GMOY6078 Search Results

GMOY6078

Abstract: Q65110A0136
Contextual Info: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode 950 nm, Enhanced Power GaAs Infrared Emitting Diode (950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary Data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 24 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse • Chipgröße 300 x 300 µm2

GMOY6078

Abstract: OHRD1938
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdiode 950 nm GaAs Infrared Emitter (950 nm) F 0118G Wesentliche Merkmale Features Chipgröße 300 x 300 µm GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit Hohe Impulsbelastbarkeit Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

Contextual Info: GaAs-Infrarot-Lumineszenzdiode mit erhöhter Strahlungsleistung 950 nm GaAs Infrared Emitting Diode(950 nm, Enhanced Power) F 0118G Vorläufige Daten / Preliminary data Wesentliche Merkmale Features • Typ. Gesamtleistung: 20 mW @ 100 mA im TOPLED Gehäuse