ELM34608AA Search Results

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM34608AA-N •General Description ■Features ELM34608AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=60V Id=4.5A Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V)

Contextual Info: コンプリメンタリーパワー MOSFET ELM34608AA-N •概要 ■特長 ELM34608AA－N は 低 入 力 容 N チャンネル P チャンネル 量 低電圧駆動、 低オン抵抗とい ・ Vds=60V う特性を備えた大電流 MOSFET ・ Id=4.5A

复合

Abstract: ELM34608AA
Contextual Info: 复合沟道 MOSFET ELM34608AA-N •概要 ■特点 ELM34608AA-N 是低输入电容低工 N 沟道 作电压、低导通电阻的大电流 MOSFET。 •Vds=60V P 沟道 ·Vds=-60V 同时内藏有 N 沟道和 P 沟道的复合产品。 ·Id=4.5A ·Id=-3.5A

Contextual Info: Complementary MOSFET ELM34608AA-N •General Description ■Features ELM34608AA-N uses advanced trench technology to provide excellent Rds on and low gate charge. • • • • N-channel P-channel Vds=60V Id=4.5A Rds(on) < 58mΩ(Vgs=10V) Rds(on) < 85mΩ(Vgs=4.5V)