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ECH8631 Contextual Info: ECH8631 注文コード No. N 8 2 7 4 ECH8631 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・2.5V 駆動。・複合タイプであり高密度実装可能。絶対最大定格 Absolute Maximum Ratings / Ta=25℃	Original	ECH8631 900mm2 IT09299 --40A 900mm2 IT09300 IT09301 ECH8631	PDF
MARKING FZ Abstract: ECH8631 Contextual Info: ECH8631 Ordering number : ENN8274 P-Channel Silicon MOSFET ECH8631 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C	Original	ECH8631 ENN8274 900mm20 MARKING FZ ECH8631	PDF
ECH8631 Abstract: 2206B Contextual Info: ECH8631 注文コード No. N 8 2 7 4 三洋半導体データシート N ECH8631 P チャネル MOS 形シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・2.5V 駆動。・複合タイプであり高密度実装可能。	Original	ECH8631 900mm2 IT09299 --40A 900mm2 IT09300 IT09301 ECH8631 2206B	PDF
MARKING FZ Contextual Info: ECH8631 Ordering number : ENN8274 P-Channel Silicon MOSFET ECH8631 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Low ON-resistance. 2.5V drive. Composite type, facilitating high-density mounting. Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C	Original	ENN8274 ECH8631 900mm2 MARKING FZ	PDF