SMD GLASS DIODEN Search Results

marking SH SOT23

Abstract: smd marking 619 BB505B smd marking bb marking 12 SOD123 SOD-123 BB801 BB409 BA 811 SIEMENS marking
Contextual Info: SIEMENS AKTIEN 6E SEL LSCHAF 47E D 0235bDS OOebBST T « S I E G NF-Dioden / AF Diodes PIN Diodes Glass Package Type Max. ratine3s 1/r h mA V Marking Fig. nX 50 150 < 50 0.55 1 < 40 100 < 1 DO-35 DHD - 2 20 o 0.92 0.28 1 1 < 0.7 22 100 100 < 1 < 1.1 SOD-123

Diode BAV 19

Contextual Info: BAV 18.BA V 21 Si-Allzweck-Dioden Small Signal Si-Diodes 200 mA Nominal current Nennstrom 50.200 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ecu ar ffÛX. 01.9 5£ 'f; nax. Svo - h“ 0.56 £ftJ Dimensions / Maße in mm DO-35 Glass case

Diode 4148 MINIMELF

Contextual Info: LL 4148, LL 4150, LL 4151, LL 4448, Si-Allzweck-Dioden für die Oberflächenmontage Surface Mount Small Signal Si-Diodes 150 niA Nominal current Nennstrom 50. 100 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung SOD-80 Glass case MiniMELF

Contextual Info: IN 4148, IN 4150, IN 4151, IN 4448, Small Signal Si-Diodes Si-Allzwech-Dioden Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung .ÇsO Ct V J 5 0 . ,100 V H Hrgl9 j £ 150 mA nox, Cvo EM Glass case Glasgehäuse DO-35

smd glass dioden

Contextual Info: ZMM 1.ZMM 51 500 mW Silizium-Z-Dioden für die Oberflächenmontage Surface mount Silicon-Z-Diodes Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung 0.75.51 V Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ±5% Glass case MiniMELF Glasgehäuse MiniMELF

Zener ZPD

Abstract: zpd diode zener diode zpd 6 diode u2 a05 zpd 6.2 zener zpd1-zpd51 MW1 SMD diode MINImelf zener diode smd ZPD47 Zener ZPD 3.3
Contextual Info: ZPD 1.ZPD 51 500 mW Silizium-Z-Dioden Silicon-Z-Diodes 0.75.51 V Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung ±5% Tolerance of zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ECU mox. h j - . , . n ax . ÇvO - K 0.56 DO-35 Glass case Glasgehäuse 0.13 g

Contextual Info: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 1.9 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 15 mA DO-35

LL101B

Abstract: LL101C SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
Contextual Info: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35

SOD-27

Abstract: LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C
Contextual Info: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Si-Schottky-Barrier Diodes Si-Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA

Contextual Info: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Si-Schottky-Barrier Diodes Si-Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA

glass dioden smd

Contextual Info: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2012-07-03 Nominal current Nennstrom 15 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.9 62.5 Glass case Glasgehäuse ~ DO-35 ~ SOD-27 Weight approx.

SMD Dioden

Abstract: LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
Contextual Info: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35

Contextual Info: DAF 811 A /K . DAF 814 A/K Fast Switching Diode Arrays Schnelle Dioden Sätze Nominal power dissipation Verlustleistung 1-1 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Glasgehäuse 100.400 V 24 x 3 x 5.1 [mm] Weight approx.

Contextual Info: DA 811 A /K . DA 8110 A/K Diode Arrays Dioden Sätze Nominal power dissipation Verlustleistung 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Glasgehäuse 100. 1000 V 24 x 3 x 5.1 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 0,6 g

Contextual Info: 1 N 5345 B.1 N 5388 B 5 W Silizium-Leistungs-Z-Dioden Silicon-Power-Z-Diodes Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung 8.7.200 V Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ±5% /4 .5 " Plastic case KunststofFgehäuse ~ D0-201 Weight approx.

199015 ELU

Abstract: diodes 6 pattes fuse 179120 179020 AC250 D-44143
Contextual Info: GeräteSchutzSicherungen Miniature and sub-miniature Fuses Fusibles miniatures et subminiatures ELU Elektro-Union GmbH Elektrotechnische Fabrik Inselstrasse 18 D-44143 Dortmund Federal Republic of Germany Telefon +49 231 55 70 30-0 Telefax +49 231 55 70 30-9

VERPACKUNGSVORSCHRIFT

Contextual Info: RA 2505.RA 2510 Si-Gleichrichterzellen in Button-Bauform Silicon Rectifier Button-Cell m 25 A Nominal current Nennstrom =a 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung tr Plastic case, coloured metal ring indicates cathode

Contextual Info: BV 4, BV 6 Si-Hochspannungs-Gleichrichter High Voltage Si-Rectifier 50 mA Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3 000. 5 000 V Plastic case Kunststoffgehäuse D O -15 Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0

Contextual Info: AG 3A .M Silicon Rectifier Cell Silizium-Gleichrichterzellen Nominal current Nennstrom 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50.1000 V Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung

Contextual Info: Silicon Rectifier Cell Silizium-Gleichrichterzellen Nominal current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung Weight approx.

STS Bv 1500

Contextual Info: BV 8, BV 12, BV 16 High Voltage Si-Rectifier Si-Hochspannungs-Gleichrichter Nominal current Nennstrom 350 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 7000. 15000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 6.3 x 21 [mm] Weight approx. Gewicht ca.

Contextual Info: AG 6A .M Silizium-Gleichrichterzellen Silicon Rectifier Ceti 6A Nominal current Nennstrom Polysiloxan •05.2 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung r cu Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung

VERPACKUNGSVORSCHRIFT

Abstract: by6000 Bauelemente
Contextual Info: BY 4000.BY 8000 Si-Hochspannungs- Gleichrichter High Voltage Si-Rectifier 1.5.0.7 A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3000.7000 V Plastic case Kunststoffgehäuse -D O -2 0 1 Weight approx. Gewicht ca.

Contextual Info: DB 15-005.-16 Dreiphasen-Si-Briickengleichrichter 3-Phase Si-Bridge Rectifiers 15 A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 5 0 .1600 V Plastic case with Al-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden 28.5 x 28.5 x 10 [mm]