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SS1001 Abstract: MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72 Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781 SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M	Original	PDF	MCH5837 ENA0781 SS10015M) A0781-6/6 SS1001 MCH5837 mosfet yb SS10015M TA72
MCH6646 Abstract: MARKING WW Text: MCH6646 Ordering number : ENA0112 N-Channel Silicon MOSFET MCH6646 General-Purpose Switching Device Applications Features • • • • Low ON-resistance. Ultrahigh-speed switching. 1.8V drive. Composite type with 2 MOSFETs contained in a single package, facilitating high-density mounting.	Original	PDF	MCH6646 ENA0112 900mm2 A0112-4/4 MCH6646 MARKING WW
MCH6646 Abstract: IT10338 Text: MCH6646 注文コード No. N A 0 1 1 2 MCH6646 N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ汎用スイッチングデバイス特長・低オン抵抗。・超高速スイッチング。・1.8V 駆動。・MOS 型電界効果トランジスタを 1 パッケージに 2 素子内蔵した複合タイプであり高密度実装が可能である。	Original	PDF	MCH6646 900mm2 IT10334 900mm2 IT10337 A0112-3/4 IT10338 A0112-4/4 MCH6646 IT10338
SS1001 Abstract: ENA0781A MCH5837 SS10015M Text: MCH5837 Ordering number : ENA0781A SANYO Semiconductors DATA SHEET MCH5837 MOSFET : N-Channel Silicon MOSFET SBD : Schottky Barrier Diode General-Purpose Switching Device Applications Features • • • Composite type with an N-channel silicon MOSFET and a schottky barrier diode SS10015M	Original	PDF	MCH5837 ENA0781A SS10015M) A0781-6/6 SS1001 ENA0781A MCH5837 SS10015M
yb 27 BR MOSFET Abstract: MCH5837 SS10015M SS1001 A0781 Text: MCH5837 注文コード No. N A 0 7 8 1 A 三洋半導体データシート半導体データシート No.NA0781 をさしかえてください。 MCH5837 MOSFET : N チャネル MOS 型シリコン電界効果トランジスタ SBD : ショットキバリアダイオード	Original	PDF	MCH5837 NA0781 SS10015M) 900mm2 41807PE TC-00000616 A0781-1/6 IT07150 yb 27 BR MOSFET MCH5837 SS10015M SS1001 A0781