SFH 350 V Search Results

Contextual Info: SIEMENS Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range

fiber optic phototransistor

Abstract: detector 1100 nm SFH 350V phototransistor visible light SFH 350 V Q62702-P1033 Q62702-P264 IC for IR receiver
Contextual Info: Plastic Fiber Optic Phototransistor Detector Plastic Connector Housing SFH 350 SFH 350V Features • • • • • 2.2 mm aperture holds standard 1000 micron plastic fiber No fiber stripping required Good linearity Sensitive in visible and near IR range

GEOY6061

Abstract: SFH5130
Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode

sfh5130

Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode

GEOY6061

Abstract: SFH5130
Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm • Runde Fotodiode

Q62702-P5160

Abstract: SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics NPN-Silizium-Fototransistor mit Vλ-Charakteristik Version 1.1 SFH 3310 Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: typ 350 . 970 nm • Package: 3mm Radial (T 1), Epoxy

Contextual Info: Photodetektor mit Spannungsausgang Light to Voltage Converter Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 5130 Wesentliche Merkmale Features • Integrierter Fotodetektor mit linearem Spannungsausgang • Transparentes Plastikgehäuse mit 3 Pins • Hohe Empfindlichkeit von 350 nm bis 1100 nm

SFH 3410

Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

GEOY6028

Abstract: SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich Silicon NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

GEOY6028

Abstract: Q62702-P5160 SFH3410 SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm

GEO06314

Abstract: Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

GEOY6314

Abstract: Fotodiode tci 571 Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

SFH 3410

Abstract: Radian SFH3410-2
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

Fotodiode

Abstract: GEOY6314 Q62702-P936
Contextual Info: Silizium-PIN-Fotodiode mit sehr kurzer Schaltzeit Silicon PIN Photodiode With Very Short Switching Time SFH 216 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 1100 nm • Kurze Schaltzeit typ. 5 ns • Hermetisch dichte Metallbauform (TO-18)

Q65110A2655

Abstract: SFH 3410 Q65110A1211
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

sfh 3310

Abstract: 560nm GEOY6446 OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

GEOY6446

Abstract: OHLY0598 npn phototransistor 560nm
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3310 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepasst an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

SFH 3410

Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 940 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

D 3410 A

Abstract: Q65110A1211 fototransistor led J-STD-020B SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor mit Vλ Charakteristik Silicon NPN Phototransistor with Vλ Characteristics Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 3410 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit (Vλ)

GEO06028

Abstract: Q62702-P5160 phototransistor 550 nm SFH 3410
Contextual Info: NPN-Si-Fototransistor für den sichtbaren Spektralbereich im Smart-DIL-Geh. Si-NPN Phototransistor for the Visible Spectral Range in Smart-DIL Package SFH 3410 Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 350 nm bis 970 nm • Angepaßt an die Augenempfindlichkeit Vλ

OHRD1938

Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Kathode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an

Q62702-P922

Abstract: Q62702-P936 Q62702-P947
Contextual Info: Si-Fotodetektoren Silicon Photodetectors 5. Sehr schnelle PIN-Fotodioden 5. PIN Photodiodes for High-Speed Applications T. = 25 C Tk = 25DC Package 5.1 Type • vorher C formerly) <P Radiant sensitive area deg. mm2 b (X = 950 nm, E „ = 1 mW/cm2, l-p = 5 V)