3LN03SS
Abstract: is350 marking YG
Text: 3LN03SS Ordering number : ENN8231 N-Channel Silicon MOSFET 3LN03SS General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 2.5V drive. High ESD Voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].
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Original
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PDF
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3LN03SS
ENN8231
3LN03SS
is350
marking YG
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MCH3307
Abstract: SBS004 ENN8235 2171A
Text: CPH5838 Ordering number : ENN8235 CPH5838 MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • DC / DC converters. Composite type with a P-Channel Sillicon MOSFET MCH3307 and a Schottky Barrier Diode (SBS004)
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Original
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PDF
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CPH5838
ENN8235
MCH3307)
SBS004)
MCH3307
SBS004
ENN8235
2171A
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3LP03M
Abstract: TYP300V
Text: 3LP03M 注文コード No. N 8 1 5 4 3LP03M P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 ・高静電耐量 TYP300V [ゲート・ソース間保護用片側 Di 内蔵]。
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Original
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PDF
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3LP03M
TYP300V)
120mA
120mA,
IT07659
--10V
--15V
IT08164
IT08166
3LP03M
TYP300V
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MCH6629
Abstract: D1306 TYP300V
Text: MCH6629 注文コード No. N 8 2 3 9 A 三洋半導体データシート 半導体ニューズ No.N8239 をさしかえてください。 MCH6629 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長
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Original
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PDF
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MCH6629
N8239
TYP300V)
900mm2
IT08166
IT09251
IT09252
IT09253
MCH6629
D1306
TYP300V
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CPH5811
Abstract: MCH3406 SBS004 2171A marking QM
Text: CPH5811 Ordering number : ENN8234 CPH5811 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode DC / DC Converter Applications Features • Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET MCH3406 and a Schottky Barrier Diode (SBS004) contained in one package facilitating high-density mounting.
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Original
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PDF
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CPH5811
ENN8234
MCH3406)
SBS004)
CPH5811
MCH3406
SBS004
2171A
marking QM
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SCH2810
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2810 注文コード No. N 8 2 4 6 三洋半導体データシート N SCH2810 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・P チャネル MOS 形電界効果トランジスタとショットキバリアダイオードを 1 パッケージに
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Original
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PDF
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SCH2810
900mm2
22805PE
TB-00001168
IT06804
IT06805
IT06806
IT06807
SCH2810
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MARKING JB
Abstract: transistor 2222a data sheet ECH8302 IT09329
Text: ECH8302 Ordering number : ENN8247 P-Channel Silicon MOSFET ECH8302 General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions Ratings Unit Drain-to-Source Voltage
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Original
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PDF
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ECH8302
ENN8247
900mm2
MARKING JB
transistor 2222a data sheet
ECH8302
IT09329
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SCH2810
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2810 Ordering number : ENN8246 SCH2810 Features • • • MOSFET : P-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Composite type with a P-channel sillicon MOSFET and a Schottky barrier diode contained in one package
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Original
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PDF
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SCH2810
ENN8246
SCH2810
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MCH3435
Abstract: No abstract text available
Text: MCH3435 Ordering number : ENN8238 N-Channel Silicon MOSFET MCH3435 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].
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Original
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PDF
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MCH3435
ENN8238
900mm2
MCH3435
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CPH6314
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6314 注文コード No. N 8 2 3 6 三洋半導体データシート N CPH6314 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・4V 駆動。
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Original
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PDF
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CPH6314
1200mm2
IT04500
--10V
1200mm2
IT04501
IT04502
CPH6314
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MCH3406
Abstract: SBS004 CPH5811 2171A 4863s
Text: CPH5811 注文コード No. N 8 2 3 4 三洋半導体データシート N CPH5811 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 特長 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ MCH3406 とショットキバリアダイオード(SBS004)を 1 パッケージに
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Original
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PDF
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CPH5811
MCH3406)
SBS004)
600mm2
22805PE
TB-00001212
IT00624
IT00623
MCH3406
SBS004
CPH5811
2171A
4863s
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MCH6629
Abstract: 8239 D1306
Text: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V
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Original
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PDF
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MCH6629
EN8239A
MCH6629
8239
D1306
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MCH6629
Abstract: 8239 D1306
Text: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V
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Original
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PDF
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MCH6629
EN8239A
MCH6629
8239
D1306
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2171a
Abstract: MCH3307 SBS004 CPH5838
Text: CPH5838 注文コード No. N 8 2 3 5 三洋半導体データシート N CPH5838 MOSFET : P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・DC / DC コンバータ用。
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Original
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PDF
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CPH5838
MCH3307
SBS004
600mm2
22805PE
TB-00001210
IT00624
IT00623
2171a
MCH3307
CPH5838
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3LN03SS
Abstract: D2006 TYP300V IT08161 IT07519
Text: 3LN03SS 注文コード No. N 8 2 3 1 三洋半導体データシート N 3LN03SS N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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PDF
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3LN03SS
TYP300V)
180mA
180mA,
IT07518
IT07516
IT07514
IT07519
IT07521
3LN03SS
D2006
TYP300V
IT08161
IT07519
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CPH6314
Abstract: No abstract text available
Text: CPH6314 Ordering number : ENN8236 CPH6314 P-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. High-speed switching. 4V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Conditions
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Original
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PDF
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CPH6314
ENN8236
1200mm2
CPH6314
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8239
Abstract: MCH6629
Text: MCH6629 Ordering number : ENN8239 P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].
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Original
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PDF
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MCH6629
ENN8239
8239
MCH6629
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