ID00338 Search Results

A1006

Abstract: d1207
Contextual Info: SCH2825 注文コード No. N A 1 0 0 6 三洋半導体データシート N SCH2825 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオ−ドを 1 パッケージに内蔵した複合タイプ

A0780

Abstract: MCH3307 MCH5836 SS10015M a07801
Contextual Info: MCH5836 注文コード No. N A 0 7 8 0 A 三洋半導体データシート 半導体データシート No.NA0780 をさしかえてください。 MCH5836 MOSFET : P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード

SCH1417

Abstract: SCH2817 SS05015SH Vgs mosfet TB-00001069
Contextual Info: SCH2817 注文コード No. N 8 1 5 5 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード SCH2817 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1417）

Contextual Info: SCH2825 Ordering number : ENA1006A SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode SCH2825 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

ic 74243

Abstract: MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841
Contextual Info: Ordering number : ENN7424 MCH5815 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5815 DC / DC Converter Applications 0.25 • [MCH5815] 0.25 Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3317 and a Schottky Barrier Diode (SBS007M) 2195

Contextual Info: MCH5835 Ordering number : ENA0655 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)

74243

Abstract: 74241 MCH3317 MCH5815 SBS007M TA-3841 74242
Contextual Info: 注文コード No. N 7 4 2 4 MCH5815 三洋半導体データシート N MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード MCH5815 特長 DC / DC コンバータ用 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3317）とショットキバリアダイオード（SBS007M）を

SCH1406

Abstract: SCH2806
Contextual Info: SCH2806 注文コード No. N 7 7 4 4 三洋半導体データシート N SCH2806 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（SCH1406）

SCH2821

Contextual Info: SCH2821 注文コード No. N 8 3 6 8 三洋半導体データシート N SCH2821 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに内蔵した

Contextual Info: MCH5839 Ordering number : ENA2165 SANYO Semiconductors DATA SHEET MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5839 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode

SCH2821

Contextual Info: SCH2821 Ordering number : ENN8368 SCH2821 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Contextual Info: SB05-03Q Ordering number : EN3867B SANYO Semiconductors DATA SHEET SB05-03Q Schottky Barrier Diode 30V, 500mA Rectifier Applications • High frequency rectification switching regulators, converters, choppers Features • • • • • Fast reverse recovery time (trr max=10ns)

a0670-1

Abstract: CPH5855
Contextual Info: CPH5855 Ordering number : ENA0670 CPH5855 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

CPH5856

Abstract: TC-00000403 marking YJ AM
Contextual Info: CPH5856 Ordering number : ENA0687 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH5856 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • DC / DC converters. Features • Composite type with a N-channel sillicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package

Contextual Info: SCH2819 SCH2819 Ordering number : ENN8291 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)

SCH2819

Abstract: SCH1419 8-2914
Contextual Info: SCH2819 注文コード No. N 8 2 9 1 三洋半導体データシート N SCH2819 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1419）

D1004

Abstract: MCH3405 MCH5811 SS10015M 40V 60A MOSFET SS1001
Contextual Info: MCH5811 注文コード No. N 8 0 5 9 三洋半導体データシート N MCH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3405 とショットキバリアダイオード

SCH2810

Contextual Info: SCH2810 注文コード No. N 8 2 4 6 三洋半導体データシート N SCH2810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに

Contextual Info: Ordering number : ENA2165 MCH5839 P-Channel Power MOSFET http://onsemi.com –20V, –1.5A, 266mΩ, Single MCPH5 with Schottky Diode Features • • • • Composite type with an P-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode contained in one package facilitating high-density mounting

SCH1417

Abstract: SCH2817 SS05015SH TB-00001069
Contextual Info: SCH2817 Ordering number : ENN8155 SCH2817 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1417 and a Schottky Barrier Diode (SS05015SH)

a04466

Abstract: 82306 marking QJ SCH1305 SCH2809
Contextual Info: SCH2809 Ordering number : ENA0446 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2809 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET SCH1305 and a Schottky barrier diode (SBS018) contained

82306

Abstract: SCH2811
Contextual Info: SCH2811 Ordering number : ENA0440 SANYO Semiconductors DATA SHEET SCH2811 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package

MCH3447

Abstract: MCH5824 marking xa
Contextual Info: MCH5824 Ordering number : ENN8201 MCH5824 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3447 and a schottky barrier diode (SS05015)

A0670

Abstract: a0670-1 CPH5855
Contextual Info: CPH5855 注文コード No. N A 0 6 7 0 三洋半導体データシート N CPH5855 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。