8-6 8-35 9-35 9-44 P X X P P P P P P P P P P X 8-98 9-98 S X X X P P P* X X X 2 3 2

Contextual Info: D73F5T1, D73F5T2 File Number 2367 HARRIS SErilCOND SECTOR SbE D 43D2271 G04DflbE STS T -3 7 -/S 5-Ampere Silicon P-N-P Power Transistors TERMINAL DESIGNATION Features: • Low I / c e sat ■ Fast switching speed m Complementary to D72F5T1,2 The D73F5T1 and D73F5T2 silicon p-n-p power transistors