ELM14604AA Search Results

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM14604AA-N •General Description ■Features ELM14604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=6.9A(Vgs=10V) Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM14604AA-N •General Description ■Features ELM14604AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=30V Id=6.9A(Vgs=10V) Rds(on) < 28mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 42mΩ(Vgs=4.5V)

Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM14604AA-N •概要 ■特長 ELM14604AA-N は低入力容量 N チャンネル P チャンネル 低電圧駆動、 低オン抵抗という特 ・ Vds=30V Vds=-30V 性を備えた大電流 MOSFET です。

复合

Abstract: ELM14604AA
Contextual Info: 复合沟道 MOSFET ELM14604AA-N •概要 ■特点 ELM14604AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=30V P 沟道 ·Vds=-30V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=6.9A Vgs=10V