TRANSISTOR AL FM Search Results

TRANSISTOR AL FM Result Highlights (5)

Part	Manufacturer	Description
2SC6026MFV	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=0.15 A / hFE=120~400 / VCE(sat)=0.25 V / SOT-723
TTC5886A	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=50 V / IC=5 A / hFE=400~1000 / VCE(sat)=0.22 V / tf=120 ns / New PW-Mold
TTA2097	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	PNP Bipolar Transistor / VCEO=-50 V / IC=-5 A / hFE=200~500 / VCE(sat)=-0.27 V / tf=60 ns / New PW-Mold
TPCP8515	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=12 V / IC=5 A / hFE=250~500 / VCE(sat)=0.14 V / tf=50 ns / PS-8
TTC021	Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation	NPN Bipolar Transistor / VCEO=120 V / IC=3 A / hFE=120~240 / VCE(sat)=0.15 V / tf=170 ns / PW-Mini

TRANSISTOR AL FM Datasheets Context Search

Catalog Datasheet	Type	Document Tags	PDF
FMW5 Abstract: UMW5N FMW5 T148 T148 T149 e26w npn transistor w5 7626 transistor Contextual Info: h7 > y UMW5N/FMW5 £ /Transistors UMW5N FMW5 ;i/ K h 7 > y * £ / D u a l M ini-Mold Transistor NPN Epitaxial Planar NPN Silicon Transistor — / Gener al Sm all S ig n al Am p. • W K ^siS /D im en sio n s Unit: mm 1) “ i- J U 2m<n h - ^ v ^ S r t S t U T i - ' S o	OCR Scan	g10mV. S10mV. FMW5 UMW5N FMW5 T148 T148 T149 e26w npn transistor w5 7626 transistor	PDF
Contextual Info: FF 150 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,055 Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Baustein / per module 0,11 0,03 pro Baustein / per module 0,06 pro Baustein / per module	OCR Scan	R1200 FFrtOR12COKFf> 34032T? D002D45	PDF
R1200 Contextual Info: FF 150 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,055 Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Baustein / per module 0,11 0,03 pro Baustein / per module 0,06 pro Baustein / per module	OCR Scan	R1200 FFrtOR12COKFf> 34032T? D002D45	PDF
Contextual Info: FF 50 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VcES Maximum rated values Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,155 "C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module C/W DC, pro Baustein / per module	OCR Scan	10-2I--	PDF
kl2 t1 transistor Contextual Info: FF 50 R 12 KL Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige Werte VcES Maximum rated values Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,155 "C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module C/W DC, pro Baustein / per module	OCR Scan	10-2I-- kl2 t1 transistor	PDF
Contextual Info: FF 300 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,05 DC, pro Baustein / per module 0,10 DC, pro Zweig / per arm pro Baustein / per module 0,03 RthCK 0,06 pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan	3403HT7	PDF
Contextual Info: FF 200 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,08 DC, pro Zweig / per arm 0,16 pro B au stein / per module 0,03 RthCK pro Zweig / per arm 0,06 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan	FF500	PDF
44t transistor Contextual Info: FS 15 R 06 KFS Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte V ces Maximum rated values 600 V 15 A lc Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 2,27 ~*thJC DC, pro Zweig / per arm	OCR Scan		PDF
Contextual Info: FF 100 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,075 DC, pro Z w e ig / per arm 0,15 RthCK pro Baustein / per module 0,04 pro Zweig / per arm 0,08 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan	R1200KF	PDF
transistor KF Abstract: diode 182 Contextual Info: FF 100 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,075 DC, pro Z w e ig / per arm 0,15 RthCK pro Baustein / per module 0,04 pro Zweig / per arm 0,08 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan	R1200KF transistor KF diode 182	PDF
Contextual Info: FF 200 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values V ces Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0 ,0 4 8 R th J C DC, pro Zweig / per arm	OCR Scan	R1300 FFM0R12KF2 12SPC,	PDF
Contextual Info: FS 100 R 06 KF 3 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties VcES Maximum rated values 600 V 100 A lc Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,047 :'C /W Rthjc DC, pro Baustein / per module DC, pro Zweig / per arm 0,280 C/W	OCR Scan		PDF
Contextual Info: FF 25 R 12 KF Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rthjc DC, pro B austein/p e r module 0,25 0,5 DC, pro Zweig / per arm 0,06 RthCK pro Baustein /p e r module 0,12 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties H öchstzulässige W erte	OCR Scan	34D32CI7	PDF
Contextual Info: FF 200 R 12 KF Therm al properties Therm ische Eigenschaften 0,044 C/W DC, pro Baustein / per module 0,088 C/W DC, pro Zweig / per arm 0,03 °C/W pro Baustein / per module 0,06 °C/W pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan		PDF

Contextual Info: FF 50 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Maximum rated values 600 V c es Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,25 R th J C 0,50 DC, pro Zweig / per arm	OCR Scan	3M035T7	PDF
vqe 23 c Contextual Info: FF 200 R 12 KF Therm al properties Therm ische Eigenschaften 0,044 C/W DC, pro Baustein / per module 0,088 C/W DC, pro Zweig / per arm 0,03 °C/W pro Baustein / per module 0,06 °C/W pro Zweig / per arm Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan		PDF
ODD1173 Abstract: FF200R06KF2 FF200R06KF FF500 15fis Scans-0031044 FF200R06 Contextual Info: FF 200 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,08 0,16 DC, pro Zweig / per arm 0,03 pro B a u ste in /p e r module 0,06 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties V CES Maximum rated values	OCR Scan	00R600 FF20DN FF500 ODD1173 FF200R06KF2 FF200R06KF 15fis Scans-0031044 FF200R06	PDF
Contextual Info: FF 200 R 06 KF 3 Transistor Transistor Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,07 DC, pro Baustein / per moduie RthJC 0,14 DC, pro Z w e ig /p e r arm 0,03 pro Baustein / per moduie RthCK 0,06 pro Zweig / per arm Elektrische Eigenschaften Electrical properties	OCR Scan	FF2MR06KF3.	PDF
kf 202 transistor Contextual Info: FF 100 R 06 KF 3 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte V qes Maximum rated values 600 V 100 A le Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,140 °C/W 0,280 C/W DC, pro Zweig / per arm	OCR Scan	12EFC, kf 202 transistor	PDF
25CC Contextual Info: FS 50 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Höchstzulässige W erte Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rjhjc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,084 °C/W DC, pro Zweig / per arm 0,5 °C/W Maximum rated values	OCR Scan	3M032< 25CC	PDF
TVR06 Abstract: n50t Contextual Info: FZ 400 R 06 KF 2 Therm ische Eigenschaften Therm al properties Ftthjc DC, pro B a u ste in /p e rm o d u le 0,089 °C/W Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties 0,03 pro Baustein / per module °C/W Maximum rated values VcE S 600	OCR Scan		PDF
transistor 184 Contextual Info: FS 100 R 06 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften 1E lectrical properties Hochstzulässige W erte V ces Maximum rated values 600 V 100 A Ic Therm ische Eigenschaften Therm al properties DC, pro Baustein / per module 0,052 R th J C DC, pro Zweig / per arm	OCR Scan		PDF
FF100R12KF2 Contextual Info: FF 100 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Therm ische Eigenschaften Therm al properties 0,095 3C/W Rthjc DC, pro Baustein / per module 0,19 DC/W DC, pro Zweig / per arm 0,04 C/W RthCK pro B a u ste in /p e r module	OCR Scan	FF100R12KF2	PDF
Contextual Info: FS 25 R 12 KF 2 Transistor Transistor Elektrische Eigenschaften Electrical properties Hochstzulässige W erte Maximum rated values V Therm ische Eigenschaften Therm al properties Rtwc DC, pro B a u ste in /p e r module 0,104 °C/W DC, pro Z w e ig /p e r arm	OCR Scan		PDF

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kl2 t1 transistor

44t transistor

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vqe 23 c

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transistor 184

FF100R12KF2