G1627 Search Results

hwson 6pin

Abstract: PA2452
Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

Contextual Info: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

PA1820

Contextual Info: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

PA1820

Abstract: g1627
Contextual Info: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR µ PA1820 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING PACKAGE DRAWING Unit: mm DESCRIPTION The µPA1820 is a switching device which can be driven directly by a 2.5 V power source. This device features a low on-state resistance and

Contextual Info: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR µ PA1809 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING PACKAGE DRAWING Unit: mm DESCRIPTION The µPA1809 is a switching device which can be driven directly by a 4.0 V power source. This device features a low on-state resistance and

Contextual Info: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1858 P チャネル パワーMOS FET スイッチング用 µPA1858 は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なスイッチング 外形図（単位: mm）

Contextual Info: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1809 N チャネル MOS FET スイッチング用 外形図（単位: mm） µPA1809 は，4.0 V 電源系による直接駆動が可能なスイッチング素子

PA1820

Abstract: PA1820GR9J
Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

Contextual Info: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

PA1820

Contextual Info: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA1820 N チャネル MOS FET スイッチング用 外形図（単位: mm） µ PA1820 は，2.5 V 電源系による直接駆動が可能なスイッチング素子

Contextual Info: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

Contextual Info: お客様各位 カタログ等資料中の旧社名の扱いについて 2010 年 4 月 1 日を以って NEC エレクトロニクス株式会社及び株式会社ルネサステクノロジ が合併し両社の全ての事業が当社に承継されております。従いまして、本資料中には旧社

U6000

Contextual Info: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR µ PA2452 N-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING 6 2 5 3 4 2.0±0.1 0.5±0.1 0.5±0.1 excellent switching characteristics, and is suitable for applications such as power switch of portable machine and so on.

PA1858

Contextual Info: DATA SHEET MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR µ PA1858 P-CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR FOR SWITCHING PACKAGE DRAWING Unit: mm DESCRIPTION The µPA1858 is a switching device, which can be driven directly by a 2.5 V power source. This device features a low on-state resistance and

Contextual Info: To our customers, Old Company Name in Catalogs and Other Documents On April 1st, 2010, NEC Electronics Corporation merged with Renesas Technology Corporation, and Renesas Electronics Corporation took over all the business of both companies. Therefore, although the old company name remains in this document, it is a valid

6pin hwson

Abstract: diode fr 210
Contextual Info: データ・シート MOS 形電界効果トランジスタ MOS Field Effect Transistor µ PA2452 N チャネル MOS FET スイッチング用 徴 5 3 4 ○2.5 V 駆動可能 ○低オン抵抗です。 RDS on 1 = 17.5 mΩ TYP.（VGS = 4.5 V, ID = 4.0 A）