GEOY6367 Search Results

BPX osram

Abstract: Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 80 BPX 82 … 89 Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

STR G 8654

Abstract: A673 transistor transistor A673 transistor Bu 45080 TT 2188 mx 362-0 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401 diode BZW 70-20 sfh 202 diode 3302 81a ir receiver
Contextual Info: Foreword Foreword Foreword Vorwort The information in this catalog is correct as of March 2011. Die Angaben in diesem Katalog entsprechen dem Stand März 2011. All products listed in this catalog are RoHS compliant, a fact that will be explicitly noted in the respective data sheet. For up-to-date

BPX osram

Abstract: OHRD1938 Q62703Q0073
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro Zeile • Farbe: transparent

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: DIODE B-10 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 TRANSISTOR SMD MARKING CODE r28 TRANSISTOR SMD MARKING CODE NM SFH4450 GEOY6969 SFH 4232 SFH 4740 702 transistor smd code
Contextual Info: Infrared Components ge 88 - 92 107 108 Infrared Components Summary of Types Silicon Photodetectors For moreComponents Infrared detailed product Summary information of Types andSilicon technical Photodetectors datasheets, please visit http://catalog.osram-os.com

OHRD1938

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro Zeile • Farbe: transparent

Q62702P0022

Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 …89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

diode 9306

Abstract: FA 4301 SFH 9500 SFH 5110 bpx 48 BP104 SFH 4552 SFH9240 GEOY6972 GPXY6992
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS Maßbilder in mm inch Outline Drawings dimensions in mm (inch) 0.6 (0.024) 0.4 (0.016) SFH 5110, SFH 5111 Figure 2 6.1 (0.240) 5.9 (0.232)

fototransistor BPW 39

Abstract: fototransistor BPX 81 opto P180 marking s4 diode smt SFH 300-3/4 datasheet OSRAM IR emitter IRL P3596 foto transistor SFH 229 foto sensor
Contextual Info: SI-FOTODETEKTOREN, OPTISCHE SENSOREN UND IR-LUMINESZENZDIODEN SILICON PHOTODETECTORS, OPTICAL SENSORS AND INFRARED EMITTERS SICHERHEITSHINWEISE SAFETY INSTRUCTIONS Osram Opto Semiconductor IRED erreichen mit ihrer hohen Strahlungsleistung heute z. T. bereits die Helligkeit von Glühlampen und können die Grenzen der Klasse 1 nach IEC 825.1 bzw.

Q62702P0022

Abstract: BPX osram
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays Lead Pb Free Product - RoHS Compliant BPX 80 BPX 82 … 89 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 450 nm bis 1100 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

BPX osram

Abstract: foto transistor Q62702-P21 GEOY6367 Q62702-P25 Q62702-P30 OSRAM READING LIGHT
Contextual Info: NPN-Silizium-Fototransistor Zeilen Silicon NPN Phototransistor Arrays BPX 82 … 84 Wesentliche Merkmale Features • Speziell geeignet für Anwendungen im Bereich von 440 nm bis 1070 nm • Hohe Linearität • Mehrstellige Zeilenbauform aus klarem Epoxy

Q62703-Q71

Abstract: BPX osram
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Zeilenbauform, lieferbar von 2 bis 10 Emitter pro Zeile • Farbe: transparent • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar

Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode