U3008 Search Results

RT1P441C

Abstract: RT1N441X RT1P441M RT1P441S RT1P441T RT1P441U
Contextual Info: 〈Transistor〉 ＲＴ１Ｐ４４１Ｘ SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE RT1P441X is a one chip transistor with built-in bias resistor,NPN type is RT1N441X. DRAWING RT1P441U UNIT：mm

RT1P141C

Abstract: RT1N141X RT1P141M RT1P141S RT1P141T RT1P141U RT1P141X RT1P141C equivalent RT1P14
Contextual Info: 〈Transistor〉 ＲＴ１Ｐ１４１Ｘ SERIES Transistor With Resistor For Switching Application Silicon PNP Epitaxial Type DESCRIPTION OUTLINE RT1P141X is a one chip transistor with built-in bias resistor,NPN type is RT1N141X. DRAWING RT1P141U UNIT：mm

TC74HCU04AP

Abstract: 1-350MHz
Contextual Info: TYPE CRHZ_LT CRHZP_LT Ceramic Resonators 陶瓷谐振器 TYPE CRHZ_LT CERASONATOR MHz Band with built-in capacitors / MHz波段带内置电容 CRHZP_LT for taping 10.0 Max. 6.5 Max. STAMP 5.0 Max. (1) (3) (2) 〈内部连接图〉 〈Inner connecting diagram〉

M81734FP

Abstract: VB-24 mosfet 600v
Contextual Info: 三菱半導体〈HVIC〉 M81734FP 高耐圧ハーフブリッジドライバー 概 要 M81734FPは600V耐圧でハーフブリッジ接続の IGBT/MOSFET駆動用として設計された半導体集積回路 です。 ピン接続図（上面図）

Contextual Info: SMD Crystal Oscillators〈For Automotive〉 DSO1612AR/DSO211AR • Features ● 3-state function ● Capable of operating over a wide temperature range, from –40 to 125℃ . ● AEC-Q100 Compliant ［Function Code］ DSO211AR A Y ● Applications ■ ● Automotive multimedia

TC74HCU04AP

Contextual Info: TYPE CRHZ_LT CRHZP_LT Ceramic Resonators 陶瓷谐振器 TYPE CRHZ_LT CERASONATOR MHz Band with built-in capacitors / MHz波段带内置电容 CRHZP_LT for taping 5.0 Max. 6.5 Max. 10.0 Max. STAMP (1) (3) (2) 〈内部连接图〉 〈Inner connecting diagram〉

k10s

Contextual Info: 電流制御型 KU シリーズ 面実装品（SMD） TS SKUS ERI ES •外形寸法図 OUTLI NEDI MENSI ONS Package：M2F KU10R27NS 270V100A K10S 27 00 3.75 品名略号 ① ① ② ② ロット記号（例） 2.0 5.1 単位：mm 外形図については新電元Webサイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照

smd 18w

Abstract: CLQ7D37 CLQ102
Contextual Info: DC-DC CONVERTER〈SMD〉 DIMENSIONS mm LAND PATTERNS(mm) CONSTRUCTION 外形寸法図 推奨ランド寸法 磁気構造図 8.0MAX. 0.7 1.27 1.27 1.27 5.5 6.0 4.0MAX. (7.9) 9.8MAX. 7.7 3-1.27 CLQ7D37 0.4 2.5 Solder Resist ✽ In order to prevent short-circuiting, a solder resist is recommended.

CEEH126

Abstract: CEI120 38w smd
Contextual Info: DC-DC CONVERTER〈SMD〉 CEI120 DIMENSIONS mm LAND PATTERNS(mm) CONSTRUCTION 外形寸法図 推奨ランド寸法 磁気構造図 2.0 8.0 14.5MAX. 11.0 6.0MAX. 4-2.0 12.2 13.1 0.6 9.6 13.0MAX. 1.0 2.0 K Specifications ● 仕様 Max. Operating frequency

ultra low noise NPN transistor

Abstract: 2SC5383 SC-75A
Contextual Info: 〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉 2SC5383 FOR LOW FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE Ultra super mini type DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Unit：ｍｍ 2SC5383 is a ultra super mini package resin sealed silicon NPN epitaxial transistor, It is designed for low frequency voltage application.

sc 6038

Abstract: 2SC5636 transistor 3669 A 4503 ic 1346 transistor making 528
Contextual Info: 〈SMALL-SIGNAL TRANSISTOR〉 2SC5636 FOR HIGH FREQUENCY AMPLIFY APPLICATION SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DESCRIPTION OUTLINE DRAWING Mitsubishi 2SC5636 is a super mini package resin sealed silicon NPN epitaxial transistor.It is designed for high frequency application.

FD602AV-88

Abstract: SR252AM FD452 tf81
Contextual Info: 三菱半導体〈整流ダイオード〉 SRx×2A×,FD××2A×,FD602BVシリーズ 大電力一般用・高周波用 スタッド形・平形 概 要 三菱整流ダイオードは500V~6000V/60A∼3500Aのシリーズをラインアップしています。この

FD500JV-90DA

Abstract: 1570a
Contextual Info: 三菱半導体〈ソフトリカバリーダイオード〉 FD500JV-90DA 大電力高周波用 平形 外形図 FD500JV-90DA 単位：mm 0.4min φ3.5 ± 0.2 フカサ2.2 ± 0.2 0.4min 26 ± 0.5 形 名 φ47 φ75max φ3.5 ± 0.2 フカサ2.2 ± 0.2 ¡IF AV 平均順電流 . 500A

E80276

Abstract: PM300CVA060 600V300A
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM300CVA060 フラットベース形 絶縁形 PM300CVA060 ¡600V300A 電流センス付 20kHz 対応 IGBT インバータ ¡IGBT ゲート駆動回路内蔵 ¡短絡、過熱及び制御電源電圧低下の検知、

FT502AL-32

Contextual Info: 三菱半導体〈一般用サイリスタ〉 FT502AL-32 大電力一般用 平形 FT502AL-32 外形図 単位：mm 300 ± 10 補助陰極端子（赤） ゲート（白） 0.4 min ¡IT AV 平均オン電流 ………………………… 500A ¡VDRM ピーク繰返しオフ電圧 ……………… 1600V

PM200RSE060

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM200RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM200RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

FD2000DU-120

Abstract: 2500-3000A
Contextual Info: 三菱半導体〈高速スイッチング用整流ダイオード〉 FD2000DU-120 大電力高周波用 平形 FD2000DU-120 外形図 単位：mm f 3.6 ± 0.2フカサ 2.2 ± 0.2 形名 f 130 ± 0.2 陽極 f 190 max ¡IF AV 平均順電流 …………………………… 1700A

PM150RLA120

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM150RLA120 フラットベース形 絶縁形 PM150RLA120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を

CM100E3U-12H

Abstract: C2E1
Contextual Info: 三菱半導体〈IGBTモジュール〉 CM100E3U-12H 大電力スイッチング用 絶縁形 CM100E3U-12H ¡IC . 100A ¡VCES . 600V

znr 10k 270

Abstract: B1256 E80276 PS21963 PS21963-4 C20222 ps21963-4a U/25/20/TN26/15/850/znr 10k 270 P/SPE/PTFA2115/B/18/06/znr 10k 270
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PS21963-4/-4A/-4C/-4W トランスファーモールド形 絶縁形 PS21963-4 主回路構成及び定格 ¡DC入力三相AC出力インバータ ¡600V、10A（第5世代プレーナIGBT内蔵）

PM50RLB120

Abstract: E80276
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM50RLB120 フラットベース形 絶縁形 PM50RLB120 特長 ➀ 第 5 世代 1µm ルール IGBT（CSTBT）チッ プ採用 Vce sat (@Tj=125℃)=typ.1.9V ➁ CSTBTチップのTj検出による過熱保護を

PM100*060

Abstract: E80276 PM100RSE060 pm100R
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PM100RSE060 フラットベース形 絶縁形 PM100RSE060 特長 ➀ 第 4 世代 リファイン 1µm ルールプレーナ IGBT チップ採用 VCE sat = typ1.7V ➁ 新設計 FWDi 採用

FT2500CL-24

Contextual Info: 三菱半導体〈一般用サイリスタ〉 FT2500CL-24 大電力一般用 ダイナミックゲート形，平形 FT2500CL-24 外形図 単位：mm f 4.3 295 ± 8 7.5 7.5 ゲート（白） 陰極 f 60 形名 ¡IT AV 平均オン電流 ………………………… 2500A

ic 7905

Abstract: PS51259-A EIAJ-ED-4701 AC100V200V
Contextual Info: 三菱半導体〈インテリジェントパワーモジュール〉 PS51259-A トランスファーモールド形 絶縁形 PS51259-A 主回路構成及び定格 ¡単相AC入力, DC出力 IGBT/FWDコンバータ ブリッジ ¡600V20Arms（入力電流）