SILIZIUM DIODE Search Results

sfh siemens

Abstract: npn phototransistor sfh 309 380nm SFH 309
Contextual Info: SIEMENS NPN-Silizium-Fototransistor NPN-Silizium-Fototransistor mit Tageslichtsperrfilter Silicon NPN Phototransistor Silicon NPN Phototransistor with Daylight Filter SFH 309 SFH 309 F Area not flat 4,5t-” Collector Transistor Cathode (Diode) 'Chip position

Diode BAW 62

Abstract: oszillograf 7x7x1 DIODE S45 Q68000-A1185-F1 99A7 01JE Diode BAW 99 500F2
Contextual Info: Silizium-Planar-Doppeldiode BAV99 Die epitaktische Silizium-Planar-Doppeldiode B A V 99 bestehend aus zwei in Reihe geschal­ teten Einzeldioden. Die Diode im Kunststoffgehäuse 23 A3 DIN 41 869 S O T -2 3 , findet Anwendung als schneller Schalter speziell für Dünn- und Dickfilmschaltungen. Der Typ

k 518

Contextual Info: Silizium -Planar-Kapazitätsdiode B B Y 30 BBY 30 ist eine planare Silizium-Kapazitätsdiode im Gehäuse 51 A2 DIN 41880 D O -7 , welche besonders für Anwendungen im unteren VHF-Bereich geeignet ist. Kathode Typ B este lln u m m e r BBY 30 Q 62702-B 44

Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30

Contextual Info: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-07-30

Contextual Info: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-08-18

Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2014-08-18

50K22

Contextual Info: BYZ 50A22 . BYZ 50A37 BYZ 50K22 . BYZ 50K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Power dissipation – Verlustleistung 50 W Breakdown voltage

BZ102

Abstract: TFK U 217 B bz102-2v8 5V stabilisator f 102 TFK 19 001
Contextual Info: BZ 102/. Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm Normgehäuse

BYZ50A22

Abstract: BYZ50A27 BYZ50A33 BYZ50A39 BYZ50A47 BYZ50K22 BYZ50K27 BYZ50K33 BYZ50K47
Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 BYZ50A22 . BYZ50A47, BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04

load-dump

Abstract: BYZ35A22 BYZ35A27 BYZ35A33 BYZ35A39 BYZ35A47 BYZ35K22 BYZ35K27 BYZ35K33 BYZ35K47
Contextual Info: BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 BYZ35A22 . BYZ35A47, BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon-Protectifiers with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2009-05-04

Contextual Info: FE2A . FE2G FE2A . FE2G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-10-15 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.05 50.400 V Plastic case

Contextual Info: BYZ50A22 . BYZ50A47 BYZ50K22 . BYZ50K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Version 2004-10-01 Nominal current Nennstrom Ø 12.75 50 A Ø 11 ±0.1

Contextual Info: FE1A . FE1G FE1A . FE1G Superfast Switching Silicon-Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2013-10-15 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ±0.05 50.400 V Plastic case

BZY87

Abstract: bzy 150 5V stabilisator BZY 100 74127 H7 RF bzy 50 bzy 130
Contextual Info: BZY 87/. 'W Silizium-Diffusions-Stabilisator-Dioden Silicon diffusion voltage stabilising diodes Anwendungen: Spannungsstabilisierung und Spannungsbegrenzung Applications: Voltage stabilisation and voltage regulation Abmessungen in mm Dimensions in mm 0 2 .6

35K37

Abstract: BYZ50A32
Contextual Info: BYZ 35A22 . BYZ 35A37 BYZ 35K22 . BYZ 35K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Breakdown voltage Abbruch-Spannung

Contextual Info: BYZ35A22 . BYZ35A47 BYZ35K22 . BYZ35K47 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Version 2004-10-01 Nominal current Nennstrom Ø 12.75 35 A Ø 11 ±0.1

Contextual Info: SUF4001 . SUF4007 SUF4001 . SUF4007 Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2012-04-02 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung

P600

Contextual Info: FE6A . FE6G FE6A . FE6G Superfast Switching Silicon Rectifier Diodes Superschnelle Silizium-Gleichrichterdioden Version 2005-11-08s Nominal current Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Type Ø 1.2 50.400 V

SUF4002

Abstract: SUF4005 DO-213AB SUF4001 SUF4003 SUF4004 SUF4006 SUF4007
Contextual Info: SUF4001 . SUF4007 SUF4001 . SUF4007 Ultrafast Switching Surface Mount Silicon Rectifier Diodes Ultraschnelle Silizium-Gleichrichterdioden für die Oberflächenmontage Version 2006-04-19 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung

35a3

Abstract: 35A32 35A26 35K37
Contextual Info: BYZ 35A22 . BYZ 35A37 BYZ 35K22 . BYZ 35K37 Silicon Protectifiers with TVS characteristics High-temperature diodes Silizium Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaften Hochtemperaturdioden Nominal current – Nennstrom 35 A Breakdown voltage Abbruch-Spannung

PX1500J

Abstract: px1500
Contextual Info: PX1500A . PX1500M PX1500A . PX1500M Silicon Rectifier Diodes – Silizium-Gleichrichterdioden Version 2012-10-01 Nominal current Nennstrom ±0.1 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50.1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: elektronik DDR Leistungsdiode Halbleiter-Bauelemente DDR Hallgenerator CSSR silizium diode
Contextual Info: Tunneldiode HF-Transistor Diode Kapazitätsdiode NF-Transistor NF-Leistungstransistor Ptot >1W Bauelement 2.Element Hall-Feldsonde CSSR: Silizium Hall-Generator CSSR: Galliumarsenidphosphid HF-Leistungstransistor Hall-Generator DDR: MIS-Transistor strahlungsempfindliches

n4007

Abstract: LN4004 IN4007 n 4007 LN4005 ln4001 IN4003 74350 IN 4007 n 4002
Contextual Info: V 1 N4001 * 1 N4007 Silizium-Diffusions-Dioden Silicon diffusion diodes Anwendungen: Gleichrichter Applications: Rectifier Abmessungen In mm Dimensions in mm r »3,1 Absolute Grenzdaten Absolute maximum ratings Sperrspannung, periodische Spitzensperrspannung