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Contextual Info: TOSHIBA 2SD1784 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS (DARLINGTON) 2 S D 1 784 Unit in mm MICRO MOTOR DRIVE, H AM M ER DRIVE APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. PO W ER AM PLIFIER APPLICATIONS. 1.6MAX. 4.6MAX. • High DC Current Gain

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Contextual Info: 2SD1784 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 ダーリントン接続 2SD1784 ○ マイクロ･モータドライブ, ハンマードライブ用 ○ スイッチング用 ○ 電力増幅用 • 直流電流増幅率が高い。

Contextual Info: SILICON NPN EPITAXIAL TYPE DARLINGTON 2SD1784 MICRO MOTOR D R I V E , HAMMER D R I V E A P P L I C A T I O N S . SWITCHI NG A P P L I C A T I O N S . POWER A M P L I F I E R A P P L I C A T I O N S . H igh DC C u r r e n t G a in : h FE= 4 0 0 0 (M in .)

Contextual Info: T O SH IB A 2SD1784 TOSHIBA FIELD EFFECT TRANSISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS (DARLINGTON) 2 S D 1 784 Unit in mm MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. • • 1.6MAX. High DC Current Gain hpE = 4000 (Min.)

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Contextual Info: 2SD1784 東芝トランジスタ シリコンNPNエピタキシャル形 ダーリントン接続 2SD1784 ○ マイクロ･モータドライブ, ハンマードライブ用 ○ スイッチング用 ○ 電力増幅用 • 直流電流増幅率が高い。

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Contextual Info: 2SD1784 TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon NPN Epitaxial Type PCT process (Darlington) 2SD1784 Micro Motor Drive, Hammer Drive Applications Switching Applications Power Amplifier Applications Unit: mm • High DC current gain: hFE = 4000 (min) (VCE = 2 V, IC = 150 mA)

Contextual Info: TOSHIBA 2SD1784 TOSHIBA FIELD EFFECT TRAN5ISTOR SILICON NPN EPITAXIAL TYPE PCT PROCESS (DARLINGTON) o <; r> 1 7 » a Unit in mm MICRO MOTOR DRIVE, HAMMER DRIVE APPLICATIONS. SWITCHING APPLICATIONS. POWER AMPLIFIER APPLICATIONS. 1.6MAX 1.7MAX. High DC Current Gain hpE = 4000 (Min.)

2N3904 331 transistor

Abstract: C549 transistor 2SK1227 transistor 1201 1203 1205 transistor C549 transistor Hand book 2N5551 2SC1815 2SK246 2n4401 331 02CZ27 transistor 737
Contextual Info: 1 • ALPHANUMERICAL INDEX • Transistors Type No. Page Type No. Page Type No. Page Type No. Page * 2N3903 — 2SA1213 163 *2SC1815(L) — * 2SC2995 — * 2N3904 — 2SA1245 167 *2SC1923 — 2SC2996 266 * 2N3905 — 2SA1255 170 *2SC1959 — 2SC3011 272

GT45F122

Abstract: TK13A60U GT30F123 2SK4207 GT30J124 IGBT GT30F123 gt30f122 GT30G122 2SC5471 IGBT GT30J124
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2009 年 7 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

GT30J124

Abstract: smd transistor h2a gt45f122 TPCP8R01 GT30F123 2sc1815 smd type smd marking 8L01 h2a smd 2SC5471 2sc5200 amplifiers circuit diagram
Contextual Info: SEMICONDUCTOR GENERAL CATALOG Transistors Bipolar Small-Signal Transistors Junction FETs Combination Products of Different Type Devices MOSFETs Bipolar Power Transistors Radio-Frequency Bipolar Small-Signal Transistors Radio-Frequency Small-Signal FETs Radio-Frequency Power MOSFETs

C1959

Abstract: nec 2405 NEC 2403 2sc4560 nec 2410 2SD2409 2sd2427 nec 2412 2SD1509 NEC 2415
Contextual Info: - sa s T y p e Ho. tt £ Manu f. = X SANYO S TOSHIBA n B NEC B ÍL HITACH I s ± a F U JIT S U fé T MATSUSHITA Z * M ITSUBISHI □ 267 — A ROHM 2SD 2403 B S 2SD1624 2SC4541 2SO 2404 fé T 2SD2426 2SD1509 2SD 2405 fé T 2SD2251 2SD1433 2SO 2406 ^ Si 2SD2202

*45F122

Abstract: GT30f124 *30g122 *30f124 IGBT GT30F124 GT30J124 GT45F122 GT30F123 TPCA*8023 GT50N322
Contextual Info: 東芝半導体製品総覧表 2010 年 1 月版 トランジスタ バイポーラ小信号トランジスタ 接合形 FET 異種混載複合デバイス MOSFET バイポーラパワートランジスタ 高周波バイポーラ小信号トランジスタ

2sc5088 horizontal transistors

Abstract: equivalent 2SC2655 2sc5858 2sC5200, 2SA1943 2sa1930 transistor equivalent 2SA1941 equivalent 2sc5570 zener diode SMD marking code 27 4F 2sc5200 audio amplifiers smd transistor h2a
Contextual Info: 2003-8 BCE0016A PRODUCT GUIDE Power Transistors 2003 http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng Toshiba Power Transistors Selection Guide by Function and Application Thank you for purchasing Toshiba semiconductor products. As you may already know, semiconductor products are used in a wide range of fields, both domestic and industrial.