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Catalog Datasheet	MFG & Type	PDF	Document Tags
Q62702-P790 Abstract: Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62 Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features ● Hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren	Original	PDF	fet06092 fet06091 fet06090 Q62702-P790 Bpy 43 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P96 Q62702-P98 SFH402 BPY 62
diode SR 315 Abstract: sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667 Text: SFH 480, SFH 481, SFH 482 SFH 480 SFH 481 SFH 482 fet06092 fet06091 fet06090 GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 537	Original	PDF	fet06092 fet06091 fet06090 diode SR 315 sfh 482 diode E7800 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 tci 537 Q62703-Q1667
SFH400 Abstract: Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62 Text: SFH 400, SFH 401, SFH 402 SFH 400 SFH 401 SFH 402 fet06092 fet06091 fet06090 GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Semiconductor Group 501 10.95 SFH 400, SFH 401, SFH 402	Original	PDF	fet06092 fet06091 fet06090 SFH400 Q62702-P784 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPX 38 sfh 400 BPY 62
GET06090 Abstract: No abstract text available Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdiode GaAlAs Infrared Emitter SFH 460 Preliminary Data 2.7 ø4.8 ø4.6 5.3 5.0 7.4 6.6 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06090 fet06090 14.5 12.5 1.1 .9 0 Cathode Chip position 2.54mm spacing ø0.45 Wesentliche Merkmale ● Strahlung im sichtbaren Rotbereich ohne	Original	PDF	GET06090 fet06090 OHR01869 OHR01870 OHR01462 OHR01871 OHR01888 GET06090
SFH 350 V Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091	Original	PDF	GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00395 OHR01937 SFH 350 V GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98
GEO06314 Abstract: GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62 Text: GaAs-IR-Lumineszenzdiode GaAs Infrared Emitter 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g Chip position ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 package 1.1 .9 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 glass lens GET06091	Original	PDF	GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR01040 OHR01937 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62702-P784 Q62702-P786 Q62702-P787 Q62702-P790 Q62702-P96 Q62702-P98 BPY 62
GEO06314 Abstract: GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1	Original	PDF	GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00881 OHR00948 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Q62703-Q1667
isl 6251 schematic Abstract: smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs Text: SIEMENS Halbleiter-Datenblätter Im Produktbereich „Halbleiter“ konnten uns leider von SIEMENS nicht alle Daten rechtzeitig zur Verfügung gestellt werden. Wir werden uns bemühen, die Auswahl an Datenblättern dieses Bereichs für die nächste Ausgabe dieser CD zu vervollständigen.	Original	PDF	Q62702-A772 Q62702-A731 Q62702-A773 OT-23 isl 6251 schematic smd transistor A4S Siemens OFW 361 smd marking b4h 6Bs smd transistor NPN TRANSISTORS LIST ACCORDING TO CURRENT, VOLTAG Transistors Diodes smd A7H a4s smd transistor npn transistor ss100 smd transistor 6Bs
diode SR 315 Abstract: GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) welded 14.5 12.5 Chip position (2.7) 5.3 5.0 6.4 5.6 5.5 5.0 1 0.9 .1 ø5.6 ø5.3 GET06091 Radiant sensitive area 1.1 .9 1.1 0.9 ø4.8 ø4.6 ø0.45 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401	Original	PDF	GET06091 fet06091 fet06090 GEO06314 OHR00396 diode SR 315 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Q62703-Q1664 Q62703-Q1665
IR photodetectors Abstract: diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663 Text: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) 5.3 14.5 5.0 12.5 7.4 6.6 Approx. weight 0.5 g ø4.8 ø4.6 2.54 mm spacing Chip position welded 14.5 12.5 5.3 5.0 6.4 5.6 glass lens Anode = SFH 481 Cathode = SFH 401 (package) 1.1 .9 1	Original	PDF	GET06091 fet06091 GEO06314 fet06090 OHR00881 OHR00948 OHR00396 IR photodetectors diode SR 315 E7800 GEO06314 GET06013 GET06091 Q62703-Q1088 Q62703-Q1089 Q62703-Q1662 Q62703-Q1663