21L1B Search Results

Contextual Info: SSM3J56MFV TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type U-MOSⅥ SSM3J56MFV ○ Load Switching Applications • • 1.2 V drive Low ON-resistance:RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V) RDS(ON) = 660 mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)

Contextual Info: SSM3K04FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K04FV High-Speed Switching Applications Optimum for high-density mounting in small packages Characteristics Symbol Rating Unit Drain-source voltage VDS 20 V Gate-source voltage VGSS 10

SSM3K38MFV

Contextual Info: SSM3K38MFV TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K38MFV ○ High-Speed Switching Applications ○ Analog Switch Applications 1.2±0.05 1 2 0.32±0.05 0.4 0.8±0.05 0.4 0.8±0.05 0.22±0.05 1.2V drive Low ON-resistance : Ron = 20 Ω max (@VGS = 1.2 V)

SSM3J15FV

Contextual Info: SSM3J15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Low on-resistance Unit: mm Unit Drain-Source voltage VDS −30 V Gate-Source voltage VGSS ±20 V DC ID −100 Pulse

SSM3K16FV

Contextual Info: SSM3K16FV 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K16FV ○ 高速スイッチング用 ○ アナログスイッチ用 : Ron = 4.0 Ω 最大 (@VGS = 2.5 V) 1.2±0.05 : Ron = 15 Ω (最大) (@VGS = 1.5 V) 絶対最大定格 (Ta = 25°C)

SSM3K16FV

Contextual Info: SSM3K16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K16FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications 1.2±0.05 : Ron = 15 Ω max (@VGS = 1.5 V) Symbol Rating Unit Drain-Source voltage Characteristics VDS 20 V Gate-Source voltage

Contextual Info: SSM3J56MFV 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 U-MOSⅥ SSM3J56MFV ○ パワーマネジメントスイッチ • • 1.2 V 駆動です オン抵抗が低い:RDS(ON) = 390 mΩ (max) (@VGS = -4.5 V) RDS(ON) = 480 mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)

Contextual Info: SSM3J36MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J36MFV ○ Power Management Switches 1.5-V drive Low ON-resistance: Ron = 3.60 Ω max (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V) : Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V) : Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)

Contextual Info: SSM3J15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm Low on-resistance Rating Unit Drain-Source voltage VDS −30 V Gate-Source voltage VGSS ±20 V DC ID −100

Contextual Info: SSM3K15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K15FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications 0.22±0.05 Unit: mm : Ron = 7.0 Ω max (@VGS = 2.5 V) 0.4 : Ron = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) Unit Drain-source voltage

Contextual Info: SSM3K03FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K03FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Low gate threshold voltage: Vth = 0.7 to 1.3 V • Optimum for high-density mounting in small packages Unit Drain-source voltage

SSM3J15FV

Contextual Info: SSM3J15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FV High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance Unit: mm : RDS ON = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V)

SSM3K37MFV

Abstract: 21l1b
Contextual Info: SSM3K37MFV 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K37MFV ○ 高速スイッチング用 ○ アナログスイッチ用 0.22±0.05 1.2±0.05 1 2 0.32±0.05 0.8±0.05 0.4 RDS ON = 5.60 Ω (max) (@VGS = 1.5 V) RDS(ON) = 4.05 Ω (max) (@VGS = 1.8 V)

Contextual Info: SSM3K44MFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type SSM3K44MFV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Compact package suitable for high-density mounting • Low ON-resistance : RDS ON = 4.0 Ω (max) (@VGS = 4 V) 1.2±0.05

SSM3K35MFV

Contextual Info: SSM3K35MFV 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K35MFV ○ 高速スイッチング用 ○ アナログスイッチ用 : Ron = 4 Ω 最大 (@VGS = 2.5 V) : Ron = 3 Ω (最大) (@VGS = 4.0 V) 項 目 記 号 定 格 VDSS

SSM3K15FV

Contextual Info: SSM3K15FV 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K15FV ○ 高速スイッチング用 ○ アナログスイッチ用 小型パッケージで高密度実装に最適 • オン抵抗が低い。 : Ron = 4.0 Ω 最大 (@VGS = 4 V)

SSM3J36MFV

Contextual Info: SSM3J36MFV 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 SSM3J36MFV ○ パワーマネジメントスイッチ 1.5 V 駆動です オン抵抗が低い : Ron = 3.60 Ω 最大 (@VGS = -1.5 V) : Ron = 2.70 Ω (最大) (@VGS = -1.8 V)

SSM3J15FV

Contextual Info: SSM3J15FV 東芝電界効果トランジスタ シリコンPチャネルMOS形 SSM3J15FV ○ 高速スイッチング用 ○ アナログスイッチ用 単位: mm 0.22±0.05 • 小型パッケージで高密度実装に最適 号 定 格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧

SSM3K35MFV

Contextual Info: SSM3K35MFV TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K35MFV ○ High-Speed Switching Applications ○ Analog Switch Applications : Ron = 4 Ω max (@VGS = 2.5 V) : Ron = 3 Ω (max) (@VGS = 4.0 V) Characteristic Symbol Rating Unit Drain–source voltage

SSM3J16FV

Contextual Info: SSM3J16FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type π-MOSVI SSM3J16FV High Speed Switching Applications Analog Switch Applications Unit: mm : RDS(ON) = 8 Ω (max) (@VGS = −4 V) : RDS(ON) = 12 Ω (max) (@VGS = −2.5 V) : RDS(ON) = 45 Ω (max) (@VGS = −1.5 V)

Contextual Info: SSM3K15AMFV 東芝電界効果トランジスタ シリコンNチャネルMOS形 SSM3K15AMFV ロードスイッチ用 目 記 号 定 格 単位 ド レ イ ン ・ ソ ー ス 間 電 圧 VDSS 30 V ゲ ー ト ・ ソ ー ス 間 電 圧 VGSS ± 20 V DC ID

ssm3k15amfv

Contextual Info: SSM3K15AMFV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type U-MOS III SSM3K15AMFV Load Switching Applications Symbol Rating Unit Drain-Source voltage VDSS 30 V Gate-Source voltage VGSS ± 20 V DC ID 100 Pulse IDP 400 Drain current Drain dissipation

Contextual Info: SSM3K36MFV TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon N-Channel MOS Type SSM3K36MFV High-Speed Switching Applications 1.5-V drive • Low ON-resistance: Ron = 1.52 Ω max (@VGS = 1.5 V) : Ron = 1.14 Ω (max) (@VGS = 1.8 V) 1.2±0.05 0.32±0.05 • 0.22±0.05

Contextual Info: SSM3J15FV TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type SSM3J15FV High-Speed Switching Applications Analog Switch Applications • Optimum for high-density mounting in small packages • Low on-resistance Unit: mm : RDS ON = 12 Ω (max) (@VGS = −4 V)