VOLTAGE 10V VDSS 150V ID 50A MOS FET Search Results

Contextual Info: MG50D2YM1 GTR MODULE SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. Unit in nun MOTOR CONTROL APPLICATIONS. FEATURES: . The Drain is Isolated from Case. . 2 MOS FETs are Built-in to 1 Package . With Built-in Free Wheeling Diode. . Low Drain-Source ON Resistance

FS50SM-5A

Abstract: FS50SM-5A-A8
Contextual Info: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications

Contextual Info: TOSHIBA - C D I S C R E T E / O P T O J T D 9097250 TOSHIBA <DISCRETE/OPTO> TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE | ^D^TaSO DGlb4Sl S 90D 16421 TOSHIBA GTR MODULE .MG50D2DM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. MOTOR CONTROL APPLICATIONS.

MG50D2YM1

Contextual Info: TOSHIBA {DISCRETE/OPT0> TD 9097250 TOSHIBA DISCRETE/OPTO TOSHIBA SEMICONDUCTOR DE~| TGTT E S G □Dlb4Eti 1 90D D T -3 9 -5 7 16426 TOSHIBA GTR MODULE MG50D2YM1 TECHNICAL DATA SILICON N CHANNEL MOS TYPE HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS. flOTOR CONTROL APPLICATIONS.

2SK2477

Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2477 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2477はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet

Abstract: 2SK2482
Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2482 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2482はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

Contextual Info: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

Contextual Info: FK30SM-5 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1402-0200 Previous: MEJ02G0204-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 250 V rDS (ON) (max) : 0.108 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

Contextual Info: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

2SK2488

Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2488 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2488はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

Contextual Info: FK30SM-6 High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G1403-0200 Previous: MEJ02G0214-0101 Rev.2.00 Jul 07, 2006 Features • • • • VDSS : 300 V rDS (ON) (max) : 0.143 Ω ID : 30 A Integrated Fast Recovery Diode (MAX.) : 150 ns Outline RENESAS Package code: PRSS0004ZB-A

7824 3A

Abstract: 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2480 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2480はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

2SK2487

Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistors 2SK2487 NチャネルパワーMOSFET スイッチング用 2SK2487はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

2SK2478

Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2478 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2478はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

Contextual Info: FS50SM-5A High-Speed Switching Use Nch Power MOS FET REJ03G0277-0100 Rev.1.00 Aug.20.2004 Features • • • • Drive voltage : 10 V VDSS : 250 V rDS ON (max) : 0.068 Ω ID : 50 A Outline TO-3P 2, 4 4 1. 2. 3. 4. 1 1 2 Gate Drain Source Drain 3 3 Applications

PC1094C

Abstract: 2SK2486 G13006J TEA-572 7824 MAX INPUT VOLTAGE pc1094
Contextual Info: データ・シート MOS形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor 2SK2486 NチャネルパワーMOS FET スイッチング用 工業用 2SK2486はNチャネル縦型 パワー MOS FETで，スイッチング特性が優れており，各種スイッチング電源用途に最適

9n90c

Abstract: 9n50c IGBT 20N50 kmb*050n60p 7N65C 5n50c smd diode S4 58a 2N60C 2N60 MOSFET SMPS str TV SMPS
Contextual Info: Power MOS -FET Selection Guide MOS-FET 2007. 2007. First First Version Version Http://www.kec.co.kr KEC-H Corp. Product classification First & Best First & Best MOSFET MOSFET SS-MOSFET MOSFET Trench TrenchMOSFET MOSFET Planar PlanarMOSFET MOSFET Pw Pw<<1W

FM2018

Abstract: 2sk1193 2SK1368 fkv550 2SK3332 T03EB0 2SK2245 2SK2943 2SK3460 2SK3199 equivalent
Contextual Info: Bulletin No. T03EB0 Nov., 2000 MOS FET CAUTION / WARNING • The information in this publication has been carefully checked and is believed to be accurate; however, no responsibility is assumed for inaccuracies. • Sanken reserves the right to make changes without further notice to any products herein

MA 7824 3A

Abstract: 7824 3A 2SK2480 voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet IEA-631
Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

2SK2478

Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

2SK2486

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2SK2477

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2SK2482

Abstract: voltage 10v vdss 150v Id 50A mos fet
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2SK2488

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