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    TRANSISTOR 75 U50 Search Results

    TRANSISTOR 75 U50 Result Highlights (5)

    Part ECAD Model Manufacturer Description Download Buy
    2SC6026MFV
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=0.15 A / hFE=120~400 / VCE(sat)=0.25 V / SOT-723 Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTC5886A
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=5 A / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22 V / tf=120 ns / New PW-Mold Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTA2097
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation PNP Bipolar Transistor / VCEO=-50 V / IC=-5 A / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27 V / tf=60 ns / New PW-Mold Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTC022
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / VCEO=12 V / IC=5 A / hFE=250~500 / VCE(sat)=0.14 V / tf=50 ns / PW-Mini Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation
    TTC020
    		Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation NPN Bipolar Transistor / VCEO=80 V / IC=4 A / hFE=100~200 / VCE(sat)=0.17 V / tf=70 ns / PW-Mini Visit Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation

    TRANSISTOR 75 U50 Datasheets Context Search

    Catalog Datasheet Type Document Tags PDF

    transistor 75 U50

    Abstract: 2DI50M-050 2DI100MA-050 2DI30M-050 M203 M208 M210 6DI100M-050
    Contextual Info: BIPOLAR TRANSISTOR M O DULES Ratings and Specifications 600 volts class high Fife power transistor modules • Because this m o d u le has 10 tim e s or m o re th e con vention al DC cu rren t gain, set p ro p o rtio n a lly fo r each ele m en t cu rren t capacity 75 to 300A , it is possible to m in iatu rize and standardize th e base drive circuit and drive p o w er supply.


    OCR Scan     		2DI30M-050 6DI30M 6DI30MA 6DI50M 6DI50MA 6DI100M 0DD3722 transistor 75 U50 2DI50M-050 2DI100MA-050 M203 M208 M210 6DI100M-050 PDF

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM32405LA-S •概要 ■特長 ELM32405LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-12A ・ Rds on < 45mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V)


    Original     		ELM32405LA-S P06P03LDG O-252 AUG-17-2004 PDF

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特長 ELM32403LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-40V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-8A ・ Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ・ Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V)


    Original     		ELM32403LA-S P5504EDG O-252 AUG-19-2004 PDF

    P75N02LDG

    Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特長 ELM32428LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=25V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=75A ・ Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V)


    Original     		ELM32428LA-S P75N02LDG O-252 Jun-11-2005 P75N02LDG PDF

    ELM32405LA

    Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM32405LA-S •概要 ■特点 ELM32405LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-30V ·Id=-12A ·Rds on < 45mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值


    Original     		ELM32405LA-S P06P03LDG O-252 AUG-17-2004 ELM32405LA PDF

    ELM32403LA

    Contextual Info: 单 P 沟道 MOSFET ELM32403LA-S •概要 ■特点 ELM32403LA-S 是 P 沟道低输入电容，低工作电压， 低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=-40V ·Id=-8A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=-10V) ·Rds(on) < 94mΩ (Vgs=-4.5V) ■绝对最大额定值


    Original     		ELM32403LA-S P5504EDG O-252 AUG-19-2004 ELM32403LA PDF

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM33413CA-S •概要 ■特長 ELM33413CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 80mΩ (Vgs=-2.5V)


    Original     		ELM33413CA-S Jul-20-2006 PDF

    P6402FMG

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM33403CA-S •概要 ■特長 ELM33403CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-4A ・ Rds on < 64mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 79mΩ (Vgs=-2.5V)


    Original     		ELM33403CA-S Mar-22-2006 P6402FMG PDF

    ELM32428LA

    Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32428LA-S •概要 ■特点 ELM32428LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=25V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=75A ·Rds on < 7mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 10mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目


    Original     		ELM32428LA-S P75N02LDG O-252 Jun-11-2005 ELM32428LA PDF

    P0260AD

    Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特長 ELM32434LA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=600V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=2A ・ Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■絶対最大定格値


    Original     		ELM32434LA-S Mar-23-2009 P0260AD O-252 P0260AD PDF

    Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34605AA-N •概要 ■特長 ELM34605AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。


    Original     		ELM34605AA-N -55Id P3503QVG OCT-08-2004 PDF

    Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34604AA-N •概要 ■特長 ELM34604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A


    Original     		ELM34604AA-N P2804NVG AUG-19-2004 PDF

    Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34601AA-N •概要 ■特長 ELM34601AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。


    Original     		ELM34601AA-N P2103NVG MAY-21-2004 PDF

    ELM34404AA

    Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM34404AA-N •概要 ■特点 ELM34404AA-N 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=60V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=5.5A ·Rds on < 55mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 75mΩ (Vgs=4.5V) ■绝对最大额定值 项目


    Original     		ELM34404AA-N P5506BVG SEP-30-2004 ELM34404AA PDF

    ELM32434LA

    Contextual Info: 单 N 沟道 MOSFET ELM32434LA-S •概要 ■特点 ELM32434LA-S 是 N 沟道低输入电容，低工作电压， •Vds=600V 低导通电阻的大电流 MOSFET。 ·Id=2A ·Rds on < 4.4Ω (Vgs=10V) ■绝对最大额定值 项目 如没有特别注明时, Ta=25℃


    Original     		ELM32434LA-S Mar-23-2009 P0260AD O-252 FieldELM32434LA-S ELM32434LA PDF

    Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM35603KA-S •概要 ■特長 ELM35603KA-S は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=40V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=10A


    Original     		ELM35603KA-S P2204ND5G O-252-5 May-03-2006 PDF

    P5003QVG

    Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34600AA-N •概要 ■特長 ELM34600AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V 性を備えた大電流 MOSFET です。 ・ Id=7A


    Original     		ELM34600AA-N DEC-19-2005 P5003QVG P5003QVG PDF

    Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33400CA-S •概要 ■特長 ELM33400CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=6A ・ Rds on < 28mΩ (Vgs=10V) ・ Rds(on) < 32mΩ (Vgs=4.5V)


    Original     		ELM33400CA-S Mar-22-2006 PDF

    Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特長 ELM34802AA-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=30V オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Id=4.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)


    Original     		ELM34802AA-N May-10-2006 PDF

    Contextual Info: シングル N チャンネル MOSFET ELM33410CA-S •概要 ■特長 ELM33410CA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=5A ・ Rds on < 32mΩ (Vgs=4.5V) ・ Rds(on) < 50mΩ (Vgs=2.5V)


    Original     		ELM33410CA-S PDF

    Contextual Info: デュアルパワー N チャンネル MOSFET ELM36800EA-S •概要 ■特長 ELM36800EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 オン抵抗という特性を備えた大電流デュアルパワー ・ Vds=30V ・ Id=3.5A MOSFET です。 ・ Rds on < 68mΩ (Vgs=10V)


    Original     		ELM36800EA-S OCT-12-2005 PDF

    ELM34802AA

    Contextual Info: 双 N 沟道 MOSFET ELM34802AA-N •概要 ■特点 ELM34802AA-N 是 N 沟道低输入电容低工作电压、 •Vds=30V 低导通电阻的大电流 MOSFET，内藏有两个 MOSFET。 ·Id=4.5A ·Rds on < 68mΩ (Vgs=10V) ·Rds(on) < 98mΩ (Vgs=5V) ■绝对最大额定值


    Original     		ELM34802AA-N May-10-2006 ELM34802AA PDF

    D425 transistor

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM340703A-N •概要 ■特長 ELM340703A-N は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-30V ・ Id=-15A オン抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 また、 保護回路によって ESD 耐性があります。


    Original     		ELM340703A-N 00E-01 00E-02 D-42-5 D425 transistor PDF

    Contextual Info: シングル P チャンネル MOSFET ELM36405EA-S •概要 ■特長 ELM36405EA-S は低入力容量 低電圧駆動、 低 ・ Vds=-20V ON 抵抗という特性を備えた大電流 MOS FET です。 ・ Id=-5A ・ Rds on < 44mΩ (Vgs=-4.5V) ・ Rds(on) < 70mΩ (Vgs=-2.5V)


    Original     		ELM36405EA-S Aug-03-2006 PDF