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ECH8301 Abstract: MPF330 Contextual Info: ECH8301 注文コード No. N 8 3 6 7 三洋半導体データシート N ECH8301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。	Original	ECH8301 900mm2 --40A IT05145 900mm2 IT05147 IT05148 ECH8301 MPF330	PDF
ECH8301 Contextual Info: ECH8301 Ordering number : ENN8367 P-Channel Silicon MOSFET ECH8301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switcing. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol	Original	ECH8301 ENN8367 900mm2 ECH8301	PDF

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ECH8301

Abstract: MPF330
Contextual Info: ECH8301 注文コード No. N 8 3 6 7 三洋半導体データシート N ECH8301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・2.5V 駆動。

Original

ECH8301 900mm2 --40A IT05145 900mm2 IT05147 IT05148 ECH8301 MPF330

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ECH8301

Contextual Info: ECH8301 Ordering number : ENN8367 P-Channel Silicon MOSFET ECH8301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switcing. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol

Original

ECH8301 ENN8367 900mm2 ECH8301

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