Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Ø 1.9 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 15 mA DO-35
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Original
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SD101B
SD101C
DO-35
OD-27
LL101B.
LL101C
SD101C
SD101B
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LL101B
Abstract: LL101C SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2010-12-06 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.50 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35
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Original
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SD101B
SD101C
DO-35
OD-27
LL101B.
LL101C
LL101B
LL101C
SD101B
SD101C
SMD Schottky Dioden
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SOD-27
Abstract: LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C
Text: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Si-Schottky-Barrier Diodes Si-Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA
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Original
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SD101A
SD101C
DO-35
OD-27
LL101A.
LL101C
SOD-27
LL101A
LL101C
SD101A
SD101B
SD101C
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Si-Schottky-Barrier Diodes Si-Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA
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Original
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SD101A
SD101C
DO-35
OD-27
LL101A.
LL101C
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glass dioden smd
Abstract: No abstract text available
Text: SD101B . SD101C SD101B . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2012-07-03 Nominal current Nennstrom 15 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3.9 62.5 Glass case Glasgehäuse ~ DO-35 ~ SOD-27 Weight approx.
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Original
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SD101B
SD101C
DO-35
OD-27
LL101B.
LL101C
SD101C
SD101B
glass dioden smd
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SMD Dioden
Abstract: LL101A LL101C SD101A SD101B SD101C SMD Schottky Dioden
Text: SD101A . SD101C SD101A . SD101C Schottky Barrier Diodes Schottky-Barrier Dioden Version 2006-04-27 Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 40.60 V Glass case Glasgehäuse 3.9 62.5 Ø 1.9 15 mA DO-35
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Original
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SD101A
SD101C
DO-35
OD-27
LL101A.
LL101C
SMD Dioden
LL101A
LL101C
SD101A
SD101B
SD101C
SMD Schottky Dioden
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199015 ELU
Abstract: diodes 6 pattes fuse 179120 179020 AC250 D-44143
Text: GeräteSchutzSicherungen Miniature and sub-miniature Fuses Fusibles miniatures et subminiatures ELU Elektro-Union GmbH Elektrotechnische Fabrik Inselstrasse 18 D-44143 Dortmund Federal Republic of Germany Telefon +49 231 55 70 30-0 Telefax +49 231 55 70 30-9
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Original
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D-44143
199015 ELU
diodes 6 pattes
fuse 179120
179020
AC250
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marking SH SOT23
Abstract: smd marking 619 BB505B smd marking bb marking 12 SOD123 SOD-123 BB801 BB409 BA 811 SIEMENS marking
Text: SIEMENS AKTIEN 6E SEL LSCHAF 47E D 0235bDS OOebBST T « S I E G NF-Dioden / AF Diodes PIN Diodes Glass Package Type Max. ratine3s 1/r h mA V Marking Fig. nX 50 150 < 50 0.55 1 < 40 100 < 1 DO-35 DHD - 2 20 o 0.92 0.28 1 1 < 0.7 22 100 100 < 1 < 1.1 SOD-123
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0235bDS
DO-35
OD-123
OT-23
marking SH SOT23
smd marking 619
BB505B
smd marking bb
marking 12 SOD123
SOD-123
BB801
BB409
BA 811
SIEMENS marking
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Diode BAV 19
Abstract: No abstract text available
Text: BAV 18.BA V 21 Si-Allzweck-Dioden Small Signal Si-Diodes 200 mA Nominal current Nennstrom 50.200 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung ecu ar ffÛX. 01.9 5£ 'f; nax. Svo - h“ 0.56 £ftJ Dimensions / Maße in mm DO-35 Glass case
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DO-35
R0D1RS14
000017S
Diode BAV 19
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Diode 4148 MINIMELF
Abstract: No abstract text available
Text: LL 4148, LL 4150, LL 4151, LL 4448, Si-Allzweck-Dioden für die Oberflächenmontage Surface Mount Small Signal Si-Diodes 150 niA Nominal current Nennstrom 50. 100 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung SOD-80 Glass case MiniMELF
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OD-80
R0D1RS14
Diode 4148 MINIMELF
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: IN 4148, IN 4150, IN 4151, IN 4448, Small Signal Si-Diodes Si-Allzwech-Dioden Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung .ÇsO Ct V J 5 0 . ,100 V H Hrgl9 j £ 150 mA nox, Cvo EM Glass case Glasgehäuse DO-35
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DO-35
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smd glass dioden
Abstract: No abstract text available
Text: ZMM 1.ZMM 51 500 mW Silizium-Z-Dioden für die Oberflächenmontage Surface mount Silicon-Z-Diodes Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung 0.75.51 V Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ±5% Glass case MiniMELF Glasgehäuse MiniMELF
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OD-80
R0D1RS14
smd glass dioden
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Zener ZPD
Abstract: zpd diode zener diode zpd 6 diode u2 a05 zpd 6.2 zener zpd1-zpd51 MW1 SMD diode MINImelf zener diode smd ZPD47 Zener ZPD 3.3
Text: ZPD 1.ZPD 51 500 mW Silizium-Z-Dioden Silicon-Z-Diodes 0.75.51 V Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung ±5% Tolerance of zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ECU mox. h j - . , . n ax . ÇvO - K 0.56 DO-35 Glass case Glasgehäuse 0.13 g
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DO-35
000017S
Zener ZPD
zpd diode
zener diode zpd 6
diode u2 a05
zpd 6.2 zener
zpd1-zpd51
MW1 SMD diode
MINImelf zener diode smd
ZPD47
Zener ZPD 3.3
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DAF 811 A /K . DAF 814 A/K Fast Switching Diode Arrays Schnelle Dioden Sätze Nominal power dissipation Verlustleistung 1-1 1.2 W Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung Plastic case Glasgehäuse 100.400 V 24 x 3 x 5.1 [mm] Weight approx.
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G0174
000017S
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diode zener 8v2
Abstract: DIODE BZV ZENER DIODES BZV 85 8V2
Text: BZV 58 C 8V2.C 200 5 W Silizium-Leistungs-Z-Dioden Silicon-Power-Z-Diodes m in 8.2.200 V Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung ^— ±5% Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung j/ 4.5:ai Plastic case Kunststoffgehäuse ~ D0-201
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UL94V-0
D0-201
R0D1RS14
DGG174
000017S
diode zener 8v2
DIODE BZV
ZENER DIODES BZV 85 8V2
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: 1 N 5345 B.1 N 5388 B 5 W Silizium-Leistungs-Z-Dioden Silicon-Power-Z-Diodes Nominal breakdown voltage Nenn-Arbeitsspannung 8.7.200 V Tolerance o f zener voltage Toleranz der Arbeitsspannung ±5% /4 .5 " Plastic case KunststofFgehäuse ~ D0-201 Weight approx.
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D0-201
UL94V-0
0D1RS14
DGG174
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VERPACKUNGSVORSCHRIFT
Abstract: No abstract text available
Text: RA 2505.RA 2510 Si-Gleichrichterzellen in Button-Bauform Silicon Rectifier Button-Cell m 25 A Nominal current Nennstrom =a 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung tr Plastic case, coloured metal ring indicates cathode
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UL94V-0
0D1RS14
DGG174
000017S
VERPACKUNGSVORSCHRIFT
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: BV 4, BV 6 Si-Hochspannungs-Gleichrichter High Voltage Si-Rectifier 50 mA Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3 000. 5 000 V Plastic case Kunststoffgehäuse D O -15 Weight approx. Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0
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UL94V-0
R0D1RS14
000017S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: AG 3A .M Silicon Rectifier Cell Silizium-Gleichrichterzellen Nominal current Nennstrom 3A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50.1000 V Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung
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R0D1RS14
000017S
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: Silicon Rectifier Cell Silizium-Gleichrichterzellen Nominal current Nennstrom 12 A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50. 1000 V Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung Weight approx.
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R0D1RS14
DGG174
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STS Bv 1500
Abstract: No abstract text available
Text: BV 8, BV 12, BV 16 High Voltage Si-Rectifier Si-Hochspannungs-Gleichrichter Nominal current Nennstrom 350 mA Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 7000. 15000 V Plastic case Kunststoffgehäuse 0 6.3 x 21 [mm] Weight approx. Gewicht ca.
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UL94V-0
R0D1RS14
DGG174
000017S
STS Bv 1500
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: AG 6A .M Silizium-Gleichrichterzellen Silicon Rectifier Ceti 6A Nominal current Nennstrom Polysiloxan •05.2 50. 1000 V Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung r cu Rectifier cell with polysiloxan passivation Gleichrichterzelle mit Polysiloxanpassivierung
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R0D1RS14
DGG174
000017S
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VERPACKUNGSVORSCHRIFT
Abstract: by6000 Bauelemente
Text: BY 4000.BY 8000 Si-Hochspannungs- Gleichrichter High Voltage Si-Rectifier 1.5.0.7 A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 3000.7000 V Plastic case Kunststoffgehäuse -D O -2 0 1 Weight approx. Gewicht ca.
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UL94V-0
G0174
000017S
VERPACKUNGSVORSCHRIFT
by6000
Bauelemente
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: DB 15-005.-16 Dreiphasen-Si-Briickengleichrichter 3-Phase Si-Bridge Rectifiers 15 A Nominal current Nennstrom Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 5 0 .1600 V Plastic case with Al-bottom Kunststoffgehäuse mit Alu-Boden 28.5 x 28.5 x 10 [mm]
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UL94V-0
G0174
000017S
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