LUMINESZENZDIODEN Search Results

4580

Abstract: opto 2505 SFH4585 fotodiod
Contextual Info: GaAlAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm in SMR Gehäuse GaAlAs Infrared Emitters (880 nm) in SMR® Package Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant SFH 4580 SFH 4585 SFH 4580 SFH 4585 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAlAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad

SFH 485-2

Contextual Info: SIEM ENS GaAIAs-IR-Lumineszenzdioden 880 nm GaAIAs Infrared Emitters (880 nm) SFH 484 SFH 485 A rea not flat • ■ Cathode GEX06271 Approx. weight 0.5 g Area not flat 9.0 Cathode 8.2 CO I LO oo E 05 7.8 7.5 Js«_ 'S LO Q C\J LO t T Q Q CO 1.5 4.8 4.2 29

GE006367

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 . LD 269 Chip 2.54 mm spacing GE006367 Cathode LD 263 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale Features

4510

Abstract: d 4515 GEOY6960 GEOY6968 OHRD1938 Q62702-P1798 Q62702-P1821
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden 950 nm in SMR Gehäuse GaAs Infrared Emitters (950 nm) in SMR® Package SFH 4510 SFH 4515 SFH 4510 SFH 4515 Wesentliche Merkmale Features • • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad SMR® (Surface Mount Radial) Gehäuse

BPX osram

Abstract: Q62703-Q72 GEOY6367 OHRD1938 Q62703-Q70 Q62703-Q71
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 262 … LD 264 Wesentliche Merkmale Features • • • • • • • • • • GaAs-IR-Lumineszenzdiode Hohe Zuverlässigkeit Gruppiert lieferbar Gehäusegleich mit BPX 80-Serie Miniatur-Gehäuse

Contextual Info: SIEMENS GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-IR-Lumineszenzdioden, hergestellt im Schmelzepitaxieverfahren • Gute Linearität /e = /[/p ] bei hohen Strömen • Sehr hoher Wirkungsgrad

OHRD1938

Abstract: Q62702-P1137
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters Lead Pb Free Product - RoHS Compliant SFH 415 Wesentliche Merkmale Features • • • • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad Hohe Zuverlässigkeit UL Version erhältlich Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger

OHRD1938

Abstract: Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale Features • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

transistor 415

Abstract: OHRD1938 Q62702-P1137 Q62702-P1139 Q62702-P296
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden GaAs Infrared Emitters SFH 415 SFH 416 SFH 415 SFH 416 Wesentliche Merkmale • GaAs-LED mit sehr hohem Wirkungsgrad • Hohe Zuverlässigkeit • Gute spektrale Anpassung an Si-Fotoempfänger • SFH 415: Gehäusegleich mit SFH 300,

CQX35

Abstract: CQX37 CQX37A 77206 CQX36 Scans-0010326 CQX 35 Anzeige V135PL
Contextual Info: <Üüfe> CQX 35 • CQX 36 • CQX 37 V 135 PL Rot-, grün- und gelbleuchtende Lumineszenzdioden (GaAsP und GaP) Red, green and yellow Light Emitting Diodes (GaAsP and GaP) Anwendung: Allgem eine Anzeige- und B eleuchtungszw ecke Application: General indicating and illum ination purposes

IR diodes TFK 4 245

Abstract: TFK 751 IR diodes TFK 4 940 TFK 940 IR diodes TFK 4 7313 28 pin TFK 925 TFK diodes CQY 65 TFK diodes application
Contextual Info: CQY 36 • CQY 37 Galiliumarsenid-Lumineszenzdioden Ga>4s Infrared Emitting Diodes Anw endung: Strahlungsquelle im nahen Infrarot-Bereich Application: Radiation source in near infrared range Besondere M erkm ale: Features: • Kunststoff-M iniaturgehäuse

TRANSISTOR SMD MARKING CODE 3401

Abstract: Q65110A6342 TRANSISTOR SMD MARKING CODE 702 fototransistor BPW 39 SFH415U sidelooker smd DIODE transistor smd 3401 SFH 4740 LPT80 BPY62
Contextual Info: Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden 107 Silicon Photodetectors, Optical Sensors and Infrared Emitters Si-Fotodetektoren, Optische Sensoren und IR-Lumineszenzdioden. 111

OHRD1938

Abstract: Q62703-Q70 Q62703-Q71 Q62703-Q72 Q62703-Q73 Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78
Contextual Info: GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays LD 260 LD 262 … LD 269 Wesentliche Merkmale • GaAs-IR-Lumineszenzdiode • Hohe Zuverlässigkeit • Gruppiert lieferbar • Gehäusegleich mit BPX 80-Serie • Miniatur-Gehäuse Features • GaAs infrared emitting diode

LW T67C-S2U1-35

Abstract: T676-P1Q1-1 Q62703-Q6301 LO T676-Q2R2-24 Q62703Q4895 LA T676-Q1R2 Q62703-Q5026 Q62703-Q6349 Q62703Q4976 E675-U1V2-26-1
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area Hyper TOPLED ΦV [mlm] IV [mcd] at IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer (50% IV) Ordering code

Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES RADIALE LED RADIAL LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. Gehäusefarbe Emission Color ΦV [mlm] IV [mcd] [nm] 5 mm LED at 2ϕ (typ.) Bestellnummer (50% IV) Ordering code Fig. IF [mA] [deg]. 5 mm LED

Q62703-Q4999

Abstract: LWA67C-T1U2-3C5D Q62703-Q5030 A679-E1F1 A672-M2 A679-E2F2-1 LA M776-P2Q2-1 A679-F1G2-1 Q62703Q5072
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES SMT-LED SMT-LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. [nm] Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of light emitting area Mini TOPLED RG (Reverse Gullwing) through-hole ΦV [mlm] IF 2ϕ (typ.) Bestellnummer

DRAGON EYE

Abstract: osram LED dragon tape
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES HINWEISE NOTES Gurtung Tape and Reel Golden Dragon TOPLED, Multi TOPLED: Power TOPLED: Power TOPLED mit Linse: 24 mm Gurt, gegurtet auf 18 cm Spule, 800 Stück/Spule 8 mm Gurt, gegurtet auf 18 cm Spule, 2000 Stück/Spule,

5469-H

Abstract: LT 5351 Q65110A0266
Contextual Info: LUMINESZENZDIODEN LIGHT EMITTING DIODES RADIALE LED RADIAL LED Package Type Emissionsfarbe Emission color λdom typ. Gehäusefarbe Emission Color ΦV [mlm] IV [mcd] [nm] Oval LEDs at 2ϕ (typ.) Bestellnummer (50% IV) Ordering code Fig. IF [mA] [deg]. Oval LEDs

Q62703-Q71

Abstract: Q62703-Q74 Q62703-Q75 Q62703-Q76 Q62703-Q77 Q62703-Q78 Q62703-Q70 Q62703-Q72 Q62703-Q73
Contextual Info: LD 260 LD 262 . LD 269 LD 260 LD 262 . LD 269 feo06367 fez06365 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Maβe in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● GaAs-IR-Lumineszenzdiode, hergestellt im

tu 104

Abstract: OT 180 tf 3621 ld 224 ld105r
Contextual Info: Lumineszenzdioden Grenzdaten: Tu = 25° C Verlustleistung P,0( 180 mW Spitzendurchlaßstrom, iFS (tw = 1 / a s , Tastv. £ 0,3%) 1A Durchlaßstrom 30 mA Betriebstemperaturbereich Löttemperatur (5 sec, 1,6 mm v. Gehäuse - 25° C bis +85° C 250° C Kenndaten: (Tu = 25° C)

5469-FH

Abstract: Q62703-Q2002 5380J Q62703Q2047
Contextual Info: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Radial LEDs Radiale LED Type Emissionsfarbe Emission color Gehäusefarbe typ- Case color at |nm] LR 5480-CF LR 5480-E LR 5480-F LR 5480-DG 660 LS 5480-GK LS54S0-J LS5480-K LS S480-JM 635 2.0 0.25 0.63. red diffused

Contextual Info: SIEMENS LD 260 LD 262 . LD 269 feoQ6367 fez06365 GaAs-IR-Lumineszenzdioden-Zeilen GaAs Infrared Emitter Arrays Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless W esentliche M erkm ale Features • • • • G aAs-IR-Lum ineszenzdiode, hergestellt im

Contextual Info: Infrared Emitters IR-Lumineszenzdioden 4. Light barriers 4. Lichtschranken Package Type Iœ { If = 10 mA / ceo ^CE = 10 V * CEO nA V Vf ~ ["Ordering code Fig. I f = 50 mA >cE= 5 V d = 1 mm) mA 4.1 4.1 M iniatur-Reflexlichtschranken M iniature light reflection switches

Q62703-Q1355

Abstract: Q62703-Q3483 3366-NR Q3488 Q3461
Contextual Info: Lumineszenzdioden Light Emitting Diodes Radiale LED Radiai LEDs Type Emissionsfarbe Emission color typ Gehäusefarbe Case color 2<p (typ.) at Hyper 3 mm LED 40 . 63 . 643 colorless clear 1 00 . 160 . 63. LO 3336-RU LO 3336-S LO 3336-T LO 3336-U LO 3336-SV