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GCOY6101 Abstract: topled 2ma Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0283C GCOY6101 topled 2ma	PDF
GCOY6101 Abstract: osram topled Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0347C GCOY6101 osram topled	PDF
GCOY6101 Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0292C GCOY6101	PDF
DIODE 630 Abstract: GCOY6101 Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, Low Current) F 0349C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 630 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0349C DIODE 630 GCOY6101	PDF
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, Low Current) F 0348C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 605 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0348C 0348C	PDF
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 560 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (560 nm, Low Current) F 0292C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 560 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0292C 0292C	PDF
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 570 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (570 nm, Low Current) F 0283C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 570 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0283C 0283C	PDF
osram mini top LED rot Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 630 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (630 nm, Low Current) F 0349C Vorläufige Daten / Preliminary D ata Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µ m2 • Wellenlänge: 630 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0349C 0349C osram mini top LED rot	PDF
Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 590 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (590 nm, Low Current) F 0347C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 590 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0347C 0347C	PDF
0348C Abstract: GCOY6101 Contextual Info: InGaAlP-High Brightness-Lumineszenzdiode 605 nm, Low Current InGaAlP High Brightness Light Emitting Diode (605 nm, Low Current) F 0348C Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale • Chipgröße 170 x 170 µm • Wellenlänge: 605 nm • Technologie:InGaAIP	Original	0348C 0348C GCOY6101	PDF