MCH3443
Abstract: No abstract text available
Text: Ordering number : ENN7531 MCH3443 N-Channel Silicon MOSFET MCH3443 Ultrahigh-Speed Switching Applications Features • • Low ON-resinstance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. unit : mm 2167A [MCH3443] 0.3 0.25 • Package Dimensions 0.15 0.25 2 1 0.65
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Original
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PDF
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ENN7531
MCH3443
MCH3443]
MCH3443
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: MCH5835 Ordering number : ENA0655 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
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Original
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PDF
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ENA0655
MCH5835
MCH3443)
SS0503SH)
A0655-6/6
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Untitled
Abstract: No abstract text available
Text: SCH2819 SCH2819 Ordering number : ENN8291 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)
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Original
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PDF
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SCH2819
ENN8291
SCH1419)
SS0503)
SCH2819/D
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CPH3449
Abstract: No abstract text available
Text: CPH3449 Ordering number : ENA0953 SANYO Semiconductors DATA SHEET CPH3449 N-Channel Silicon MOSFET General-Purpose Switching Device Applications Features • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Drain-to-Source Voltage
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Original
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CPH3449
ENA0953
900mm20
A0953-4/4
CPH3449
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SCH2819
Abstract: SCH1419 8-2914
Text: SCH2819 注文コード No. N 8 2 9 1 三洋半導体データシート N SCH2819 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード 汎用スイッチングデバイス 特長 ・N チャネル MOS 型電界効果トランジスタ（SCH1419）
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Original
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PDF
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SCH2819
SCH1419
SS0503
900mm2
62005PE
TB-00001351
IT07928
IT08187
SCH2819
SCH1419
8-2914
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marking ku
Abstract: SCH1419
Text: SCH1419 Ordering number : ENN8253 N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 2.5V drive. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol
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Original
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PDF
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SCH1419
ENN8253
900mm2
marking ku
SCH1419
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SCH2819
Abstract: SCH1419
Text: SCH2819 Ordering number : ENN8291 SCH2819 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with a N-Channel Silicon MOSFET SCH1419 and a Schottky Barrier Diode (SS0503)
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Original
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PDF
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SCH2819
ENN8291
SCH1419)
SS0503)
SCH2819
SCH1419
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MCH3443
Abstract: MCH5809 SBS006M
Text: 注文コード No. N 7 5 2 5 MCH5809 三洋半導体データシート N MCH5809 特長 MOSFET : N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード DC / DC コンバータ用 ・N チャネル MOS 形電界効果トランジスタ（MCH3443）とショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5809
MCH3443
SBS006M
900mm2
IT05808
IT00633
IT00634
IT05809
MCH3443
MCH5809
SBS006M
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MCH5835
Abstract: MCH3443 SS0503SH
Text: MCH5835 注文コード No. N A 0 6 5 5 A 三洋半導体データシート 半導体デ−タシート No.NA0655 をさしかえてください。 MCH5835 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード
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Original
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PDF
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MCH5835
NA0655
MCH3443)
SS0503SH)
900mm2
O3107
20707PE
TC-00000517
A0655-1/6
MCH5835
MCH3443
SS0503SH
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MCH5835
Abstract: MCH3443 SS0503SH
Text: MCH5835 Ordering number : ENA0655A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5835 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • Composite type with an N-channel silicon MOSFET MCH3443 and a schottky barrier diode (SS0503SH)
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Original
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PDF
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MCH5835
ENA0655A
MCH3443)
SS0503SH)
A0655-6/6
MCH5835
MCH3443
SS0503SH
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SCH1419
Abstract: No abstract text available
Text: SCH1419 注文コード No. N 8 2 5 3 三洋半導体データシート N SCH1419 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。
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Original
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SCH1419
900mm2
800mA
800mA,
400mA,
IT06109
900mm2
IT09339
IT09340
SCH1419
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v215s
Abstract: SCH1419
Text: SCH1419 注文コード No. N 8 2 5 3 SCH1419 N チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ 汎用スイッチングデバイス 特長 ・低オン抵抗。 ・超高速スイッチング。 ・2.5V 駆動。 絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃
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Original
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PDF
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SCH1419
900mm2
800mA
800mA,
400mA,
IT06109
900mm2
IT09339
IT09340
v215s
SCH1419
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MCH3443
Abstract: MCH5809 SBS006M marking QJ
Text: Ordering number : ENN7525 MCH5809 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode MCH5809 DC / DC Converter Applications Features Package Dimensions Composite type with an N-Channel Sillicon MOSFET unit : mm MCH3443 and a Schottky Barrier Diode (SBS006M) 2195
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Original
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PDF
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ENN7525
MCH5809
MCH3443)
SBS006M)
MCH5809]
MCH3443
MCH5809
SBS006M
marking QJ
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