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SCH2301 Contextual Info: SCH2301 Ordering number : EN8974 SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET SCH2301 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2301 incorporates two elements in the same package which are P-channel MOSFETs, thereby enabling	Original	SCH2301 EN8974 SCH2301	PDF
MCH6629 Abstract: D1306 TYP300V Contextual Info: MCH6629 注文コード No. N 8 2 3 9 A 三洋半導体データシート半導体ニューズ No.N8239 をさしかえてください。 MCH6629 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長	Original	MCH6629 N8239 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT09251 IT09252 IT09253 MCH6629 D1306 TYP300V	PDF
SCH2301 Abstract: TYP300V Contextual Info: SCH2301 注文コード No. N 8 9 7 4 三洋半導体データシート N SCH2301 P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	SCH2301 TYP300V) 900mm2 IT08166 IT08165 900mm2 IT08470 IT08471 SCH2301 TYP300V	PDF
SCH2601 Contextual Info: SCH2601 Ordering number : ENN8329 N-Channel and P-Channel Silicon MOSFETs SCH2601 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • The SCH2601 incorporates two elements in the same package which are N-channel MOSFETs, thereby enabling	Original	SCH2601 ENN8329 SCH2601	PDF
MCH6629 Abstract: 8239 D1306 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V	Original	MCH6629 EN8239A MCH6629 8239 D1306	PDF
MCH6629 Abstract: 8239 D1306 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : EN8239A SANYO Semiconductors DATA SHEET P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V	Original	MCH6629 EN8239A MCH6629 8239 D1306	PDF
SCH2601 Abstract: TYP300V Contextual Info: SCH2601 注文コード No. N 8 3 2 9 三洋半導体データシート N SCH2601 N チャネルおよび P チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	SCH2601 TYP300V 900mm2 350mA 350mA, 200mA, IT08166 900mm2 IT09569 SCH2601	PDF
8239 Abstract: MCH6629 Contextual Info: MCH6629 Ordering number : ENN8239 P-Channel Silicon MOSFET MCH6629 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.5V drive. High ESD voltage TYP 300V [Built-in one side diode for protection between Gate-to-Source].	Original	MCH6629 ENN8239 8239 MCH6629	PDF