HALBLEITERBAUELEMENTE Search Results

GY 123

Abstract: SY 170 gd 241 c gd241c funkamateur sy 166 sy 164 VSF203 VSF200 SF 127
Contextual Info: Preisliste für Halbleiterbauelemente gültig ab 18. November 1969 Type EVP alt M ark EVP neu M ark Germanium- und Silizium-Gleichrichter GY 099 GY 100 GY 101 GY 102 GY 103 GY 104 GY 105 GY 109 GY 110 GY 111 GY 112 GY 113 GY 114 GY 115 GY 120 GY 121 GY 122

T112-16

Abstract: Halbleiterbauelemente DDR Datenblattsammlung Tesla katalog tesla schaltkreise mikroelektronik datenblattsammlung VEB mikroelektronik mikroelektronik RFT mikroelektronik DDR rft katalog
Contextual Info: Di vorliegenden Datenblätter dienen nur sur- Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente ©ingestuften Sortimente© Aus den Datenblättern können keine Liefer- oder ProduktVer­ bindlichkeiten abgeleitet werden*

keramische Werke Hermsdorf

Abstract: Mischstufen VEB Keramische Werke OA741 OA645 OA625 hermsdorf OA665 neue halbleiterbauelemente Amateur
Contextual Info: HalbleiterBauelemente Dioden Germanium dioden Type Durchlaß­ spannung U a k IVI Durchlaß­ strom Sperr­ spannung lA K l m A l U k a |V| Sperrstrom IKA li'AI max. zuläss. Sperr­ spannung jEä max. zuass. Durchlaß­ strom UKAma* IVI ^AKmax !mAl Bau­

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: Dioden SY 250 diode sy-250 B250C135 u103d GD244 transistor gc 301 SAM42 diode sy 166 D172C
Contextual Info: electronic Halbleiter-Bauelemente Die vorliegende Übersicht enthält in gedrängter Form die wichtigsten Grenz-und Kenndaten der in der DDR getertigten Halbleiterbauelemente. Die Kennwerte werden im allgemeinen für eine Umgebungs­ temperatur von 25 °C angegeben.

transistors EB202

Abstract: EB202 transistor EB202 EB202 transistor TL7726 Texas Germanium
Contextual Info: EB202 Spannungsbegrenzer EB202 SPANNUNGSBEGRENZERSCHALTUNG TL7726 Verfasser: Eilhard Haseloff Datum: 17.01.1992 Rev.: * Überarbeitet 13.01.1995 Texas Instruments 1 Applikationslabor EB202 Spannungsbegrenzer In vielen Anwendungen läßt es sich nicht verhindern, Halbleiterbauelemente in

diode SY 192

Abstract: KP902A Datenblattsammlung Halbleiterbauelemente DDR VEB mikroelektronik transistor kp mikroelektronik datenblattsammlung "halbleiterwerk frankfurt" KP306a mikroelektronik DDR
Contextual Info: . • M ' - l ä r o u jk 1 U ’i m - í!Í'.>. "lA T T S A M M . 'Q elektronische Bauelemente IWT iO 1/87 I# %# S Die vorliegenden Datenblätter dienen nur zur Information« Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in den Listen elektronischer Bauelemente eingestuften Sortiments«

Halbleiterbauelemente DDR

Abstract: diode BZW 70-20 VEB mikroelektronik Datenblattsammlung mikroelektronik DDR aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik datenblattsammlung mikroelektronik applikation information applikation mikroelektronik "halbleiterwerk frankfurt"
Contextual Info: 9 ¡M i n M W V S I I V I S N l l ¥ a Die vorliegenden Datenblätter dienen als Informationsmaterial für Geräteentwickler und Konstrukteure, Sie beinhalten Informationen über Halbleiterbauelemente des in "den Listen elektronischer Baulemente eingestuften Sortiments.

B084D

Abstract: DL074D 74LS74N transistor vergleichsliste TRANSISTOR 132D VEB mikroelektronik schlenzig B4761D B761D B176D
Contextual Info: Neue Halbleiterbauelemente KLAUS SCHLENZIG/ DIETER JUNG Operations­ verstärker LowPower- SchottkyReihe KLAUS SCHLENZIG/DIETER JUNG Neue Halbleiter­ bauelemente Operationsverstärker und Low-Power-Schottky-Reihe Militärverlag der D eutschen Demokratischen

RPY 86

Abstract: valvo halbleiter RPY94 CQY 24 BV EI 30-20 3001 LDR 03 diode byx 64 600 valvo transistoren KP101A BAV99-1
Contextual Info: Elektronik. Wir bauen die Elemente. v a i v D Halbleiterbauelemente Produktprogramm DH, April 1984 Elektronik. Wir bauen die Elemente Unser Arbeitsgebiet - besonders die Mikroelektronik - entwickelt sich immer rascher zum Motor für eine Vielzahl von Innovationen. Mit gründ­

VEB mikroelektronik

Abstract: Datenblattsammlung SY 625 V40511D mikroelektronik datenblattsammlung Diode KD 514 KD512A mikroelektronik Berlin "halbleiterwerk frankfurt" VEB Kombinat mikroelektronik Erfurt
Contextual Info: \ñ ñ lB rW *m X S á B Í4 ti& * 311' ill c e l e k t r o n i k - b a u e i e m e n t e ? 2/86 . Die vorliegenden Datenblätter beinhalten Listen i Infonmatic-aen ü b e r elektronischer Sie können abgeleitet beinhalten n ur z u r Information» Halbleiterbauelemente

SAL 41

Abstract: SMY52 SMY60 GAZ17 Funkamateur GY102 smy50 SMY51 germanium GY100
Contextual Info: FUNKAMATEUR-Tabellen Halbleiterbauelemente aus der DDR-Produktion 1980 Typ Plot UDs U gs UGB V U DB mW V U dg Si-MOSFGT n-Kanal-Verarm ungstyp 20 SM 103 150 -1 5 /+ 5 SM 104 150 20 -1 5 /+ 5 U sb Id y 21 Bei V - U T Bei Re Id |aA T mA V erw endung A sc sc

E412D

Abstract: information applikation information applikation mikroelektronik applikation heft Mikroelektronik Information Applikation mikroelektronik Heft "Mikroelektronik" Heft mikroelektronik Heft 12 aktive elektronische bauelemente ddr mikroelektronik DDR
Contextual Info: innjolkiij ii l _!Il j I h Information Applikation L . i m in i l- c Die vorliegende technische Information dient dea Informati. bedürfnis des Schaltungsentwicklers sowie interessierten Technikers im In- und Ausland eu speziellen aasgewählten Erzeugnissen der Halbleiterbauelemente-Industrie der

NATIONAL IGBT

Abstract: IGBT Power Module siemens ag high temperature reverse bias Semiconductor Group igbt high temperature reverse bias IGBT
Contextual Info: Qualität und Zuverlässigkeit Quality and Reliability 1 Qualität 1 Quality Der Bereich Halbleiter HL der Siemens AG plant, entwickelt, fertigt und vertreibt ein breites Spektrum von HalbleiterBauelementen und optoelektronischen Komponenten und erbringt die dazu

0642

Contextual Info: APPLICATION NOTE Seite 1 von 2 Thermische Ersatzschaltbilder Das thermische Verhalten von Halbleiterbauelementen läßt sich in Form verschiedener Ersatzschaltbilder beschreiben: Kettenbruchschaltung Tj Tcase Die Kettenbruchschaltung spiegelt den physikalischen Aufbau des Halbleiters - Wärmekapazitäten mit dazwischengeschalteten Wärmewiderständen - wider. Den einzelnen RC-Gliedern sind eindeutig der Schichtenfolge des Moduls Chip, Lot, Substrat, Bodenplatte zuordbar.

Contextual Info: European PowerSemiconductor and Electronics Company GmbH + Co. KG Marketing Information FS 300 R 12 KF4 61,5 61,5 M6 13 190 31,5 171 57 2,8x0,5 U V CX CU CY W CV CZ CW 4 deep 3,35 5,5 26,4 7 5 3x5=15 GX EX EU GU GY EY EV GV + + Cu Cv Cw Gu Gv Gw Eu Ev Ew Cx

FD401R17KF6CB2

Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FD 401 R 17 KF6C B2 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung

DD1200S33K2C

Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules DD1200S33K2C Vorläufige Daten preliminary data Diode-Wechselrichter / diode-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values $ % ' * +, '() * +, 23 % 7 28 & 1 5*" & -. * & :

FZ1600R12KE3

Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FZ1600R12KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage

IGBT module FZ 1200 R17

Abstract: FZ400R17KE3 fz 1600 r17 ke3
Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ 400 R17 KE3 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage

BSM300GB120DLC

Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM300GB120DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom

NF 838 G

Abstract: FZ2400R17KF6C
Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules FZ2400R17KF6C B2 Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom

bsm 256

Abstract: igbt module bsm 300 Al2O3
Contextual Info: Technische Information / Technical Information IGBT-Module IGBT-Modules BSM 300 GB 60 DLC Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Kollektor-Emitter-Sperrspannung collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom

FS25R12KT3

Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-modules FS25R12KT3 Vorläufige Daten preliminary data IGBT-Wechselrichter / IGBT-inverter Höchstzulässige Werte / maximum rated values !" " # # # " 0* 8 9 > " + ? > # !" " " # 9 $%& ' * +,-.

FS15R06XL4

Abstract: wechselrichter
Contextual Info: Technische Information / technical information IGBT-Module IGBT-Modules FS15R06XL4 vorläufige Daten preliminary data Höchstzulässige Werte / maximum rated values Elektrische Eigenschaften / electrical properties Kollektor Emitter Sperrspannung collector emitter voltage