TYPS OF SRAM Search Results

ARD08

Abstract: KM62256CL-LU
Contextual Info: Preliminary CMOS SRAM KM62256CL-LU 32Kx8 Bit Extended Voltage Operating Static RAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Extended Operating Voltage : 2.7 -5.5 V • Fast Access Time - 3.0V Operation : 100ns Max. - 3.3V Operation : 70ns (Max.) - 5.0V Operation : 55ns (Max.)

Contextual Info: Preliminary CMOS SRAM KM62256CLI-LU 32Kx8 Bit Extended Voltage & Industrial Temperature Operating SRAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • E x te n d e d O p e ra tin g V o lta g e : 2 . 7 - 5 . 5 V T h e K M 6 2 2 5 6 C L I-L U Is a 2 6 2 ,1 4 4 -b it h ig h -s p e e d S tatic

pin configuration of 74LS154

Abstract: ic 74ls154 74hct154 74F154 pin diagram of 74ls154 128K X 8 BIT LOW POWER CMOS SRAM 1 of 16 Decoder 74HC154 OF 74LS154 74LS154 decoder decoder 74LS154
Contextual Info: AEPSX512K8 STATIC RAM MODULE > > 524,288 x 8 Organization > > Double sided to maximize bit density > > On board 1-of-16 Decoder > > Completely Static operation > > TTL compatible > > Low power, battery back-up operation > > Uses single +5V power supply > > Super Low Power version available

Contextual Info: Preliminary CMOS SRAM KM62256CLE-LU 32Kx8 Bit Extended Voltage & Temperature Range Operating SRAM FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Extended Operating Voltage : 2.7-5.5V • Extended Temperature Range : -25 to 85°C • Fast Access Time - 3.0V Operation : 120ns Max.

diode D07-15 54

Contextual Info: SN74F1056 8-BIT SCHOTTKY BARRIER DIODE BUS-TERMINATION ARRAY SDFS085 - AUGUST 1992 • Designed to Reduce Reflection Noise • Repetitive Peak Forward Current. . . 300 mA • 8-Bit Array Structure Suited for Bus-Oriented Systems SC PACKAGE TOP VIEW D01 D02

information applikation

Abstract: U880D information applikation mikroelektronik Halbleiterbauelemente DDR "Mikroelektronik" Heft u880 mikroelektronik applikation VEB mikroelektronik mikroelektronik information applikation mikroelektronik DDR
Contextual Info: i« ¡ 2 Information Applikation t m f f i ^ o e l e k t s n o •/ Information Applikation n • Heft 30: HALBLEITERSPEICHER Teil 2 SRAM und DRAM v e b halbleiterw erk frankfurfc/odor KBD im veb Kombinat mikroelektronik KAMMER DER TECHNIK Bezirksverbond

M51953

Abstract: M51957B 251C M51955A M51955B M51956A M51956B
Contextual Info: To all our customers Regarding the change of names mentioned in the document, such as Mitsubishi Electric and Mitsubishi XX, to Renesas Technology Corp. The semiconductor operations of Hitachi and Mitsubishi Electric were transferred to Renesas Technology Corporation on April 1st 2003. These operations include microcomputer, logic, analog

DPV12832V

Abstract: 4-00J1 Dense-Pac Microsystems
Contextual Info: DENSE-PAC MICR OSY STEMS 2ÔE D • £75=1415 OOQQIBb ? «] >PC DPV12832V Dense-Pac Microsystems, Inc. ^ 128K X 32 UVEPROM VERSAPAC X 4 ¿ ,- / 3 '2 9 DESCRIPTION: The DPV12832V is a 66-pin Pin Grid Array PGA consisting of four 128K X 8 UVEPROM devices in

SY101492-5ECF

Contextual Info: « 2K X 9 ADVANCED SELF-TIMED SRAM SYNERGY S E M IC O N D U C T O R FEATURES GENERAL DESCRIPTION • Extremely fast access times: tCHCH = 5 /6 n s max. ■ Extended supply voltage option: — VEE = - 5 . 2 V ■ Completely self-tim ed read and write cycle

89C51RD2

Abstract: 8563 u924 RTC-8563 89C51Rx2 PLCC-44 Funkamateur 89C51RC2 89C51RD2 EEPROM
Contextual Info: phyCORE-89C51Rx2 Hardware-Manual Ausgabe Januar 2000 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-89C51Rx2 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

Contextual Info: MOTOROLA -SEMICONDUCTOR MCVVQ410 TECHNICAL DATA Advance in fo rm a i ion QVGA Monochrome LCD Display Panel 32 0x2 40 QVGA MONOCHROME D I S P L A Y PANEL A C T IV E M A T R IX L IQ U ID C R Y S T A L D IS P L A Y The MCVVQ41 0 is an a c tiv e -m a trix liquid c ry s ta l display panel w ith a

AB28F

Contextual Info: A E W Ä N K S H OKllF ISIMlÄflrö Kl i n y A28F400BX-T/B 4-MBIT 256K x16, 512K x8 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY A u to m o tiv e Very High-Performance Read — 90 ns Maximum Access Time — 45 ns Maximum Output Enable Time x8/x16 Input/Output Architecture

Contextual Info: in y A28F200BX-T/B 2-MBIT 128K x 16, 256K x 8 BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY A u to m o tiv e • x8/x16 Input/Output Architecture — A28F200BX-T, A28F200BX-B — For High Performance and High Integration 16-bit and 32-bit CPUs Optimized High Density Blocked

C164

Abstract: RTC-8583 Funkamateur Buchsenleiste RTC-8583 a
Contextual Info: nanoModul-164 Hardware-Manual Ausgabe November1999 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG nanoModul-164 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

28F008SA

Contextual Info: 5 VOLT FlashFile MEMORY 28F008SA x8 • High-Density Symmetrically-Blocked Architecture — Sixteen 64-Kbyte Blocks ■ Extended Cycling Capability — 100,000 Block Erase Cycles — 1.6 Million Block Erase Cycles per Chip ■ ■ Automated Byte Write and Block Erase

Contextual Info: 2-MBIT 128K x 16, 256K x 8 LOW-POWER BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 28F200BL-T/B , 28F 002B L-T/B • SRAM-Compatible Write Interface ■ Low Voltage Operation for Very Low Power Portable Applications — VCc - 3.0V-3.6V ■ Automatic Power Savings Feature

Funkamateur

Abstract: 82C251 PLCC-44 RTC-8563
Contextual Info: phyCORE-591 Hardware-Manual Ausgabe März 2000 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-591 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

9696H

Abstract: 29042 MC002FLSA
Contextual Info: ir v te l SERIES 2 + FLASH MEMORY CARDS 4 and 20 Megabytes ¡MC004FLSP, ¡M C020FLSP • Single Power Supply Operation ■ Automatically Reconfigures for 3.3V and 5V Systems ■ 150 ns Maximum Access Time with 10 MB/S Read Throughout ■ High Performance Random Writes

C167 boot JUMPER

Abstract: rtc ic 8563 82C251 C167 C167CR C167CS RTC-8563 ST10F168 Funkamateur I2C-INTERFACE data flash
Contextual Info: phyCORE-167 Hardware-Manual Ausgabe Oktober 2000 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-167 Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

Funkamateur

Abstract: 82C251 PLCC-44 RTC-8563 RS485-Schnittstelle 476d 2x128
Contextual Info: phyCORE-XACx Hardware-Manual Ausgabe Juni 2000 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-XACx Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

PLCC-44

Abstract: PXAG49 RTC-8563 Funkamateur 12J8
Contextual Info: phyCORE-XAGx Hardware-Manual Ausgabe Mai 2000 Ein Produkt eines Unternehmens der PHYTEC Technologie Holding AG phyCORE-XAGx Im Buch verwendete Bezeichnungen für Erzeugnisse, die zugleich ein eingetragenes Warenzeichen darstellen, wurden nicht besonders gekennzeichnet. Das

intel i3 mtbf

Abstract: PA28F0085A-120 28F008SA E0000 E28F008SA intel PLD 29041 E28F008SA-120 PA28F0085A ER27
Contextual Info: INTEL CORP MEMORY/PL] / 5 bE ]) m MfliblTb D0 7 b4f l ö TTb • ITL2 ß fö iy ilO I M G W in y 28F008SA 8 MBIT (1 MBIT x 8) FLASH MEMORY 3 zç. ■ Hlgh-Density Symmetrically Blocked Architecture — Sixteen 64 KByte Blocks Very High-Performance Read — 85 ns Maximum Access Time

intel 27123

Abstract: 29043 intel motherboard 915 CIRCUIT diagram M28F008SA
Contextual Info: ß ff llE U B lß O M y in te i M28F008SA 8 MBIT 1 MBIT x 8 FLASH MEMORY High-Density Symmetrically Blocked Architecture — Sixteen 64 Kbyte Blocks Very High-Performance Read — 120 ns Maximum Access Time Extended Cycling Capability — 10K Block Erase Cycles

ANA 608

Abstract: ER27
Contextual Info: [ p f f i iy M D K g A iH n f in te i M28F008 8 MBIT 1 MBIT x 8 FLASH MEMORY High-Density Symmetrically Blocked Architecture — Sixteen 64 Kbyte Blocks Extended Cycling Capability — 10K Block Erase Cycles Minimum — 160K Block Erase Cycles per Chip Automated Byte Write and Block Erase