SFH DIODE Search Results

transistor k 0247

Abstract: GPXY6992 9304 Fototransistor k 0247 9303 IC 0247 ic 4060 k 4110 sfh diode
Contextual Info: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale • Kompaktes Gehäuse • GaAs-IR-Sendediode 950 nm • Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter

p 628 Opto

Abstract: diode 9306 F 9301 DC sfh 1212 transistor k 4110 9306 9304 sfh diode Opto Interrupter slotted 9301
Contextual Info: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale • Kompaktes Gehäuse • GaAs-IR-Sendediode 950 nm • Si-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter

9301

Abstract: 9303 9306 k 0247 design opto interrupter
Contextual Info: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale Features • • • • • Compact type • GaAs infrared emitter 950 nm • Silicon phototransistor detector with

9301

Contextual Info: Gabellichtschranken Slotted Interrupters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 SFH 9301 SFH 9304 SFH 9302 SFH 9303 SFH 9306 Wesentliche Merkmale Features • • • • • Compact type • GaAs infrared emitter (950 nm)

Contextual Info: SIEMENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231 SFH 400) Chip position SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area o O) o CO o GE006314 2.7 Chip position 00.45 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401

diode SR 315

Abstract: BPX65 high sensitive
Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) Chip position (2.7) Cathode (SFH 480) Anode (SFH 216, SFH 231, SFH 400) SFH 480 SFH 481 SFH 482 Radiant Sensitive area L GE006314 o a > o (O o Approx. weight 0.5 g Anode = SFH 481

ovkd 01

Abstract: diode ovkd01 diode in 400
Contextual Info: Transmitting and Receiving Elements Receiving element SFH 203 P Fig.: SFH 203 P in diode socket LSTDL Type Description Fig.: SFH 203 P in diode socket LWMDL Fig.: SFH 203 P in diode socket OVKD 01 SFH 203 P PIN photo diode SFH 203 P is a planar silicon diode with a high cut-off frequency mounted

Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

BPX osram

Abstract: E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q2186
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale Features • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

diode SR 315

Abstract: sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667
Contextual Info: SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 fet06092 fet06091 fet06090 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537

Q62703-Q4752

Abstract: diode 482 diode SR 315 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1665 Q62703-Q1668 SFH480 Q62703Q1087
Contextual Info: GaAlAs-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 Wesentliche Merkmale • Hergestellt im Schmezepitaxieverfahren • Anode galvanisch mit dem Gehäuseboden verbunden • Hohe Zuverlässigkeit

Phototransistor SFH

Contextual Info: Opto Semiconductors Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302 SFH 9303, SFH 9304 SFH 9306 Vorläufige Daten / Preliminary Data 12.52 12.12 optical axis 6.68 6.28 11.0 10.6 0.6 0.4 2 2.54 Circuitry 3 SFH 9301 Emitter Sensor 1 4 GPX06992 fpx06992

transistor 415

Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

transistor k 4110

Abstract: foto sensor foto transistor 9304 F 9301 DC ic 4060 9301 q 1257 9303 diode 9306
Contextual Info: Gabellichtschranken Slotted Interrupters SFH 9301, SFH 9302, SFH 9303, SFH 9304, SFH 9306 Vorläufige Daten / Preliminary Data 12.57 12.07 optical axis 6.73 6.23 0.25 8.6 min. (2.8) 11.05 10.55 3.33 3.03 2.54 8.3 7.9 4 SFH 9301 2 Emitter Sensor 3 GPX06992

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

transistor 415

Abstract: MARKING 416 OPTO OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296 SFH 960
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

TRANSISTOR K 314

Abstract: foto transistor Q62702-P1668 Q62702-P1675
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität

SFH 314

Abstract: Q62702-P1668 Q62702-P1675 Q62702-P1755 Q62702-P1756 Q62702-P1757 Q62702-P1758 TRANSISTOR K 314
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform

opto P180

Abstract: P180 opto npn phototransistor sfh 309 foto transistor Q62702-P999 transistor 309 Q62702-P178 Q62702-P180 Q62702-P859 Q62702-P941
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm SFH 309 und bei 880 nm (SFH 309 FA) • Hohe Linearität

SIEMENS Phototransistors BPY

Abstract: 2108a siemens dioden SFH-506 SFH100 BPW21 300FA 2108 A SFH 314 SFH-10
Contextual Info: Silicon Photodetectors Si-Fotodetektoren Summary of Types Typenübersicht 1. Integrierter Empfänger Integrated Receiver 2. Fototransistoren Phototransistors ♦ SFH 506 BPX 81 3. SFH 300/FA SFH 313/FA SFH 314/FA BP 103 SFH 302 SFH 305 BPX 83 BP 104 F BPW 34 FA

SFH 309 FA

Abstract: SFH 309-3/4
Contextual Info: 2014-01-14 Silicon NPN Phototransistor NPN-Silizium-Fototransistor Version 1.1 SFH 309, SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Features: Besondere Merkmale: • Spectral range of sensitivity: 380 nm . 1180 nm SFH 309 , 880 nm.1120 nm (SFH 309 FA) • • • •

diode BY 309

Abstract: SFH 309-3/4
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 309 SFH 309 FA SFH 309 SFH 309 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 380 nm bis 1180 nm (SFH 309) und bei 880 nm (SFH 309 FA)

transistor 313

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 313 SFH 313 FA SFH 313 SFH 313 FA Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm (SFH 313) und bei 880 nm (SFH 313 FA)

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Silicon NPN Phototransistor SFH 314 SFH 314 FA SFH 314 SFH 314 FA Wesentliche Merkmale • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 460 nm bis 1080 nm SFH 314 und bei 880 nm (SFH 314 FA) • Hohe Linearität • 5 mm-Plastikbauform